存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT24CM02-SSHM-T 编号：C779670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 262,144 x 8（2 Mbit）。工业温度范围：-40°C 至 +85°C

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1+
￥19.83
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￥16.97
30+
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￥12.28
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￥11.09

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型号：CAT24C256YI-GT3 编号：C146734

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256是一款256kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为32,768个8位字。支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速加（1MHz）I2C协议。具有硬件写保护、低功耗CMOS技术、工业和扩展温度范围。

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￥3.67
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￥2.93
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￥2.61
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￥2.03
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型号：BY25Q128ASSIG(R) 编号：C383794

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25Q128AS是一款128M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。双I/O数据传输速度为240Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbit/s。该器件采用2.7V至3.6V的单低压电源供电

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￥5.23
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￥4.4
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￥3.81
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型号：W25Q16JWXHIQ 编号：C2835333

封装：XSON-8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JW（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥6.93
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￥5.94
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￥5.44
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型号：M95M01-RMN6TP 编号：C111166

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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￥7.22
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￥5.94
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型号：W25Q64JVSSIM 编号：C5362615

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥9.44
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￥8.28
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￥6.45
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型号：W25Q128JVEIQ 编号：C401662

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

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1+
￥12.09
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￥10.56
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￥9.6
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￥8.62
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￥7.7
960+
￥7.5

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型号：W25Q128JVFIQ 编号：C111478

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥13.98
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型号：W25Q128JWSIQ 编号：C2763561

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JW（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码以及存储语音……（原文“voi”后内容不完整）

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￥14.68
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990+
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型号：IS42S16400J-6TLI 编号：C2897490

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为166MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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￥15.4
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￥12.99
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￥11.49
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￥9.47
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￥8.77
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型号：W25Q128FVSIG 编号：C571265

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码 (XIP) 以及存储语音、文本和数据。该器件在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作，工作电流低至 4mA，掉电电流低至 1μA。

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1+
￥17.02
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￥14.78
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￥13.37
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￥11.94
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￥11.29
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￥11

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型号：DS28EC20+ 编号：C722465

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

1+
￥27.06
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￥23.15
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￥20.82
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型号：IS61WV25616EDBLL-10TLI 编号：C883296

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥29.78
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￥25.08
30+
￥22.28
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￥19.45
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￥18.15
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￥17.56

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型号：IS62WV51216EBLL-45TLI 编号：C1348903

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216EALL/IS62WV51216EBLL 是高速 8M 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 512K 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥34.29
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￥29.87
30+
￥26.12
135+
￥23.46
540+
￥22.23
945+
￥21.68

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型号：MKDV4GIL-AST 编号：C26159626

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV4GIL-AS的升级款，4Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV4GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C10；IOPS R/W 1633/90；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；

1+
￥35.76
10+
￥30.96
30+
￥28.04
100+
￥25.59

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型号：IS62WV51216BLL-55TLI-TR 编号：C2064581

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥45.05
10+
￥38.78
30+
￥33.51
100+
￥29.74
500+
￥28
1000+
￥27.22

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型号：W25Q512JVFIQ 编号：C2962011

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。

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1+
￥45.47
10+
￥40.57
30+
￥35.51
100+
￥33

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型号：W631GU6NB-11 编号：C3034990

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥46.53
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￥42.73
30+
￥39.09
198+
￥36.4419 ￥36.81
594+
￥35.3925 ￥35.75
990+
￥34.9272 ￥35.28

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型号：MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR 编号：C2062650

封装：W-PDFN-8-EP(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

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1+
￥51.2
10+
￥45.16
30+
￥41.48
100+
￥38.39

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型号：FM25V20A-GTR 编号：C466857

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持高速SPI接口，最高频率可达40 MHz。适用于需要频繁写入的应用场景，如数据采集和工业控制。

数据手册

1+
￥53.69
10+
￥45.91
30+
￥41.18
100+
￥37.2

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型号：EPCQ16ASI8N 编号：C467192

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

FPGA-配置存储器

数据手册

1+
￥56.16
10+
￥49.02
30+
￥44.67
100+
￥41.02

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型号：MKDV16GCL-STP 编号：C19192127

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥80.8925 ￥85.15
10+
￥77.064 ￥81.12
30+
￥70.433 ￥74.14
100+
￥64.6475 ￥68.05

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型号：MKEMF032GT1E-C 编号：C22374386

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型TLC,32GB eMMC,11.5x13mm,-25°C to +85°,CLDPC纠错,极大提升了产品的可靠性（相比BCH纠错，LDPC的能力提升一倍）,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况

1+
￥171.7
30+
￥163.53

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型号：H9HCNNNBKUMLXR-NEE 编号：C21912322

封装：FBGA-200(10x15)

品牌：HYNIX(海力士)

LPDDR4 - SDRAM是一种高速同步DRAM器件，内部配置有1个或2个通道。单通道由8个存储体组成，每通道密度为1 Gb至16 Gb。双通道由8个存储体组成，每通道密度为2 Gb至32 Gb

1+
￥369.93
30+
￥358.61

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型号：JSM24C02 编号：C2857178

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM24C02/04/08/16系列提供2048/4096/8192/16384位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256/512/1024/2048个8位字。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。

数据手册

10+
￥0.31008 ￥0.3876
100+
￥0.24576 ￥0.3072
300+
￥0.2136 ￥0.267
1000+
￥0.18944 ￥0.2368
4000+
￥0.15584 ￥0.1948
8000+
￥0.14616 ￥0.1827

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型号：ZD24C08A-SSGMB 编号：C918266

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款兼容I2C协议的8K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

数据手册

10+
￥0.3498
100+
￥0.2779
300+
￥0.2314
1000+
￥0.2044
5000+
￥0.1829
10000+
￥0.1721

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型号：AD24C32 编号：C5125084

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C32是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，具有4096字节的存储容量，支持1.8V至5.5V的工作电压，适用于多种应用场景，如智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子和通信设备等。

数据手册

5+
￥0.3924
50+
￥0.3464
150+
￥0.3234
500+
￥0.3061
2500+
￥0.2611
4000+
￥0.2542

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型号：24C16S(XBLW) 编号：C41408503

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C16是一款16,384位的串行EEPROM，组织为2,048个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供多种封装选项，包括8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP、8引脚DFN、6引脚DFN和5引脚SOT-23。标准2线串行接口用于所有读写功能。