存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：FBGA-96(8x13)

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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型号：NDL16PFJ-9MIT 编号：C17616211

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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型号：N64S818HAT21I 编号：C897838

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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型号：W25Q64JVSSIQ 编号：C83140

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

64M-bit/8M-byte FLASH芯片,SPI接口 133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI) 比W25Q64FVSSIG更高速度

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型号：MT41K256M16TW-107 IT:P 编号：C367428

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。

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型号：MX35LF1GE4AB-Z4I 编号：C402160

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LFxGE4AB是一款具有串行接口的1Gb/2Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的存储单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

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型号：CAT25256VI-GT3 编号：C238492

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

数据手册

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型号：MX35LF1GE4AB-Z4ITR 编号：C2802769

封装：WSON-8(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LF1GE4AB是一款采用串行接口的1Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

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型号：24LC512T-I/SM 编号：C18091

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是一款 64k x 8（512 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信和数据采集。该设备还具备高达 128 字节数据的页写入能力，能够在 512K 边界内进行随机和顺序读取。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间可达 4 Mbit。该设备有标准的 8 引脚塑料 DIP、SOIJ、SOIC、TSSOP、DFN 和 14 引脚 TSSOP 封装。24AA512 还有 8 引脚芯片级封装。

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￥5.83
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型号：CAT25640VI-GT3 编号：C153776

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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￥2.1353
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￥1.6552
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型号：DS28E07P+T 编号：C2063921

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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型号：IS45S32200L-7BLA2 编号：C1352248

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适用于商业、工业和汽车级应用。

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￥27.23
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型号：FEMDRW016G-88A43 编号：C2841376

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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型号：CAT25160VI-GT3 编号：C512876

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件，内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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￥1.9
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型号：M24512-DFMC6TG 编号：C222237

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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型号：FEMDRW128G-88A19 编号：C719928

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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型号：NT5CC64M16GP-DI 编号：C428582

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

1Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）G 型裸片 DRAM 采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的组织形式为 16Mbit × 8 I/O × 8 存储体，或 8Mbit × 16 I/O × 8 存储体器件

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型号：FEMDRW064G-88A19 编号：C719927

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装

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型号：F35SQB004G-WWT 编号：C47994714

封装：WSON-8(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

是一款 4G 位（512Mx8 位）串行 NAND 闪存，在单 3.3V VCC 上运行。该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和 SIO3（HOLD#），支持高达 166 MHz 的 SPI 时钟频率。支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID、唯一 ID、一个参数页和 62 个 OTP 页。芯片内有一个 8 位 ECC 逻辑，默认启用，可通过命令禁用或启用。

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￥80.09
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￥76.56
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型号：BY25D80ASTIG(R) 编号：C383790

封装：SOP-8

品牌：BOYAMICRO(博雅)

8M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)。双输出数据传输速度为 108Mbit/s。设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源供电。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID。

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型号：CAT25640HU4I-GT3 编号：C890377

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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型号：FEMDRW032G-88A19 编号：C719926

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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型号：FM25Q16A-SOB-T-G 编号：C358633

封装：SOP-8-208mil

品牌：FM(复旦微)

是 16M 位（2M 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四 I/O 以及 2 时钟指令周期四外设接口 (QPI)。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI (XIP) 执行代码以及存储语音、文本和数据。可使用页面编程指令一次编程 1 到 256 字节。设计允许一次擦除单个扇区/块或执行全芯片擦除操作。可配置为在软件保护模式下保护部分内存。每个扇区或块可承受至少 100K 次编程/擦除周期。

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￥1.8657
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￥1.4777
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￥1.3113
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型号：P24C64C-UNH-MIR 编号：C2977256

封装：DFN-8-EP(3x2)

品牌：PUYA(普冉)

P24C64C是一款64Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有8K x 8位的存储阵列，每页32字节。它支持1.7V到5.5V的供电电压，工作温度范围为-40℃至125℃，最大时钟频率为1MHz。该芯片具有低功耗CMOS技术，写保护功能，自定时写周期，高可靠性和长达100年的数据保留时间。

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5+
￥0.3727
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￥0.3641
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型号：AT24C128BN 编号：C41415959

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C128B是一款独立的I2C兼容串行EEPROM芯片，总存储阵列密度为128Kbits，由256页组成，每页64字节。支持单字节写入和页写入操作，写入时间小于5ms。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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￥0.6991
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￥0.6155
5000+
￥0.6

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型号：AT24C128BM/TR 编号：C41415960

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C128B是一款独立的I2C兼容串行EEPROM芯片，总存储阵列密度为128Kbits，由256页组成，每页64字节。支持单字节写入和页写入操作，写入时间小于5ms。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：BY25Q32ESTIG(T) 编号：C50172596

封装：SOP-8-150mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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￥3.76
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￥2.38

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型号：CAT25256YI-GT3 编号：C233782

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

数据手册

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￥5.89
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￥2.87
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￥2.71

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型号：24AA32AT-I/SN 编号：C2061215

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个4K x 8位内存的单块，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多连接八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

数据手册

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￥8.368 ￥10.46
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￥6.104 ￥8.72
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￥4.662 ￥7.77
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￥4.014 ￥6.69
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￥3.726 ￥6.21
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￥3.594 ￥5.99

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型号：BY25Q256FSSIG 编号：C22391877

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

特性：串行外围接口：标准SPI为SCLK、ICS、SI、SO、WP、/HOLD；双线SPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、WP、/HOLD；四线SPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、IO2、IO3；QPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、IO2、IO3；支持双倍传输速率读取；支持3或4字节寻址模式。数据读取：普通读（串行）时钟速率为55MHz；快速读（串行）在负载电容30pF情况下时钟速率为108MHz；双线I/O数据传输速率高达216Mbits/S；四线I/O和QPI数据传输速率高达432Mbits/S；双倍传输速率四线I/O数据传输速率高达432Mbits/s；允许XIP（本地执行）操作，连续读支持8/16/32/64字节回绕。数据编程：串行输入页编程一次最多支持256字节；支持编程暂停和恢复。数据擦除：支持块擦除（64/32KB）、扇区擦除（4KB）、整芯片擦除；支持擦除暂停和恢复。编程/擦除速度：页编程时间典型值为0.6ms；扇区擦除时间典型值为50ms；块擦除时间典型值为0.15/0.25s；整芯片擦除时间典型值为80s。灵活架构：4KB扇区；32/64KB块

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￥19.57
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