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首页 > 热门关键词 > 存储器芯片
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1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器,支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性,包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步,输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式,包括扩展测试和工业温度范围。
  • 1+

    ¥64.4
  • 209+

    ¥25.7
  • 418+

    ¥24.84
  • 1045+

    ¥24.42
  • 订货
  • 1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器,支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性,包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步,输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式,包括扩展测试和工业温度范围。
    • 1+

      ¥66.85
    • 200+

      ¥26.68
    • 500+

      ¥25.79
    • 1500+

      ¥25.35
  • 订货
  • 1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器,支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性,包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步,输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式,包括扩展测试和工业温度范围。
    • 1+

      ¥66.85
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      ¥26.68
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      ¥25.79
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      ¥25.35
  • 订货
  • 安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件,其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器,内部组织为 8 K 个词,每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造,速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行,并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚,可实现与要暂停器件的通信。暂停后,输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行,采用若干标准封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.29
    • 200+

      ¥3.21
    • 500+

      ¥3.1
    • 1000+

      ¥3.04
  • 订货
  • 64M-bit/8M-byte FLASH芯片,SPI接口 133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI) 比W25Q64FVSSIG更高速度
    数据手册
    • 1+

      ¥8.78
    • 10+

      ¥8.04
    • 30+

      ¥7.34
    • 90+

      ¥6.82
    • 540+

      ¥6.61
    • 990+

      ¥6.5
  • 有货
  • DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3(1.5V)SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时,请参考DDR3(1.5V)SDRAM(芯片版本:E)数据手册规格。
    数据手册
    • 1+

      ¥51.15
    • 10+

      ¥46.21
    • 30+

      ¥43.06
    • 100+

      ¥40
  • 有货
  • CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件,内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存,支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外,所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护,包括部分和完整阵列保护。片上 ECC(错误修正代码)使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品(修订版E)。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.11
    • 10+

      ¥2.44
    • 30+

      ¥2.16
    • 100+

      ¥1.8
    • 500+

      ¥1.51
    • 1000+

      ¥1.41
  • 有货
  • MX35LFxGE4AB是一款具有串行接口的1Gb/2Gb单级单元(SLC)NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的存储单元架构,但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码(ECC)逻辑,默认处于启用状态
    数据手册
    • 1+

      ¥29.05
    • 10+

      ¥24.67
    • 30+

      ¥22.07
    • 100+

      ¥19.43
    • 480+

      ¥18.22
    • 960+

      ¥17.67
  • 有货
  • CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件,内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区,支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外,所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护,包括部分和完整阵列保护。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7501
    • 50+

      ¥1.3566
    • 150+

      ¥1.1879
    • 500+

      ¥0.9775
    • 3000+

      ¥0.8838
    • 6000+

      ¥0.8276
  • 有货
  • 该产品是一款 64k x 8(512 Kbit)串行电可擦除 PROM,能够在较宽的电压范围(1.7V 至 5.5V)内工作。它专为先进的低功耗应用而开发,如个人通信和数据采集。该设备还具备高达 128 字节数据的页写入能力,能够在 512K 边界内进行随机和顺序读取。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备,地址空间可达 4 Mbit。该设备有标准的 8 引脚塑料 DIP、SOIJ、SOIC、TSSOP、DFN 和 14 引脚 TSSOP 封装。24AA512 还有 8 引脚芯片级封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.6
    • 10+

      ¥4.51
    • 30+

      ¥3.97
    • 100+

      ¥3.42
    • 500+

      ¥3.1
    • 1000+

      ¥2.93
  • 有货
  • DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片,组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区,验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.12
    • 10+

      ¥9.42
    • 30+

      ¥8.36
    • 100+

      ¥7.26
    • 500+

      ¥6.77
    • 1000+

      ¥6.56
  • 有货
  • CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件,内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存,支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外,所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护,包括部分和完整阵列保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.75
    • 10+

