SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IS42S83200J-7TLI-TR 编号：C17328915

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥50.68
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￥19.55
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￥19.21

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型号：IS42RM16800H-75BLI 编号：C17636395

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。

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型号：IS42S32200E-7TL 编号：C20588932

封装：86-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM16800H-6BLI 编号：C17377279

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM16800H-6BLI 是一款134,217,728位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。

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￥51.61
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型号：IS45S32800J-7TLA1-TR 编号：C2064215

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。

数据手册

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￥53.19
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型号：IS45S16800F-7CTLA2 编号：C1352160

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45S16800F 是一款128Mb同步动态随机存取内存，支持高带宽数据传输，采用四bank结构，支持多种时钟频率和突发长度。

数据手册

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型号：IS45S32800J-6TLA1-TR 编号：C2064095

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。

数据手册

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￥55.38
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型号：IS42S16400F-6BL-TR 编号：C20595029

封装：54-TFBGA (8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥22.38
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￥21.63
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型号：IS45S16160J-7CTLA2 编号：C1352418

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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型号：IS42S16400F-7TL-TR 编号：C20492942

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S16400F-6TLI 编号：C20491411

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥57.75
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￥23.04
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￥22.28
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型号：IS42S16400F-5BL-TR 编号：C20594027

封装：54-TFBGA (8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S32800J-6BLA1 编号：C1352688

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。

数据手册

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型号：IS42S32200C1-7TL-TR 编号：C20588443

封装：86-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥61.2
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￥24.42
500+
￥23.61
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型号：IS42S16400F-6BLI-TR 编号：C20594109

封装：54-TFBGA (8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥61.21
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￥24.43
500+
￥23.61
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型号：IS42VM16320E-75BLI-TR 编号：C2064204

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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￥61.3
200+
￥23.72
500+
￥22.89
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型号：IS42RM32400H-75BLI-TR 编号：C17570043

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。

1+
￥62.02
200+
￥24.75
500+
￥23.92
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￥23.51

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型号：IS42S32200L-6BI-TR 编号：C20586620

封装：90-TFBGA (8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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200+
￥25.11
500+
￥24.27
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型号：IS42S32200E-6TLI-TR 编号：C20588438

封装：86-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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200+
￥25.38
500+
￥24.53
1500+
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型号：IS45S16400F-7TLA1 编号：C20492908

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥63.94
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￥25.51
540+
￥24.66
972+
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型号：IS42S16400D-6BL-TR 编号：C20551847

封装：60-MiniBGA (6.4x10.1)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥64.23
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￥25.63
500+
￥24.78
1000+
￥24.35

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型号：IS42SM16160K-6BLI 编号：C1351718

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42SM16160K-6BLI 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 3.3V、2.5V 和 1.8V 电源电压。

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￥24.86
696+
￥23.99
1044+
￥23.56

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型号：IS42VM16800H-75BLI 编号：C17296176

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM16800H-75BLI 是一款134,217,728位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。