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串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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￥20.72
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型号：25A512-I/SN 编号：C615230

封装：SOIC-8

25A512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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单价：
￥15.6384 / 个

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型号：25LC080/SN 编号：C153269

封装：SOIC-8

Microchip Technology Inc. 的25LC080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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￥4.29
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型号：25C080-E/SN 编号：C615259

封装：SOIC-8

Microchip Technology Inc. 的25C080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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￥5.86
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型号：N25S830HAS22I 编号：C136398

封装：SOIC-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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型号：N64S818HAS21I 编号：C897837

封装：SOIC-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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￥5.58
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型号：IS25WP016D-JBLA3-TR 编号：C6577438

封装：SOIC-8-208mil

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

100+
￥4.4
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￥4.32
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型号：N64S830HAS22I 编号：C897839

封装：SOIC-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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￥13.81
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￥9.05
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￥8.44
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￥8.18

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型号：25AA512-I/P 编号：C219836

封装：PDIP-8

25AA512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作无需使用这些功能

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￥17.01
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￥16.53
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￥16.05

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型号：HYD1G16L3AE-B9A 编号：C19272577

封装：FBGA-96

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

2Gb 双倍数据速率 3（DDR3）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片的结构为 16Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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￥19.4
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￥13.22
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￥12.09

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型号：CY7C1041G-10ZSXIT 编号：C2953045

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1041G和CY7C1041GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件都提供单芯片使能选项和多种引脚配置。CY7C1041GE器件包含一个ERR引脚，用于在读取周期中指示错误检测和纠正事件

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￥23.22
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￥22.71
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￥22.36
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￥22.02

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型号：N01S830BAT22IT 编号：C891849

封装：TSSOP-8-3.0mm

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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￥28.42
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￥24.32
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￥21.89
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￥18.29
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￥17.78

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型号：N01S830HAT22IT 编号：C891850

封装：TSSOP-8-3.0mm

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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1+
￥33.1
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￥28.33
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￥25.49
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￥22.62
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￥21.3
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￥20.7

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型号：N01S818HAT22IT 编号：C891848

封装：TSSOP-8-3.0mm

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。

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1+
￥33.21
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￥28.42
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￥25.58
100+
￥22.7
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￥21.37
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￥20.77

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型号：25LC1024-E/MF 编号：C1349409

封装：DFN-8-EP(5x6)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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单价：
￥32.2272 / 个

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型号：N01S818HAT22I 编号：C223600

封装：TSSOP-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。

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1+
￥35.03
10+
￥30.3
30+
￥27.43
100+
￥25.01

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型号：N01S830BAT22I 编号：C603339

封装：TSSOP-8-175mil

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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1+
￥35.18
10+
￥30.1
30+
￥27.09
100+
￥24.04
500+
￥22.63
1000+
￥22

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型号：N01S830HAT22I 编号：C223573

封装：TSSOP-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

数据手册

1+
￥36.31
10+
￥31.24
30+
￥28.22
100+
￥25.17
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￥23.77
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￥23.13

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型号：25AA1024-I/MF 编号：C1349059

封装：DFN-8-EP(5x6)

25AA1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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单价：
￥31.5576 / 个

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型号：25LC1024-I/P 编号：C185524

封装：PDIP-8

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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单价：
￥31.0824 / 个

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型号：IS25LP128F-JKLE 编号：C521289

封装：WSON-8-EP(5x6)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

数据手册

105+
￥16.2538
1000+
￥14.960884

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型号：IS25LP064A-JKLE 编号：C1349823

封装：WSON-8-EP(5x6)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中，提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为用作多 I/O（参见引脚说明）

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单价：
￥10.413268 / 个

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型号：IS25WP256E-JLLE 编号：C5803542

封装：WSON-8-EP(6x8)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥26.34
10+
￥25.45
30+
￥24.85
100+
￥24.26

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型号：MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F 编号：C5330489

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F 是一款8Gb多芯片堆叠NAND Flash存储器，支持x8和x16数据宽度，具有300μs的页编程时间和2ms的块擦除时间，数据保留时间为10年。

数据手册

1+
￥70.65
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￥61.89
30+
￥56.54
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￥52.06

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型号：AS4C256M16D3C-12BIN 编号：C1012885

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 双倍数据速率 3（DDR3）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

数据手册

1+
￥80.19
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￥76.42
30+
￥69.89
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￥64.2

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型号：MB85RS64PNF-G-JNE1 编号：C1350870

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS64 是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为 8192 字×8 位，采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS64 采用串行外设接口（SPI）。

数据手册

1+
￥28.63
10+
￥27.9
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￥27.41
100+
￥26.92

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型号：MB85RS4MTPF-G-JNERE2 编号：C669469

封装：SOP-8-208mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)，无需使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³ 次读写操作，比闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提高。写入数据不像闪存或E²PROM那样需要很长时间，且无需等待时间。

1+
￥101.89
200+
￥39.43
500+
￥38.05
1000+
￥37.36

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型号：MB85RC256VPF-G-JNERE2 编号：C126728

封装：SOP-8-208mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RC256V是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为32,768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与SRAM不同，MB85RC256V无需使用数据备份电池即可保留数据。

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1+
￥12.67
10+
￥10.68
30+
￥9.43
100+
￥8.16
500+
￥7.58
1000+
￥7.33

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型号：IS61C1024AL-12JLI 编号：C412832

封装：SOJ-32