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封装：SOP-8_150mil

FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的芯片，配置为131,072字 × 8位。与SRAM不同，它无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，显著优于其他非易失性存储产品。写入内存后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

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￥32.38
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￥27.84
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￥25.15
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500+
￥21.16

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型号：DS2432P+T&R 编号：C6146619

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2432 在单芯片中集成了 1024 位 EEPROM、一个 64 位密钥、一个 8 字节寄存器/控制页（最多包含 5 个用户读写字节）、一个 512 位 SHA - 1 引擎以及一个功能完备的 1 - Wire 接口。每个 DS2432 都有自己的 64 位 ROM 注册号，该号码由工厂激光烧录到芯片中，以确保提供唯一标识，实现绝对可追溯性。数据通过 1 - Wire 协议进行串行传输，该协议仅需一根数据线和一根接地线

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￥21.46
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￥18.41
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型号：CAT25080VI-GT3 编号：C890368

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25080 是 EEPROM 串行 8-Kb SPI 器件，内部组织为 1024x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25080 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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￥4.13
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￥3.36
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￥2.98
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型号：CAT25320YI-GT3 编号：C890376

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25320 是一款 EEPROM 串行 32-Kb SPI 器件，内部组织为 4096x8 位。它具有 32 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25320 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。

数据手册

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￥6.6432 ￥6.92
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￥4.9622 ￥5.77
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￥3.9064 ￥5.14
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￥3.3592 ￥4.42
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型号：MT41K256M16TW-093:P 编号：C2064402

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。

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￥72.48
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￥60.17
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￥54.22

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型号：24LC32A-I/SN 编号：C511262

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是 32 Kbit 电可擦除 PROM。该设备被组织为一个 4K x 8 位内存的单块，具有两线串行接口。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和工作电流分别仅为 1 μA 和 1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具有高达 32 字节数据的页面写入能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，地址空间高达 256 Kbits。有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN 和 MSOP 封装。也有 5 引脚 SOT-23 和芯片级封装。

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￥5.22
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￥4.44
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￥4.05
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￥3.66

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型号：DS28E07Q+T 编号：C2062731

封装：TDFN-6-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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￥18.34
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￥15.63
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￥13.94
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￥12.2

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型号：MX29LV640EBTI-70GTR 编号：C2802726

封装：TSOP-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。扇区组保护/芯片解锁：具有工厂锁定、可识别和客户可锁定功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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￥28.65
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￥25.83
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￥24.16

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型号：NT5CC256M16EP-EK 编号：C2846880

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

4Gb双数据速率3 (DDR3(L)) DRAM是一款高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八组DRAM。4Gb芯片的组织形式为64Mbit x 8 I/O x 8组和32Mbit x 16 I/O x 8组。这些同步器件在一般应用中可实现高达2133 Mb/秒/引脚的高速双数据速率传输

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￥99.13
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￥88.02
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￥81.26
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￥69.8

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型号：24LC64T-I/ST 编号：C2061060

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是 64 Kbit 电可擦除 PROM。该设备组织为一个 8K x 8 位内存的单块，具有 2 线串行接口。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和工作电流分别仅为 1μA 和 3mA。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具有高达 32 字节数据的页面写入能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，最多可达 512 Kbits 地址空间。有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN 和 MSOP 封装。也有 5 引脚 SOT-23 和芯片级封装。

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￥4.58
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￥3.72
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型号：IS25LP080D-JNLE-TR 编号：C521286

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式（请参阅引脚说明）

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￥5.5
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￥4.38
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￥3.82
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￥2.93

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型号：AT24C02D-PUM-TUDI 编号：C22469375

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C02D-PUM-TUDI是一款2K位（256x8）的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留时间。该芯片具有硬件写保护功能，支持8字节页写模式，适用于低功耗和低电压应用。

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￥1.8773
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￥1.4741
150+
￥1.3013

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型号：CAV25160VE-GT3 编号：C463445

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 2048x8 位。它具有 32 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25160 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。

数据手册

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￥3.7142 ￥3.79
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￥3.2648 ￥3.71
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￥2.847 ￥3.65
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￥2.808 ￥3.6

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型号：M24512-DFMN6TP 编号：C222090

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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￥6.06
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￥5.14
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￥4.68

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型号：NT5CC512M8EN-EK 编号：C2841152

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Nanya(南亚科技)

