存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23-5

是一款2 Kbit电可擦除PROM。该器件由两个128×8位存储器块组成，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，I温度下的最大待机电流仅为1μA，E温度下为5μA，最大工作电流为1 mA。还具备最多八字节数据的页写能力（24AA025E48/24AA025E64为16字节）。有标准8引脚SOIC、5引脚SOT-23和6引脚SOT-23封装可供选择。

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.8
30+
￥2.46
100+
￥2.11
500+
￥2.04
1000+
￥1.93

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型号：K4F6E3S4HM-MGCJ 编号：C2842431

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥440.44
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￥319.72

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型号：AD24C32 编号：C5125084

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C32是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，具有4096字节的存储容量，支持1.8V至5.5V的工作电压，适用于多种应用场景，如智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子和通信设备等。

数据手册

5+
￥0.3924
50+
￥0.3464
150+
￥0.3234
500+
￥0.3061
2500+
￥0.2611
4000+
￥0.2542

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型号：AT24C16 编号：C7507361

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款EEPROM元器件采用I2C接口，提供16Kbit存储容量，适应400kHz至1MHz的时钟频率。其工作电压范围为1.8V至5.5V，确保了良好的兼容性和稳定性。适用于多种设备，如通信设备、医疗设备，满足数据存储与管理的需求。

5+
￥0.4546
50+
￥0.3639
150+
￥0.3185
500+
￥0.2845
2500+
￥0.2363
4000+
￥0.2227

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型号：FM24C16D-SO-T-G 编号：C285241

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C16D是一款16K位2线串行EEPROM，具有128位唯一ID和16字节安全区域。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为40年。

数据手册

5+
￥0.6106
50+
￥0.4863
150+
￥0.4241
500+
￥0.3775
2500+
￥0.3402
4000+
￥0.3216

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型号：24LC01BT-I/OT 编号：C511269

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx01是1 Kbit电可擦除PROM。该器件被组织为一个128x8位的存储块，具有2线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。

数据手册

5+
￥1.8029
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￥1.3975
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￥1.2238
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￥1.007
3000+
￥0.9105
6000+
￥0.8526

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型号：ZD24C512A-SSGMB 编号：C918274

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C512A提供512K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536个8位字。支持低电压操作（1.7V至5.5V），兼容所有I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚允许硬件数据保护，高可靠性，数据保留时间为100年，写周期寿命为400万次。

数据手册

5+
￥1.8318
50+
￥1.4272
200+
￥1.2537
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￥1.0374
2500+
￥0.941
5000+
￥0.8832

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型号：CAT24C04WI-GT3 编号：C71194

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 32 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.8453
50+
￥1.4378
150+
￥1.2632
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￥1.0453
3000+
￥0.9032
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￥0.845

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型号：24AA02T-I/OT 编号：C478090

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

5+
￥2.0128
50+
￥1.5642
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￥1.372
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￥1.1321
3000+
￥1.0253

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型号：M95256-WMN6TP 编号：C221504

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

1+
￥2.69
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￥2.12
30+
￥1.87
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￥1.57
500+
￥1.28
1000+
￥1.2

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型号：93LC56BT-I/OT 编号：C190271

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX56A/B/C 器件是 2Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA56C、93LC56C 或 93C56C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX56A 器件；而 93XX56B 器件则提供专用 16 位通信

数据手册

1+
￥2.75
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￥2.14
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￥1.87
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￥1.54
500+
￥1.4
1000+
￥1.31

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型号：GD25Q80CTIGR 编号：C395464

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

C版本是8寸的晶元，65纳米的工艺

数据手册

1+
￥3.37
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￥2.66
30+
￥2.36
100+
￥1.98
500+
￥1.82
1000+
￥1.71

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型号：W25X20CLUXIG-TR 编号：C164121

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了远超普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于代码下载应用以及存储语音、文本和数据。器件在2.3V至3.6V单电源下工作，工作电流低至1mA，掉电电流低至1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由1024个可编程页面组成，每个页面256字节，每次最多可编程256字节。具有64个可擦除扇区、2/4/8个可擦除32KB块和4个可擦除64KB块

