SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IS45S16160J-7TLA1 编号：C1351596

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42SM16800H-6BLI 编号：C1351469

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42SM16800H-6BLI 是一款134,217,728位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。

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型号：IS42RM16800H-6BLI 编号：C1351549

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。

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型号：IS45S16160J-7CTLA1-TR 编号：C2064048

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S16160J-7TLA2-TR 编号：C2064834

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S32400F-7TLI-TR 编号：C2064046

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。

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型号：IS42S16100C1-5TL 编号：C20454075

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42RM32400H-75BLI 编号：C1352284

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。

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型号：IS45S16160J-6CTLA1-TR 编号：C2065330

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM16160K-75BLI-TR 编号：C2063340

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM16160K-75BLI-TR 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 1.8V 电源电压。

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型号：IS42VM32400H-6BLI 编号：C1352475

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。

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型号：IS42SM16200D-6BLI 编号：C17443442

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42SM32100D-6BLI 编号：C17530045

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42SM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：IS45S16320F-7BLA1 编号：C1352773

封装：TFBGA-54(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，高速CMOS动态随机存取存储器，支持3.3V VDD/VDDQ，具有内部四bank结构和同步接口，适用于高性能系统。支持多种突发长度和可编程CAS延迟。

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型号：IS45S16160J-7CTLA2-TR 编号：C2064270

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42SM16160K-75BLI-TR 编号：C2064572

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16160K 是一款移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含4,194,304个字 x 16位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正边沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。

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型号：IS42RM16160K-75BLI-TR 编号：C2064574

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

组织为4个bank，每个bank包含4,194,304个字 x 16位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正边沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。

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型号：IS42RM32400H-6BLI 编号：C1352306

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。

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型号：IS42VM16160K-6BLI-TR 编号：C2064429

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42SM16160K-6BLI-TR 编号：C2065681

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16160K 是一款移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含4,194,304个字 x 16位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正边沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。

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型号：IS42S32800J-6TL-TR 编号：C2064473

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

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型号：IS45S16160J-6CTLA1 编号：C1352158

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S32800J-7BL-TR 编号：C2064463

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

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型号：IS42SM16160K-75BLI 编号：C1353193

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42SM16160K-75BLI 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 3.3V、2.5V 和 1.8V 电源电压。

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型号：IS42RM16160K-75BLI 编号：C1353196

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42RM16160K-75BLI 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 2.5V 电源电压。

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型号：IS42VS16100C1-10TLI-TR 编号：C20455652

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S16100C1-7TLA1-TR 编号：C20456186

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥16.25
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型号：IS42S32800J-75ETL-TR 编号：C2064372

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。

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