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封装：SOIC-8-208mil

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25LQ040B-JNLA3-TR 编号：C2940540

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器在简化引脚计数的封装中提供了灵活且高性能的存储解决方案。适用于空间、引脚和功率有限的系统。该设备通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，在双模式和四模式下也用作多功能I/O引脚。该系列闪存非常适合将代码映射到RAM、执行原地操作（XIP）以及存储非易失性数据

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型号：25LC512-I/P 编号：C1349146

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款512 Kbit串行EEPROM存储器，具有字节级和页面级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页面、扇区和芯片擦除功能，但字节或页面写入操作不需要这些功能。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。可以通过保持引脚（HOLD）暂停与设备的通信。当设备暂停时，除片选外，其输入上的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装可供选择，包括8引脚PDIP、SOIC和先进的8引脚DFN封装。所有封装均为无铅且符合RoHS标准。

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型号：AS4C64M16D3LB-12BIN 编号：C570205

封装：FBGA-96

品牌：Alliance Memory

1Gb 低电压双倍数据速率 3（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的结构为 8Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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型号：AS4C256M16D3LC-12BIN 编号：C1012886

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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型号：MB85RS1MTPW-G-APEWE1 编号：C2061103

封装：BGA-8(2.3x3.1)

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。

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型号：7025L20PFGI 编号：C5912462

封装：TQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高速8K x 16双端口静态随机存取存储器，可作为独立的128K位双端口随机存取存储器，或作为组合主/从双端口随机存取存储器用于32位或更多字长的系统。该设备提供两个独立端口，具有独立的控制、地址和输入/输出引脚，允许对内存中的任何位置进行独立、异步的读写访问。芯片使能（CE）控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。采用CMOS高性能技术制造，这些设备通常仅消耗750mW的功率。低功耗（L）版本提供电池备份数据保留功能，2V电池的典型功耗为500μW。采用陶瓷84引脚PGA、84引脚扁平封装、PLCC和100引脚TQFP封装。

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型号：IS25LQ040B-JULE-TR 编号：C2976733

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器在简化引脚计数的封装中提供了灵活且高性能的存储解决方案。适用于空间、引脚和功率有限的系统。该设备通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，在双模式和四模式下也用作多功能I/O引脚。该系列闪存非常适合将代码映射到RAM、执行原地操作（XIP）以及存储非易失性数据

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型号：IS25LP064A-JLLE 编号：C1349830

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多输入输出。该设备支持双输入输出和四输入输出以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：HYD2G16L3AE-B9A 编号：C19272579

封装：FBGA-96

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

2Gb 低电压双倍数据速率 3（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片组织形式为 16Mbit × 16 输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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型号：S25FL064LABMFI013 编号：C16197181

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：IS62WV25616BLL-55BLI 编号：C1351412

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、低功耗的4M位SRAM，由256K字x16位组成。采用高性能CMOS技术制造，这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，使器件具有高性能和低功耗的特点。当CS1为高电平（未选中）或CS1为低电平且LB(overline)和UB(overline)均为高电平时，器件进入待机模式，此时采用CMOS输入电平可降低功耗。通过芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写操作。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准44引脚TSOP（II型）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。

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型号：25LC1024-E/SM 编号：C1348755

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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型号：AS4C256M16D3LC-10BIN 编号：C1012884

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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型号：MB85RC64TAPN-G-AMEWE1 编号：C189905

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

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型号：IS25LP016D-JKLE-TR 编号：C5656608

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25LP016D-JNLA3-TR 编号：C6969439

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS62LV256AL-20TLI 编号：C1352060

封装：TSOPI-28-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是一款高速、低功耗的32,768字×8位静态RAM，采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现最快15 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，设备进入待机模式，在CMOS输入电平下功耗降至150 μW（典型值）。通过使用低电平有效芯片使能（CE）可轻松进行内存扩展。低电平有效写使能（WE）控制存储器的读写操作。有JEDEC标准的28引脚SOJ、28引脚SOP和28引脚TSOP（I型）封装。

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型号：IS25WP064A-JKLE 编号：C1349795

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成的 4 线 SPI 接口进行访问，也可以配置为多 I/O。该器件支持双 I/O 和四 I/O 以及标准、双输出和四输出 SPI。高达 133MHz 的时钟频率允许达到高达 532MHz（133MHz x 4）的等效时钟速率，相当于 66Mbytes/s 的数据吞吐量。IS25xR 系列闪存增加了对 DTR（双传输速率）命令的支持，该命令在时钟的两个边沿传输地址和读取数据

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型号：IS25WP128-JKLE 编号：C1349189

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能，适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。高达133MHz的时钟频率允许等效时钟速率高达532MHz（133MHz x 4），相当于66MB/s的数据吞吐量

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型号：IS25LP128F-RHLE-TR 编号：C5656631

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25WP128F-RHLA3-TR 编号：C7211289

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：S25FL064LABMFV010 编号：C2944845

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：CY7C1061G30-10BV1XI 编号：C2948709

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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型号：IS62WV2568BLL-55TLI 编号：C5741532

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的 2M 位静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字 x 8 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能、低功耗的器件。当 CS1 为高电平（未选中）或 CS2 为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时使用 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入，可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。采用 JEDEC 标准 32 引脚 TSOP（I 型）、sTSOP（I 型）和 36 引脚迷你 BGA 封装。