4Gb双数据速率3（DDR3(L)）DRAM是一种高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八存储体DRAM。4Gb芯片组织为64Mb x 8 I/O x 8存储体和32Mbit x 16 I/O x 8存储体。这些同步设备在一般应用中可实现高达2133 Mb/sec/pin的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM关键特性，所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）锁存。所有I/O以源同步方式与单端DQS或差分DQS对同步。

单价：
￥24.86 / 个

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型号：GD25Q256EYIGR 编号：C2927043

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

数据手册

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￥30.85
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￥12.2

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型号：DS28E04S-100+ 编号：C22414101

封装：SO-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E04 - 100是一款具有七个地址输入的4096位单总线EEPROM芯片。这些地址输入直接映射到单总线64位设备标识号中，便于主机系统在多设备单总线网络环境中识别DS28E04 - 100的物理位置或功能关联。4096位EEPROM阵列被配置为16页，每页32字节，并带有一个32字节的暂存器，用于执行写操作

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￥61.12
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￥59.71
50+
￥58.77

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型号：BY25D40ESTIG(T) 编号：C50172541

封装：SOP-8-150mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。

5+
￥0.5356
50+
￥0.5244
200+
￥0.5168

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型号：BY25D40ESMIG(R) 编号：C50176339

封装：USON-8(2x3)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。

5+
￥0.8457
50+
￥0.6777
150+
￥0.5937

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型号：BY25Q32ESHIG(R) 编号：C50176326

封装：DFN-8(3x4)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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￥1.489
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￥1.1866
150+
￥1.057

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型号：BY25Q32ESSIG (R) 编号：C49023663

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

1+
￥1.78
10+
￥1.74
30+
￥1.72

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型号：CAT25010VI-GT3 编号：C233777

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25010 是一款 EEPROM 串行 1-Kb SPI 器件，内部组织为 128x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 工艺大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25010 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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5+
￥2.6675
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￥2.2166
150+
￥2.0233

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型号：CAT25040VI-GT3 编号：C890364

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25040 是一款 EEPROM 串行 4-Kb SPI 器件，内部组织为 512x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 技术大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25040 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。

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1+
￥3.62
10+
￥2.94
30+
￥2.6
100+
￥2.26

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型号：24LC64T-E/MNY 编号：C2060994

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个具有2线串行接口的8K×8位单块内存。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和3 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。24Xx64还具有高达32字节数据的页写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，寻址空间高达512 Kbits。24XX64有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。24Xx64也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

数据手册

1+
￥13.34
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￥11.58
30+
￥10.48

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型号：F35SQB002G-WWT 编号：C49297080

封装：WSON-8(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

是一款2G位（256Mx8bit）的串行NAND闪存，工作在单一3.3V VCC上。该设备支持标准串行外设接口（SPI）、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和SIO3（HOLD#）。支持JEDEC标准制造商和设备ID、唯一ID、一个参数页和62个OTP页。芯片内有一个内部8位ECC逻辑，默认启用。内部ECC可以通过命令禁用或启用。

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￥47.6
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￥40.9
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￥36.82
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￥33.4

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型号：M48Z58Y-70MH1F 编号：C2062195

封装：SOP-28-8.9mm

品牌：ST(意法半导体)

M48Z58Y 是一款 8 Kbit x 8 非易失性静态 RAM，集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。它在单个芯片上提供了超低功耗的 SRAM 功能。

数据手册

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￥83.118 ￥118.74
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￥68.04 ￥113.4
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￥52.07 ￥104.14
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￥48.03 ￥96.06

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型号：M48Z08-100PC1 编号：C1348748

封装：DIP-28

品牌：ST(意法半导体)

M48Z08/18 是8Kx8非易失性静态RAM，具有电池备份功能，能够在系统断电时保持数据。该芯片与DS1225兼容，支持无限次写入。工作电压为4.75至5.5V，适用于工业温度范围。

数据手册

1+
￥151.5934 ￥184.87
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￥133.1064 ￥184.87
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￥114.6194 ￥184.87
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￥109.2564 ￥176.22

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型号：CY7C1061GE30-10ZSXI 编号：C2953949

封装：TSOPII-54

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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￥187.55
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￥178.25

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型号：BY25Q32ESSIG(T) 编号：C50172543

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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￥1.78
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￥1.74
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￥1.72
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型号：BY25Q32ESWIG(R) 编号：C50176343

封装：WSON-8(5x6)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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