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IS42S32200C1-7TI-TR
型号：IS42S32200C1-7TI-TR 编号：C20589590
封装：86-TSOP II
品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S81600E-6TL
    型号：IS42S81600E-6TL 编号：C20493888
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32200E-6BI-TR
    型号：IS42S32200E-6BI-TR 编号：C20584648
    封装：90-TFBGA (8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32160F 7TL TR
    型号：IS42S32160F-7TL-TR 编号：C2064541
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V和2.5V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种时钟频率，包括167 MHz和143 MHz。
    数据手册

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    IS43LD16160B-25BLI-TR
    型号：IS43LD16160B-25BLI-TR 编号：C17295928
    封装：TFBGA-134(10x11.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43LD16160B是一款256Mb（16M x 16）的LPDDR2 SDRAM，具有低功耗核心和I/O电源，支持高速未终止逻辑（HSUL_12）I/O接口，时钟频率范围为10MHz至533MHz，数据传输速率为20Mbps至1066Mbps。

    • 1+

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    IS45S16100C1-7BLA1
    型号：IS45S16100C1-7BLA1 编号：C20550982
    封装：60-MiniBGA (6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32400E-6TL-TR
    型号：IS42S32400E-6TL-TR 编号：C20589606
    封装：86-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32160F 7BL
    型号：IS42S32160F-7BL 编号：C1352311
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS45S32800J 6BLA1 TR
    型号：IS45S32800J-6BLA1-TR 编号：C2065131
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。
    数据手册

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    IS42S32160F 7BL TR
    型号：IS42S32160F-7BL-TR 编号：C2065204
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V和2.5V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种时钟频率，包括167 MHz和143 MHz。
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    IS42S86400F 6TL TR
    型号：IS42S86400F-6TL-TR 编号：C2064874
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种工作模式，包括自动刷新和自刷新。
    数据手册

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    IS43LR16320C-5BLI
    型号：IS43LR16320C-5BLI 编号：C17616273
    封装：TFBGA-60(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S86400F 7TL
    型号：IS42S86400F-7TL 编号：C1352153
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43LQ16128A-062TBLI
    型号：IS43LQ16128A-062TBLI 编号：C17268730
    封装：TFBGA-200(10x14.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16800E-7BL
    型号：IS42S16800E-7BL 编号：C20594985
    封装：54-TFBGA (8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16320F 6TLI TR
    型号：IS42S16320F-6TLI-TR 编号：C2064597
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    ISSI的512Mb SDRAM实现了高速数据传输，所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。它支持可编程突发长度和序列，具有内部bank机制，可隐藏行访问/预充电，提供无缝、高速的随机访问操作。
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    IS42S32160F 75ETL TR
    型号：IS42S32160F-75ETL-TR 编号：C2064595
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V和2.5V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种时钟频率，包括167 MHz和143 MHz。
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    IS42S32400E-7TL
    型号：IS42S32400E-7TL 编号：C20588577
    封装：86-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16320F 7BLI TR
    型号：IS42S16320F-7BLI-TR 编号：C2065316
    封装：TFBGA-54(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种工作模式，包括自动刷新和自刷新。
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    IS42S32160F 6BL
    型号：IS42S32160F-6BL 编号：C1352235
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS45S32200E-7TLA2-TR
    型号：IS45S32200E-7TLA2-TR 编号：C20589980
    封装：86-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32160F 6BL TR
    型号：IS42S32160F-6BL-TR 编号：C2064651
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V和2.5V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种时钟频率，包括167 MHz和143 MHz。
    数据手册

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    IS42S16800D-6T-TR
    型号：IS42S16800D-6T-TR 编号：C20492493
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32160F 6TL
    型号：IS42S32160F-6TL 编号：C1352283
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS42S86400F 6TL
    型号：IS42S86400F-6TL 编号：C1352287
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，高速CMOS动态随机存取存储器，支持3.3V VDD/VDDQ，具有内部四bank结构和同步接口，适用于高性能系统。支持多种突发长度和可编程CAS延迟。
    数据手册

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      ￥89.28

    • 200+

      ￥34.55

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      ￥32.74
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    IS42S32160F 75EBL TR
    型号：IS42S32160F-75EBL-TR 编号：C2065799
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V和2.5V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种时钟频率，包括167 MHz和143 MHz。
    数据手册

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      ￥89.45

    • 200+

      ￥34.62

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    IS42S32400E-6BL-TR
    型号：IS42S32400E-6BL-TR 编号：C20586114
    封装：90-TFBGA (8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43LR16800F-6BL
    型号：IS43LR16800F-6BL 编号：C20544940
    封装：60-TFBGA (8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥90.88

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    IS42S32800J-75EBLI
    型号：IS42S32800J-75EBLI 编号：C17296078
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，具有同步接口。每个67,108,864位的bank组织为4,096行 x 512列 x 32位。

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    IS42S86400F 7TLI TR
    型号：IS42S86400F-7TLI-TR 编号：C2064673
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    ISSI的512Mb SDRAM实现了高速数据传输，所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。它支持可编程突发长度和序列，具有内部bank机制，可隐藏行访问/预充电，提供无缝、高速的随机访问操作。
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