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型号：25AA040/P 编号：C613736

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的 25AA040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的 SPI 兼容串行总线访问。总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。通过芯片选择 (CS) 输入控制对设备的访问。

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型号：25C040/P 编号：C613760

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的 25C040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的 SPI 兼容串行总线访问。总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。通过芯片选择 (CS) 输入控制对设备的访问。

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型号：25AA040-I/P 编号：C613735

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的 25AA040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的 SPI 兼容串行总线访问。总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。通过芯片选择 (CS) 输入控制对设备的访问。

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型号：25C040-I/P 编号：C613759

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的 25C040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的 SPI 兼容串行总线访问。总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。通过芯片选择 (CS) 输入控制对设备的访问。

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型号：25C040-E/SN 编号：C615256

封装：SOIC-8

Microchip Technology Inc. 的 25C040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的 SPI 兼容串行总线访问。总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。通过芯片选择 (CS) 输入控制对设备的访问。

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型号：25C040-E/P 编号：C613758

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的 25C040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的 SPI 兼容串行总线访问。总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。通过芯片选择 (CS) 输入控制对设备的访问。

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型号：25C080/P 编号：C613763

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的25C080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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型号：25AA080-I/P 编号：C613741

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的25AA080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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型号：25C080-I/P 编号：C613762

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的25C080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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型号：25LC080/P 编号：C613786

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的25LC080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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型号：25AA080/P 编号：C613742

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的25AA080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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型号：25LC040-I/P 编号：C613776

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的 SPI 兼容串行总线访问。总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。通过芯片选择 (CS) 输入控制对设备的访问。

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型号：W27C512-45Z 编号：C19311781

封装：PDIP-28

品牌：Winbond(华邦)

W27C512是一种高速、低功耗的电可擦除可编程只读存储器，提供电气芯片擦除功能。具有高速访问时间、低读取电流和编程/擦除电流，支持单5V供电。提供28针600mil DIP和32针330mil PLCC封装。

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型号：25AA080/SN 编号：C615241

封装：SOIC-8

Microchip Technology Inc. 的25AA080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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型号：N25S818HAS21I 编号：C897678

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

数据手册

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型号：N25S818HAT21I 编号：C897836

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

数据手册

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型号：MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR 编号：C19735637

封装：TSOPI-48

Micron 8Gb x8 NAND Flash Memory是一款单芯片封装的NAND Flash存储器，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C）。该存储器采用SLC技术，具有4320字节的页面大小，256KB + 14KB的块大小，以及2048个块/平面。支持ONFI 1.0协议，具有60,000次编程/擦除周期的耐久性和JESD47G标准的数据保留能力。

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型号：MT49H8M36SJ-25:B TR 编号：C2062137

封装：FBGA-144(11x18.5)

Micron 的 RLDRAM 2 是一种高速存储器设备，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片的 8 银行架构经过优化，可实现持续的高速运行。

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型号：MT49H8M36SJ-25E:B 编号：C2065622

封装：FBGA-144(11x18.5)

Micron 的 RLDRAM 2 是一种高速存储器设备，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片的 8 银行架构经过优化，可实现持续的高速运行。

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￥290.83
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型号：NAND32GW3F4AN6E 编号：C19529408

封装：TSOP-48

NAND32GW3F4A是一款32Gbit（4 x 8Gbit）的单级单元（SLC）NAND闪存存储器，支持4224字节页面，双芯片使能，3V供电，多平面架构。适用于高密度存储应用。

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型号：IS49RL36160-125EBL 编号：C1353414

封装：FBGA-168

IS49RL36160-125EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

数据手册

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型号：IS49RL18320-125EBL 编号：C1353440

封装：FBGA-168

IS49RL18320-125EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。

数据手册

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￥442.74
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￥171.34
500+
￥165.32
1000+
￥162.34

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型号：IS49RL36160-107BLI 编号：C1353418

封装：FBGA-168

IS49RL36160-107BLI 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

数据手册

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￥474.08
200+
￥183.47
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￥177.02
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型号：IS49RL18320-093BLI 编号：C1353586

封装：FBGA-168

IS49RL18320-093BLI 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

数据手册

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￥526
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￥203.56
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￥196.4
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￥192.87

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型号：IS49RL18320-093EBL 编号：C1353581

封装：FBGA-168

IS49RL18320-093EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。

数据手册

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￥546.57
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￥211.52
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￥204.08
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￥200.41

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型号：IS49RL36160-093EBL 编号：C1353580

封装：FBGA-168

IS49RL36160-093EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。

数据手册

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￥572.88
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￥221.7
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￥213.91
1000+
￥210.06

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型号：NDL16PFJ-8KIT 编号：C20193941

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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￥23.24
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型号：NDL16PFJ-9MET TR 编号：C17691313

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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￥24.88
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￥24.05
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