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IS45S16160J 7CTLA2
型号：IS45S16160J-7CTLA2 编号：C1352418
封装：TSOPII-54-10.2mm
品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42S16400F-7TL-TR
    型号：IS42S16400F-7TL-TR 编号：C20492942
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16400F-6TLI
    型号：IS42S16400F-6TLI 编号：C20491411
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16400F-5BL-TR
    型号：IS42S16400F-5BL-TR 编号：C20594027
    封装：54-TFBGA (8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS45S32800J 6BLA1
    型号：IS45S32800J-6BLA1 编号：C1352688
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。
    数据手册

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    IS42S32200C1-7TL-TR
    型号：IS42S32200C1-7TL-TR 编号：C20588443
    封装：86-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16400F-6BLI-TR
    型号：IS42S16400F-6BLI-TR 编号：C20594109
    封装：54-TFBGA (8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42VM16320E 75BLI TR
    型号：IS42VM16320E-75BLI-TR 编号：C2064204
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
    数据手册

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    IS42RM32400H-75BLI-TR
    型号：IS42RM32400H-75BLI-TR 编号：C17570043
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。

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    IS42S32200L-6BI-TR
    型号：IS42S32200L-6BI-TR 编号：C20586620
    封装：90-TFBGA (8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32200E-6TLI-TR
    型号：IS42S32200E-6TLI-TR 编号：C20588438
    封装：86-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS45S16400F-7TLA1
    型号：IS45S16400F-7TLA1 编号：C20492908
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16400D-6BL-TR
    型号：IS42S16400D-6BL-TR 编号：C20551847
    封装：60-MiniBGA (6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42SM16160K 6BLI
    型号：IS42SM16160K-6BLI 编号：C1351718
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16160K-6BLI 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 3.3V、2.5V 和 1.8V 电源电压。
    数据手册

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    IS42VM16800H-75BLI
    型号：IS42VM16800H-75BLI 编号：C17296176
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42VM16800H-75BLI 是一款134,217,728位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。

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    IS42S32800J 75ETLI
    型号：IS42S32800J-75ETLI 编号：C1352030
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。
    数据手册

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    IS42S32200E-7TLI
    型号：IS42S32200E-7TLI 编号：C20591552
    封装：86-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16400D-7BLI-TR
    型号：IS42S16400D-7BLI-TR 编号：C20550473
    封装：60-MiniBGA (6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥65.86

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    IS43LD32160A-25BLI
    型号：IS43LD32160A-25BLI 编号：C17625769
    封装：TFBGA-134(10x11.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS45S32200E-7TLA1-TR
    型号：IS45S32200E-7TLA1-TR 编号：C20589999
    封装：86-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32800J-6TLI-TR
    型号：IS42S32800J-6TLI-TR 编号：C17296145
    封装：TFSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，具有同步接口。每个67,108,864位的bank组织为4,096行 x 512列 x 32位。

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    IS45S16400F-7BLA1-TR
    型号：IS45S16400F-7BLA1-TR 编号：C20594608
    封装：54-TFBGA (8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16400F-7TLI-TR
    型号：IS42S16400F-7TLI-TR 编号：C20493482
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32200C1-7TLI-TR
    型号：IS42S32200C1-7TLI-TR 编号：C20591486
    封装：86-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32200C1-6TL
    型号：IS42S32200C1-6TL 编号：C20591515
    封装：86-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16800E-6TL-TR
    型号：IS42S16800E-6TL-TR 编号：C20491896
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S81600E-7TL-TR
    型号：IS42S81600E-7TL-TR 编号：C20491963
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42SM32800K-75BLI
    型号：IS42SM32800K-75BLI 编号：C17377274
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32800K是移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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    IS43LD32800B-25BLI-TR
    型号：IS43LD32800B-25BLI-TR 编号：C17535347
    封装：TFBGA-134(10x11.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43LD32800B是一款256Mb（8M x 32）的LPDDR2 SDRAM，具有低功耗核心和I/O电源，支持高速未终止逻辑（HSUL_12）I/O接口，时钟频率范围为10MHz至533MHz，数据传输速率为20Mbps至1066Mbps。

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    IS42VM32800K-6BLI
    型号：IS42VM32800K-6BLI 编号：C17688854
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32800K是移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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