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IS42S32800J 6BL TR
型号：IS42S32800J-6BL-TR 编号：C2064306
封装：TFBGA-90(8x13)
品牌：ISSI(美国芯成)
256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。
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    IS42S16160J 6TL
    型号：IS42S16160J-6TL 编号：C1353383
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42VM32800K 6BLI TR
    型号：IS42VM32800K-6BLI-TR 编号：C2065455
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS45S16100H-7BLA1-TR
    型号：IS45S16100H-7BLA1-TR 编号：C17502340
    封装：TFBGA-60(6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS45S16100H 是一款16Mb同步动态随机存取存储器，支持双bank操作，具有200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V电源，LVTTL接口，可编程突发长度和序列。

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    IS42S32800J 75EBL TR
    型号：IS42S32800J-75EBL-TR 编号：C2064159
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。
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    IS42S32800J 7TLI TR
    型号：IS42S32800J-7TLI-TR 编号：C2064183
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。
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    IS42RM32800K 6BLI TR
    型号：IS42RM32800K-6BLI-TR 编号：C2064360
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    IS42SM32800K 6BLI TR
    型号：IS42SM32800K-6BLI-TR 编号：C2064104
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32800K是移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    IS42S16100C1-6T-TR
    型号：IS42S16100C1-6T-TR 编号：C20453990
    封装：50-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16400F-6TL-TR
    型号：IS42S16400F-6TL-TR 编号：C20493490
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42VM32100D-6BLI-TR
    型号：IS42VM32100D-6BLI-TR 编号：C17328855
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42VM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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    IS42S16400F-7TL
    型号：IS42S16400F-7TL 编号：C20491013
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42RM32800K 75BLI
    型号：IS42RM32800K-75BLI 编号：C1353919
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    IS42S32800J 75EBLI TR
    型号：IS42S32800J-75EBLI-TR 编号：C2064380
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。
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    IS42S32800J 75ETL
    型号：IS42S32800J-75ETL 编号：C1352335
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。
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    IS42S32800J 75ETLI TR
    型号：IS42S32800J-75ETLI-TR 编号：C2064568
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。
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    IS42VM16800H 75BLI TR
    型号：IS42VM16800H-75BLI-TR 编号：C2064158
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16800H 是一种128Mb (2M x 16Bits x 4Banks) 的移动同步DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，具有完全同步操作，内部4个bank操作，自动刷新和自刷新等功能。
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    IS42S16400F-5TL-TR
    型号：IS42S16400F-5TL-TR 编号：C20492523
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42RM32800K 6BLI
    型号：IS42RM32800K-6BLI 编号：C1352178
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    IS42S16400F-6TL
    型号：IS42S16400F-6TL 编号：C20493393
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S83200J-7TL
    型号：IS42S83200J-7TL 编号：C17236626
    封装：TSOP-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16100C1-6T
    型号：IS42S16100C1-6T 编号：C20456724
    封装：50-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42VM32200M-75BLI
    型号：IS42VM32200M-75BLI 编号：C17527028
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。

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    IS42SM32400H 75BLI TR
    型号：IS42SM32400H-75BLI-TR 编号：C2063808
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM32400H 是一款128Mb CMOS Synchronous DRAM，组织为4个bank，每个bank有1,048,576字 x 32位。支持3.3V、2.5V和1.8V电源电压，具有完全同步操作、自动刷新、部分阵列自刷新、可编程突发长度和突发类型等功能。
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    IS42SM32400H 75BLI
    型号：IS42SM32400H-75BLI 编号：C1352487
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。
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    IS42SM16800H-75BLI
    型号：IS42SM16800H-75BLI 编号：C17496630
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16800H-75BLI 是一款134,217,728位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。

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    IS42S16400F-5TL
    型号：IS42S16400F-5TL 编号：C20493396
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS45S16800F 7CTLA2 TR
    型号：IS45S16800F-7CTLA2-TR 编号：C2063907
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42SM32400H 6BLI
    型号：IS42SM32400H-6BLI 编号：C1352754
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。
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    IS42S16100C1-5T
    型号：IS42S16100C1-5T 编号：C20455609
    封装：TSOPII-50
    品牌：ISSI(美国芯成)

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