存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：DS2502P-E64+ 编号：C1349979

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

IEEEEUI-64节点地址芯片

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型号：DS2502-E48+ 编号：C1349191

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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型号：S72XS256RE0AHBH23 编号：C2064274

封装：FBGA-133(8x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：X20C16SI-35 编号：C19523125

封装：SOIC-28

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：CH424Q 编号：C2840470

封装：QFP-44(10x10)

品牌：WCH(南京沁恒)

CH424是一款容量为4000字节的FIFO存储芯片。CH424有两个8位无源并行端口：输入端口W和输出端口R。CH424通过8位数据线以及读写和片选控制线连接到DSP/MCU/MPU等控制器的系统总线

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型号：W25Q32JVSSIQ 编号：C179173

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 电源下工作,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 16,384 个可编程页面组成,每页 256 字节,一次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页一组(4KB 扇区擦除)、128 页一组(32KB 块擦除)、256 页一组(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。有 1,024 个可擦除扇区和 64 个可擦除块,小的 4KB 扇区具有很大优势。

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型号：MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 编号：C189804

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

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型号：W25Q80DVSNIG 编号：C115408

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。工作电压为 2.7V 至 3.6V 或 2.3V 至 3.6V,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 4,096 个可编程页面组成,每页 256 字节,每次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页(4KB 扇区擦除)、128 页(32KB 块擦除)、256 页(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。小的 4KB 扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性

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￥3.6394
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￥3.1609
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型号：MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 编号：C189908

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用 262,144 字 × 8 位配置，使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)，无需使用备用电池即可保留数据，存储单元可进行 10¹³ 次读/写操作，写入数据无需像闪存或 EPROM 那样等待。

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￥34.69
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￥30.03
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型号：GX2431D 编号：C2758004

封装：DFN-6

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431D是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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￥3.94
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型号：24LC64-I/SN 编号：C511260

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个8K x 8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页写能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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￥2.2493
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型号：25LC512T-I/SN 编号：C31769

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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￥10.55
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型号：GX28E01D2F 编号：C22435413

封装：DFN-6(3x3)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX28E01D2F是一款带有SHA-1引擎保护的1Kb单总线EEPROM，用于提供高度的身份验证安全性。该芯片可以处理64位和320位的SHA-1输入块密钥以及64位随机挑战和附加芯片数据。EEPROM阵列配置分为4页256位，带有一个64位暂存器来执行写操作。所有的存储器页都可以设置为写保护，其中一页可以置于EEPROM仿真模式。

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￥6.1
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型号：GX2431Q 编号：C2763593

封装：QFN-16

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431Q是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：GX2431 编号：C2926931

封装：TO-92-3

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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1+
￥4.76
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￥3.81
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￥3.33
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￥2.86
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￥2.43

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型号：25LC1024T-I/SM 编号：C616166

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在字节或页写入操作中并非必需

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￥27.06
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￥24.05
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￥20.17
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￥18.24

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型号：GX2431SP2 编号：C22435412

封装：SMD,5x3mm

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款1024位的EEPROM存储器，采用单总线接口，每颗芯片具有全球唯一的64位序列号，分为四页，每页256位。支持永久写保护或EPROM仿真模式，无需外围元器件，工作电压范围为2.5V~5.5V，读写数据温度范围为-55℃~+125℃。

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￥6.27
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￥4.99
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型号：IS25LP256H-JLLE 编号：C6062485

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256H 串行闪存存储器采用简化引脚封装，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

1+
￥24.59
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￥20.84
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￥18.61
100+
￥16.35
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￥15.31
960+
￥14.84

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型号：24LC32AT-I/SN 编号：C615715

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个单块4K x 8位存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。具有高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多连接八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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1+
￥2.51
10+
￥1.99
30+
￥1.77
100+
￥1.49
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￥1.36

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型号：MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126733

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。

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1+
￥30.18
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￥25.89
30+
￥23.34
100+
￥20.76
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￥19.57
1500+
￥19.04

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型号：24LC32AT-I/OT 编号：C616245

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该器件被组织为一个4K x 8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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1+
￥4.02
10+
￥3.15
30+
￥2.71
100+
￥2.28
500+
￥2.02

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型号：25LC1024T-E/SM 编号：C2060945

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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1+
￥20.3
10+
￥16.89
30+
￥14.86
100+
￥12.82

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型号：HG24C128BM/TR 编号：C41415962

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

该芯片是一款128Kbit EEPROM存储器，支持I2C接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C。具备硬件写保护功能，ESD防护高达4KV，写周期寿命超过1百万次，数据保留时间超过100年。

5+
￥0.6878
50+
￥0.6007
150+
￥0.5633
500+
￥0.5167
2500+
￥0.496
5000+
￥0.4835

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型号：HG24C128BN 编号：C41415961

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

该芯片是一款128Kbit EEPROM存储器，支持I2C接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C。具备硬件写保护功能，ESD防护高达4KV，写周期寿命超过1百万次，数据保留时间超过100年。

5+
￥0.8536
50+
￥0.7454
150+
￥0.6991
500+
￥0.6412
2500+
￥0.6155
5000+
￥0.6

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型号：GX2431P 编号：C472477

封装：MSOP-8

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，由四个存储器页组成，每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中，经校验无误后复制到EEPROM存储器。其特点在于，四个存储器页相互独立，可以单独设置写保护或EPROM仿真模式。通过一根1-Wire总线进行通信，通信采用标准的1-Wire协议。

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1+
￥4.87
10+
￥3.88
30+
￥3.38
100+
￥2.89

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型号：S25FL064LABMFI013 编号：C2951282

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

1+
￥10.74
10+
￥9.08
30+
￥8.04
100+
￥6.98

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型号：CY7C1049DV33-10ZSXIT 编号：C3018881

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为512K字×8位。通过低电平有效芯片使能 (CE)、低电平有效输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。可通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来写入设备。在地址引脚指定的位置上，8个IO引脚 (IO0至IO7) 上的数据将被写入

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1+
￥57.06
10+
￥51.74
30+
￥50.15

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型号：IS25LP016D-JNLE 编号：C1348801

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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1+
￥3.35
10+
￥2.66
30+
￥2.31
100+
￥1.97
500+
￥1.77
1000+
￥1.66

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型号：25AA1024T-I/SM 编号：C2653525

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款1024 Kbit串行EEPROM存储器，具有字节级和页面级串行EEPROM功能。还具备通常与基于闪存的产品相关的页面、扇区和芯片擦除功能，但字节或页面写入操作不需要这些功能。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过芯片选择（CS）输入控制对设备的访问。通信可以通过保持引脚（HOLD）暂停。当设备暂停时，除芯片选择外，其输入的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装，包括8引脚PDIP和SO/L，以及先进的8引脚DFN封装。所有设备都符合RoHS标准。

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1+
￥20.86
10+
￥17.91
30+
￥16.16

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型号：25LC1024-I/SM 编号：C40938

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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￥23.73
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