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封装：WSON-8-EP(6x8)

GigaDevice GD5F1GQ5UEYIGR是一款1Gb SLC NAND Flash，支持标准、双线、四线SPI和DTR模式。它具有高级安全特性，包括8K字节OTP区域和内部ECC。页面大小为2048字节+128字节，典型编程时间为400us，典型擦除时间为3ms。工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40°C至85°C。

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1+
￥55.11
10+
￥48.21
30+
￥44
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￥33

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型号：MT29F2G08ABAEAH4-IT:E 编号：C395385

封装：VFBGA-63

品牌：micron(镁光)

Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 是一款高性能的闪存设备，支持异步接口，具有单层单元 (SLC) 技术。该设备提供 2112 字节的页面大小，每个块包含 64 个页面，总共有 2048 个块。支持 1.8V 和 3.3V 供电电压，工业温度范围为 -40°C 到 +85°C。

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￥85.27
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￥81.83
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型号：W66DP2RQQAGJ 编号：C46681826

封装：TFBGA-200(10x14.5)

品牌：Winbond(华邦)

30+
￥155.51
900+
￥148

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型号：KLMBG2JETD-B041 编号：C2803245

封装：FBGA-153

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V的电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

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￥300.47
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￥266.4

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型号：MT40A512M16LY-062E IT:E 编号：C2891577

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V-125mV / + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内的刷新时间: -40°C至85°C时为64ms。85°C至95°C时为32ms

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1+
￥453.11
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￥360.43

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型号：MT40A1G16TB-062E:F 编号：C20561900

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

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￥814.41
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￥770.09

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型号：24C01BN(XBLW) 编号：C18723541

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C01是一款1024位（1K位）的串行EEPROM，组织为256个8位字。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工作温度范围为-40°C至85°C。具有标准的2线双向串行接口。

20+
￥0.20159 ￥0.2122
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￥0.15542 ￥0.1636
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￥0.12977 ￥0.1366
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￥0.11438 ￥0.1204
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￥0.100985 ￥0.1063
20000+
￥0.09386 ￥0.0988

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型号：ZD24C16A-SSGMB 编号：C918268

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C16A是一款兼容I2C协议的16K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

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10+
￥0.415
100+
￥0.3391
300+
￥0.2911
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￥0.2551
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￥0.2263
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￥0.2119

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型号：AT24C16D 编号：C7432022

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AT24C16D是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，存储容量为2048字节，分为128页，每页16字节。具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制等领域。

10+
￥0.4395
100+
￥0.3532
300+
￥0.3101
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￥0.2777
4000+
￥0.2518
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￥0.2389

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型号：BL24C256A-SFRC 编号：C110276

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C256A 是一种256Kbits的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件写保护功能，适用于工业和商业应用。

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5+
￥0.8815
50+
￥0.694
150+
￥0.6003
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￥0.53
3000+
￥0.4737
6000+
￥0.4456

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型号：AT24C128M/TR 编号：C356707

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为4096个8位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，适用于低功耗和低成本操作，采用8引脚MSOP封装，并通过两线串行接口访问。

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5+
￥0.954
50+
￥0.7449
150+
￥0.6553
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￥0.5435
2500+
￥0.4863
5000+
￥0.4564

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型号：M24C64-WMN6TP 编号：C7999

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥1.347
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￥1.0678
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￥0.9481
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￥0.7988
2500+
￥0.7324

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型号：CAT24C04WI-GT3 编号：C71194

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 32 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。

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5+
￥1.9458
50+
￥1.5189
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￥1.336
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￥1.1077
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￥0.9589
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￥0.8979

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型号：24LC04BT-I/SN 编号：C511263

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx04是一款4 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个256×8位的存储块组成，具备两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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5+
￥2.3869
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￥1.9737
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￥1.7967
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￥1.5757
3300+
￥1.4774

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型号：AT24C02D-MAHM-T 编号：C461609

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V 至 3.6V。内部组织为 128 × 8 (1K) 或 256 × 8 (2K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I²C 兼容（两线）串行接口:100kHz 标准模式，1.7V 至 3.6V