数据手册

1+
￥4.47
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￥3.7
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￥3.37
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￥2.9304 ￥2.96
500+
￥2.5938 ￥2.62
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￥2.475 ￥2.5

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型号：W25Q80DVUXIE 编号：C401667

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q80DV（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥4.77
10+
￥3.93
30+
￥3.51
100+
￥3.1
500+
￥2.63
1000+
￥2.5

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型号：GD25Q128ESIG 编号：C2758105

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q128E（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

数据手册

1+
￥9.88
10+
￥8.44
30+
￥7.65
95+
￥5.58
475+
￥5.18
1045+
￥5

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型号：W25Q64JWUUIQ 编号：C6604692

封装：USON-8(3x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

1+
￥10.13
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￥8.91
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￥8.25
100+
￥7.49
500+
￥7.16
1000+
￥7

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型号：W25Q64JVXGIQ 编号：C2940195

封装：XSON-8-EP(4x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥10.16
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￥8.95
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￥8.34
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￥7.74
500+
￥6.99
1000+
￥6.8

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型号：GD25Q256EWIGR 编号：C6564321

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1+
￥17.99
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￥15.28
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￥13.58
100+
￥11.85
500+
￥11.06
1000+
￥10.72

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型号：W9812G6KH-6 编号：C62379

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

128-Mbit(8M × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥18.49
10+
￥16.43
30+
￥15.15
108+
￥12.86
540+
￥12.26
864+
￥12

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型号：XT26G01CWSIGA 编号：C2833378

封装：WSON-8(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

XT26G01C是一款1G-bit SPI NAND Flash存储器，支持标准SPI、双SPI和四SPI接口。该存储器具有高级写保护机制，适用于高可靠性应用。它支持单级单元(SLC)技术，页编程时间为450μs，块擦除时间为4ms，读取速度高达104MHz。

数据手册

1+
￥33.54
10+
￥29.53
30+
￥27.15
100+
￥23.56
480+
￥22.45
960+
￥21.95

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型号：GD5F1GQ5UEYIGR 编号：C2829047

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GigaDevice GD5F1GQ5UEYIGR是一款1Gb SLC NAND Flash，支持标准、双线、四线SPI和DTR模式。它具有高级安全特性，包括8K字节OTP区域和内部ECC。页面大小为2048字节+128字节，典型编程时间为400us，典型擦除时间为3ms。工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40°C至85°C。

数据手册

1+
￥33.55
10+
￥29.53
30+
￥27.14
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￥20.98
500+
￥19.86
1000+
￥19.36

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型号：W989D6DBGX6I 编号：C2641243

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

低功耗同步内存，包含536,870,912个存储单元，采用高性能工艺技术制造。设计功耗低于普通SDRAM，具备低功耗特性，适用于电池供电的应用。有两种组织形式：4,194,304字×4个存储体×32位或8,388,608字×4个存储体×16位。以完全同步模式运行，输出数据与系统时钟的正边沿同步，能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。支持部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）等特殊低功耗功能。

数据手册

1+
￥40.2
10+
￥39.69
30+
￥39.35
100+
￥38.61 ￥39

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型号：MKDN256GCL-ZA 编号：C2913169

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，采用LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商业级应用。Nano SD NAND 包含NAND闪存和高性能控制器，支持SD3.0接口，工作电压为3.3V。

数据手册

1+
￥162.925 ￥171.5
30+
￥148.6655 ￥156.49

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型号：K4A8G165WB-BCRC 编号：C2803252

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥227.16
30+
￥220.28

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型号：MT40A512M16TB-062E:R 编号：C2887392

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O

数据手册

1+
￥251.64
30+
￥240.67

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型号：K4UBE3D4AB-MGCL 编号：C5827966

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥11498.85
10+
￥10998.9
50+
￥10798.92

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型号：24C02N(XBLW) 编号：C18723548

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C02是一款2048位串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供多种封装选项，包括8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP、8引脚DFN和5引脚SOT-23/TSOT-23。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。