      ¥1.52
    • 30+

      ¥1.42
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      ¥1.29
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      ¥1.23
    • 1000+

      ¥1.2
  • 有货
  • 串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s,四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.85
    • 10+

      ¥19.67
    • 30+

      ¥18.3
    • 100+

      ¥9.65
    • 500+

      ¥9.02
  • 有货
  • CAT25080 是 EEPROM 串行 8-Kb SPI 器件,内部组织为 1024x8 位。其具有 32 字节页写入缓存,支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外,所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25080 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护,包括部分和完整阵列保护。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1592
    • 50+

      ¥1.7145
    • 150+

      ¥1.5239
    • 500+

      ¥1.14
  • 有货
  • CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件,内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区,支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外,所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护,包括部分和完整阵列保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥3
    • 30+

      ¥2.86
    • 100+

      ¥2.71
    • 500+

      ¥1.78
    • 1000+

      ¥1.74
  • 有货
  • 特性:串行外围接口:标准SPI为SCLK、ICS、SI、SO、WP、/HOLD;双线SPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、WP、/HOLD;四线SPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、IO2、IO3;QPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、IO2、IO3;支持双倍传输速率读取;支持3或4字节寻址模式。 数据读取:普通读(串行)时钟速率为55MHz;快速读(串行)在负载电容30pF情况下时钟速率为108MHz;双线I/O数据传输速率高达216Mbits/S;四线I/O和QPI数据传输速率高达432Mbits/S;双倍传输速率四线I/O数据传输速率高达432Mbits/s;允许XIP(本地执行)操作,连续读支持8/16/32/64字节回绕。 数据编程:串行输入页编程一次最多支持256字节;支持编程暂停和恢复。 数据擦除:支持块擦除(64/32KB)、扇区擦除(4KB)、整芯片擦除;支持擦除暂停和恢复。 编程/擦除速度:页编程时间典型值为0.6ms;扇区擦除时间典型值为50ms;块擦除时间典型值为0.15/0.25s;整芯片擦除时间典型值为80s。 灵活架构:4KB扇区;32/64KB块
    • 1+

      ¥9.15
    • 10+

      ¥7.53
    • 30+

      ¥6.64
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      ¥5.63
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      ¥5.19
    • 1045+

      ¥4.99
  • 有货
  • 4Gb双数据速率3(DDR3(L))DRAM是一种高速CMOS SDRAM,包含4,294,967,296位。它在内部配置为八存储体DRAM。4Gb芯片组织为64Mb x 8 I/O x 8存储体和32Mbit x 16 I/O x 8存储体。这些同步设备在一般应用中可实现高达2133 Mb/sec/pin的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM关键特性,所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点(CK上升和CK下降)锁存。所有I/O以源同步方式与单端DQS或差分DQS对同步。
    • 单价:

      ¥22.83 / 个
  • 有货
  • 8M 位串行外设接口 (SPI) 闪存,支持双 SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)。双输出数据传输速度为 108Mbit/s。设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源供电。此外,该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0766
    • 50+

      ¥0.8345
    • 150+

      ¥0.7308
    • 500+

      ¥0.6014
    • 2500+

      ¥0.5437
    • 4000+

      ¥0.5091
  • 有货
  • CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件,内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存,支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外,所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护,包括部分和完整阵列保护。片上 ECC(错误修正代码)使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品(修订版E)。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.29
    • 10+

      ¥3.84
    • 30+

      ¥3.62
    • 100+

      ¥3.4
    • 500+

      ¥2.73
    • 1000+

      ¥2.66
  • 有货
  • 应用领域:工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC,工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC,工规宽温存储芯片,工业宽温存储芯片,工规芯片,工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装
    数据手册
    • 1+

      ¥275.45
    • 10+

      ¥259.25
  • 有货
  • IS45S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM),支持多种时钟频率,包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电,支持 LVTTL 接口,适用于商业、工业和汽车级应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.23
    • 10+