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5+
￥2.5306
50+
￥2.0269
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￥1.811
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￥1.4914
2500+
￥1.3714

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型号：M24256-BWMN6TP 编号：C118279

封装：SOIC-8-150mil

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

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1+
￥3.03
10+
￥2.43
30+
￥2.18
100+
￥1.86
500+
￥1.61
1000+
￥1.52

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型号：W25X40CLSSIG-TR 编号：C164122

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25X40CL（4M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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1+
￥5.51
10+
￥4.86
30+
￥4.53
100+
￥4.2
500+
￥4.01
1000+
￥3.9

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型号：W25Q20EWUXIE TR 编号：C401660

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q20EW（2M 位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q 系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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1+
￥6.24
10+
￥5.33
30+
￥4.87
100+
￥4.42
500+
￥4.14
1000+
￥4

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型号：AT45DB041E-SHN-T 编号：C63570

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

4-Mbit(500K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.65V to 3.6V

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1+
￥6.72
10+
￥5.62
30+
￥5.08
100+
￥4.53
500+
￥3.8
1000+
￥3.63

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型号：GD25Q32CSIGR 编号：C318845

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。

数据手册

1+
￥8.19
10+
￥6.81
30+
￥6.05
100+
￥5.19
500+
￥4.43
1000+
￥4.25

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型号：MX25V1635FZUI 编号：C6330274

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。支持唯一ID和安全OTP。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口模式0和模式3。具有16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或64K字节，任何块都可单独擦除。单电源供电，读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护电流为100mA

1+
￥10.36
10+
￥8.67
30+
￥7.74
100+
￥6.68
500+
￥6.22
1000+
￥6

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型号：W25Q32JVSNIQ 编号：C5355146

封装：SOIC-8-150mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作。

1+
￥10.48
10+
￥9.13
30+
￥8.38
100+
￥7.55
500+
￥7.17
1000+
￥7

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型号：MX25R3235FM1IL0 编号：C2802824

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位(双I/O模式)结构或8,388,608 x 4位(四I/O模式)结构。每个扇区为4K字节,每个块为32K字节或64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源操作

1+
￥10.63
10+
￥8.44
30+
￥7.24
100+
￥5.88
500+
￥5.28
1000+
￥5

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型号：FM25V10-GTR 编号：C44173

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V10是一款1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。它支持SPI接口，最高时钟频率为40MHz，适用于需要频繁写入的应用。

数据手册

1+
￥39.6
10+
￥34.4
30+
￥29.22
100+
￥26.09
500+
￥24.65
1000+
￥24

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型号：MT25QL128ABA1ESE-0SIT 编号：C41359590

封装：SOP-8-208mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高达90 MB/s。STR和DTR均支持的协议:扩展I/O协议

1+
￥40.28
10+
￥34.43
30+
￥30.87
100+
￥27.88

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型号：MX25L51245GZ2I-08G 编号：C2803021

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：先进的扇区保护功能（实体保护和密码保护）。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。支持DTR（双倍传输速率）模式。支持高达166MHz的时钟频率。支持串行外设接口

数据手册

1+
￥58.68
10+
￥52.23
30+
￥48.3
100+
￥45

有货

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型号：MT48LC16M16A2P-6A IT:G 编号：C26393

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：micron(镁光)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥80.39
10+
￥76.72
30+
￥62.79
100+
￥57.24

有货

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型号：MT41J128M16JT-125:K 编号：C426885

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。差分双向数据选通。 8n位预取架构

数据手册

1+
￥84.16
10+
￥73.49
30+
￥66.99
100+
￥56.14

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型号：SDINBDG4-8G 编号：C577444

封装：BGA-153

品牌：SANDISK(闪迪)

数据手册

1+
￥202.52
30+
￥190

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型号：MKDV32GCL-STPA 编号：C47118466

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV32GCL-STH/MKDV32GCL-STPA升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥275.31 ￥289.8
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￥261.668 ￥275.44

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