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25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：25AA1024T-I/SM 编号：C2653525

封装：SOIJ-8-5.28mm

是一款1024 Kbit串行EEPROM存储器，具有字节级和页面级串行EEPROM功能。还具备通常与基于闪存的产品相关的页面、扇区和芯片擦除功能，但字节或页面写入操作不需要这些功能。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过芯片选择（CS）输入控制对设备的访问。通信可以通过保持引脚（HOLD）暂停。当设备暂停时，除芯片选择外，其输入的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装，包括8引脚PDIP和SO/L，以及先进的8引脚DFN封装。所有设备都符合RoHS标准。

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型号：25LC1024-I/SM 编号：C40938

封装：SOIJ-8-5.28mm

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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型号：25AA1024-I/SM 编号：C616138

封装：SOIJ-8-5.28mm

25AA1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除指令。这些指令在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：IS62WV102416EBLL-45BLI-TR 编号：C2064146

封装：VFBGA-48(6x8)

是低功耗、16M位静态随机存取存储器，组织为1024K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的器件。当CS1为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准48引脚BGA (6mm x 8mm) 封装。

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型号：CY7C1061G30-10BVJXI 编号：C2950207

封装：VFBGA-48

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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型号：MB85RS64TPNF-G-JNERE2 编号：C189810

封装：SOP-8

是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)。无需像SRAM那样使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³次读写操作，相较于闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提升。写入数据时不像闪存或E²PROM那样需要很长时间，也无需等待时间。

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型号：MB85RC128APNF-G-JNERE1 编号：C126727

封装：SOP-8

是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，配置为 16,384 字 × 8 位，采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。与 SRAM 不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少 10¹² 次循环，在次数上明显优于闪存和 E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或 E²PROM 那样的轮询序列。

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型号：25LC512-I/SM 编号：C185540

封装：SOIJ-8-5.28mm

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：25AA1024-I/P 编号：C1349235

封装：PDIP-8

25AA1024是1024 Kbit串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能，还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能对于字节或页写入操作不是必需的。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。

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型号：S25FL064LABMFM013 编号：C2952053

封装：SOIC-8

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：S25FL064LABMFM013 编号：C22407164

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：NT5CB128M16JR-FL 编号：C2841155

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

2Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为 8 个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。这款 2Gb 芯片的组织形式为 32Mbit × 8 个输入/输出（I/O）× 8 个存储体，或 16Mbit × 16 个输入/输出 × 8 个存储体

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型号：MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126730

封装：SOP-8

MB85RC1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与静态随机存取存储器（SRAM）不同，MB85RC1MT无需使用数据备份电池即可保留数据。

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型号：NT5CC128M16JR-EKI 编号：C2904577

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

采用双倍数据速率架构实现高速运行，内部配置为八个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。2Gb芯片组织形式为32Mbit x 8 I/O x 8存储体或16Mbit x 16 I/O x 8存储体设备。这些同步设备在一般应用中可实现高达1866 Mb/sec/pin的高速双倍数据速率传输。芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟的交叉点（CK上升沿）锁存。

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型号：25LC1024-E/P 编号：C613787

封装：PDIP-8

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除指令。这些指令在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：GX2431GA 编号：C2926930

封装：SFN-2(3.5x6.5)

GX2431GA是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：GX2431G 编号：C2926929

封装：SFN-2(6x6)

GX2431是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，由四个存储器页组成，每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中，经校验无误后复制到EEPROM存储器。支持-40°C至+85°C的工作温度范围和2.8V至5.25V的工作电压。具有IEC1000-4-2 Level 4 ESD保护。

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型号：MB85RS128BPNF-G-JNERE1 编号：C126732

封装：SOP-8

MB85RS128B是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为16384字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口（SPI）。与静态随机存取存储器（SRAM）需要备用电池不同，MB85RS128B无需备用电池即可保留数据

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￥9.43
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型号：S25FL064LABMFA013 编号：C2952924

封装：SOIC-8

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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￥15.6465 ￥27.45
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￥12.9015 ￥27.45
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型号：IS25LP128F-JBLA3-TR 编号：C6969441

封装：SOIC-8-208mil

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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￥15.97

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型号：S25FL064LABNFA010 编号：C2948885

封装：WFDFN-8-EP

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

1+
￥20.6739 ￥36.27
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￥14.664 ￥31.2
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￥10.4303 ￥28.19
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￥9.3055 ￥25.15
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￥8.5507 ￥23.11

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型号：GX2431G 编号：C2979159

封装：SFN-2(6x6)

GX2431G是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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1+
￥3.95
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￥3.85
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型号：S25FL064LABNFV010 编号：C2949232

封装：WFDFN-8-EP

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（XIP）和存储可重新编程的数据。

1+
￥9.81
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￥9.57
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型号：S25FL064LABMFI003 编号：C5123273

封装：SOIC-16

赛普拉斯FL-L 器件系列是非易失性闪存存储器产品，采用浮栅技术、±65 nm光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI的一比特串行输入和输出（即单线I/O 或SIO）、可选的双比特（即双线I/O 或DIO）、四比特宽（四线I/O 或QIO）以及四线外设接口（QPI）命令，还为QIO 和QPI 提供了双倍的数据速率（DDR）读取命令，在时钟的双边沿上传送地址和读取数据。具有页编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256 个字节，并提供单独的4 KB 大小的扇区、32 KB 半块扇区、64 KB 块扇区或整个芯片擦除功能。

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￥13.63
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￥11.59
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型号：IS25LP064A-JMLE 编号：C1349157

封装：SOIC-16-300mil

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中，提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为用作多 I/O（参见引脚说明）

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￥26.7993 ￥27.07
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￥23.0571 ￥23.29
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￥20.8296 ￥21.04
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￥18.5823 ￥18.77
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￥17.5428 ￥17.72
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￥17.0775 ￥17.25

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型号：25LC512T-E/SN 编号：C615816

封装：SOIC-8

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作无需这些功能

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￥33.76
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￥33.01
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型号：DS1314S+T&R 编号：C2653356

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS1314 非易失性控制器带有电池监控功能，是一种CMOS电路，可以解决将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。该电路监测输入电源是否超出容许范围。当检测到这种状况时，会禁止芯片使能以实现写保护，并切换到电池供电，为RAM提供不间断的电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺，可以在极低的电池消耗下实现精确的电压检测。除了支持电池备份外，DS1314还执行监测锂离子电池剩余容量的重要功能，并在电池接近寿命终点前提供警告。由于锂备份电池在其大部分使用寿命中的开路电压保持相对恒定，因此准确的电池监控需要测量负载下的电池电压。DS1314通过周期性地比较电池在支持内部电阻负载时的电压与精心选择的参考电压来执行这种测量。如果在这种条件下电池电压低于参考电压，则表明电池即将到达寿命终点。因此，电池警告引脚会被激活，以信号提示需要更换电池。

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￥61.65
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￥60.3
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￥59.4
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￥49.14 ￥58.5

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型号：GX2431S 编号：C2913558

封装：SFN-2(3.5x5)

GX2431S是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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￥6.54
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型号：IS25WP128-JBLE 编号：C1349162

封装：SOIC-8-208mil