      ¥23.07
    • 30+

      ¥20.6
    • 100+

      ¥18.11
    • 500+

      ¥16.95
    • 1000+

      ¥16.43
  • 有货
  • 应用领域:工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC,工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC,工规宽温存储芯片,工业宽温存储芯片,工规芯片,工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级
    数据手册
    • 1+

      ¥453.76
    • 10+

      ¥426.86
  • 有货
  • AT24C128B是一款独立的I2C兼容串行EEPROM芯片,总存储阵列密度为128Kbits,由256页组成,每页64字节。支持单字节写入和页写入操作,写入时间小于5ms。工作电压范围为1.7V至5.5V,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    • 5+

      ¥0.8536
    • 50+

      ¥0.7454
    • 150+

      ¥0.6991
    • 500+

      ¥0.6412
    • 2500+

      ¥0.6155
    • 5000+

      ¥0.6
  • 有货
  • 是128M-bit串行外设接口(SPI)闪存,支持双/四SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP)和I/O3(/HOLD)。双I/O数据传输速度为216Mbits/s,四I/O和四输出数据传输速度为432Mbits/s。该器件使用单一低压电源,范围为2.7V至3.6V。此外,该器件支持JEDEC标准制造商和设备ID以及三个1024字节的安全寄存器。
    • 1+

      ¥5.03
    • 10+

      ¥4.13
    • 30+

      ¥3.68
    • 95+

      ¥3.23
  • 有货
  • 特性:8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。扇区组保护/芯片解锁:具有工厂锁定、可识别和客户可锁定功能。提供扇区组保护功能,防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能,允许更改代码
    • 1+

      ¥19.18
    • 10+

      ¥16.37
    • 30+

      ¥14.7
    • 100+

      ¥13.01
  • 有货
  • 应用领域:工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC,工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC,工规宽温存储芯片,工业宽温存储芯片,工规芯片,工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级
    数据手册
    • 1+

      ¥188
    • 10+

      ¥181.61
    • 30+

      ¥142.14
    • 100+

      ¥132.48
  • 有货
  • AT24C128B是一款独立的I2C兼容串行EEPROM芯片,总存储阵列密度为128Kbits,由256页组成,每页64字节。支持单字节写入和页写入操作,写入时间小于5ms。工作电压范围为1.7V至5.5V,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    • 5+

      ¥0.9739
    • 50+

      ¥0.7647
    • 150+

      ¥0.6751
    • 500+

      ¥0.5632
    • 2500+

      ¥0.5134
    • 5000+

      ¥0.4835
  • 有货
  • 是 16M 位(2M 字节)串行闪存,具有先进的写保护机制。支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四 I/O 以及 2 时钟指令周期四外设接口 (QPI)。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI (XIP) 执行代码以及存储语音、文本和数据。可使用页面编程指令一次编程 1 到 256 字节。设计允许一次擦除单个扇区/块或执行全芯片擦除操作。可配置为在软件保护模式下保护部分内存。每个扇区或块可承受至少 100K 次编程/擦除周期。
    数据手册
    • 1820+

      ¥1.089
    • 3640+

      ¥1.0527
    • 7280+

      ¥1.03455
    • 14560+

      ¥0.99825
    512 Kbit串行I2C总线EEPROM,具有三条芯片使能线
    数据手册
    • 1+

      ¥2.77
    • 10+

      ¥2.16
    • 30+

      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.57
  • 有货
  • 是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个4K x 8位内存的单块,具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作,待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发,如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多连接八个设备,提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。也有5引脚SOT-23和芯片级封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.8116 ¥10.46
    • 10+

      ¥4.0112 ¥8.72
    • 30+

      ¥3.5742 ¥7.77
    • 100+

      ¥3.0774 ¥6.69
    • 500+

      ¥2.8566 ¥6.21
    • 1000+

      ¥2.7554 ¥5.99
  • 有货
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