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  • 1Gb Mobile DDR SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器,内部配置为四组bankDRAM。使用双数据率架构实现高速操作,支持自动刷新、部分阵列自刷新、多种工作温度范围等特性。
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  • 256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM,具有同步接口。每个67,108,864位的bank组织为4,096行 x 512列 x 32位。
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  • IS43/46LD16640D/32320D是1Gb CMOS LPDDR2 SDRAM,内部配置为8个bank。该设备使用双倍数据率架构实现高速操作。双倍数据率架构本质上是一个4N预取架构,设计用于在每个I/O引脚上每时钟周期传输两个数据位。该设备支持高速未终止逻辑(HSUL_12) I/O接口,时钟频率范围为10MHz到533MHz。
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  • 1Gb Mobile DDR SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器,内部配置为四组bankDRAM。使用双数据率架构实现高速操作,支持自动刷新、部分阵列自刷新、多种工作温度范围等特性。
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