SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IS42S32200C1-7T-TR 编号：C20589139

封装：86-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM32160E-6BLI-TR 编号：C2064521

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM32160E 是移动 536,870,912 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 个bank的 4,194,304 字 x 32 位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。内部数据路径经过流水线处理，以实现高带宽。输入和输出电压电平与 LVCMOS 兼容。

数据手册

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型号：IS42S16800E-75ETL-TR 编号：C20493399

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S32800J-6BL 编号：C17282368

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，具有同步接口。每个67,108,864位的bank组织为4,096行 x 512列 x 32位。

单价：
￥38.147614 / 个

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型号：IS42S32200L-6BI 编号：C20584779

封装：90-TFBGA (8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥27.41

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型号：IS43TR16640ED-15HBLI-TR 编号：C17490374

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥72.74
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￥29.03
500+
￥28.06
1500+
￥27.58

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型号：IS42RM32160E-75BL 编号：C1353893

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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￥73.47
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型号：IS42RM32160E-75BL-TR 编号：C2064817

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。内部数据路径经过流水线处理，以实现高带宽。输入和输出电压电平与 LVCMOS 兼容。

数据手册

1+
￥73.56
200+
￥28.47
500+
￥27.47
1000+
￥26.97

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型号：IS42S32200C1-6T-TR 编号：C20588569

封装：86-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥73.87
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￥29.48
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￥28.49
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￥28.01

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型号：IS43TR16640ED-125KBLI-TR 编号：C17234608

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥75.12
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￥29.98
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￥28.97
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型号：IS42S81600E-6TL-TR 编号：C20493283

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥75.13
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￥29.98
500+
￥28.98
1500+
￥28.49

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型号：IS42SM32160E-75BLI-TR 编号：C2064216

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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￥76.36
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￥29.55
500+
￥28.52
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型号：IS42RM16160K-6BLI-TR 编号：C17570092

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42RM16160K-6BLI-TR 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 2.5V 电源电压。

1+
￥76.42
200+
￥30.5
500+
￥29.48
1000+
￥28.97

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型号：IS43LR16320C-6BL 编号：C17535344

封装：TFBGA-60(8x10)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥76.68
300+
￥30.6
600+
￥29.58
900+
￥29.07

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型号：IS42SM16320E-75BLI-TR 编号：C2064829

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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1+
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200+
￥29.76
500+
￥28.71
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￥28.19

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型号：IS42S16320F-7TL-TR 编号：C2065120

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种工作模式，包括自动刷新和自刷新。

数据手册

1+
￥77.19
200+
￥29.88
500+
￥28.83
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￥28.31

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型号：IS45S16160J-7BLA2-TR 编号：C17234625

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥77.29
200+
￥30.84
500+
￥29.81
1000+
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型号：IS42S16400D-6BLI 编号：C20552346

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥78.31
286+
￥31.25
572+
￥30.21
858+
￥29.69

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型号：IS42S16800E-75ETL 编号：C20493802

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥79.19
216+
￥31.6
540+
￥30.54
972+
￥30.02

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型号：IS42S16320F-6TL-TR 编号：C2065057

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种工作模式，包括自动刷新和自刷新。

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1+
￥79.37
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￥30.72
500+
￥29.64
1500+
￥29.11

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型号：IS43LD16640D-18BLI 编号：C20189621

封装：VFBGA-134(10x11.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43/46LD16640D/32320D是1Gb CMOS LPDDR2 SDRAM，内部配置为8个bank。该设备使用双倍数据率架构实现高速操作。双倍数据率架构本质上是一个4N预取架构，设计用于在每个I/O引脚上每时钟周期传输两个数据位。该设备支持高速未终止逻辑(HSUL_12) I/O接口，时钟频率范围为10MHz到533MHz。

1+
￥79.61
171+
￥31.77
513+
￥30.71
1026+
￥30.18

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型号：IS42S16320F-7BL-TR 编号：C2065247

封装：TFBGA-54(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种工作模式，包括自动刷新和自刷新。

数据手册

1+
￥79.69
200+
￥30.84
500+
￥29.76
1000+
￥29.22

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型号：IS43LR16800F-6BL-TR 编号：C20544830

封装：60-TFBGA (8x10)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥79.82
200+
￥31.85
500+
￥30.79
1000+
￥30.26

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型号：IS42SM16320E-6BLI 编号：C1353037

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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