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封装：SOIC-8

的AT25320B/640B提供32,768/65,536位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为4,096/8,192个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25320B/640B采用节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8引脚UDFN、8引脚XDFN和8球VFBGA封装

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￥4.07
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￥3.32
30+
￥2.95
100+
￥2.58
500+
￥2.36
1000+
￥2.25

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型号：AT24C02D-XHM-T 编号：C125973

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01D/02D 提供 1024/2048 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个字，每个字 8 位。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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5+
￥1.504
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￥1.1865
150+
￥1.0504
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￥0.8806
2500+
￥0.805
5000+
￥0.7596

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型号：M24C02-RDW6TP 编号：C152731

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥1.6519
50+
￥1.3561
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￥1.2294
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￥1.0712
2500+
￥1.0008
4000+
￥0.9585

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型号：24LC16BT-I/SN 编号：C5456

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA16/24LC16B（24xx16*）是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由8个256x8位的存储块组成，采用两线串行接口。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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5+
￥1.7522
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￥1.3792
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￥1.2193
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￥0.9342

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型号：AT24C02D-STUM-T 编号：C79996

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01D/02D 提供 1024/2048 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个字，每个字 8 位。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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5+
￥1.9119
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￥1.4986
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￥1.3215
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￥1.1005
2500+
￥1.0021

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型号：CAT93C86VI-GT3 编号：C238493

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT93C86 是一款 16-Kb 串行 EEPROM 内存器件，可配置为 16 位寄存器（VCC 处的 ORG 引脚）或 8 位寄存器（GND 处的 ORG 引脚）。每个寄存器均可使用 DI（或 DO）引脚进行串行写入（或读取）。CAT93C86 具有一个自计时内部写入，带自动清除。片上接通电源重置电路会保护内部逻辑不会以错误状态通电。

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5+
￥2.234
50+
￥1.7578
150+
￥1.5536
500+
￥1.2031
3000+
￥1.0897
6000+
￥1.0216

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型号：AT24C02D-MAHM-T 编号：C461609

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V 至 3.6V。内部组织为 128 × 8 (1K) 或 256 × 8 (2K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I²C 兼容（两线）串行接口:100kHz 标准模式，1.7V 至 3.6V

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5+
￥2.3392
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￥1.8586
150+
￥1.6526
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￥1.3476
2500+
￥1.2332
5000+
￥1.1645

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型号：CAT24C512YI-GT3 编号：C56096

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512 是一款 EEPROM 串行 512-Kb I2C，内部组织为 65,536 个词，每个词 8 位。它具有 128 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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1+
￥3.99
10+
￥3.21
30+
￥2.83
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￥2.44
500+
￥2.07
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￥1.95

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型号：GD25Q80ETIGR 编号：C2833050

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

E版本用的是12寸的晶元，55纳米的工艺

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1+
￥4.62
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￥3.87
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￥3.55
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￥3.14
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￥1.92
1000+
￥1.81

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型号：25LC256T-I/SN 编号：C188247

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25xxx256*) 是 256 Kbit 串行电可擦除 PROM。通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入 (SCK) 加上单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

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1+
￥6.04
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￥4.83
30+
￥4.22
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￥3.62
500+
￥3.26
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￥3.08

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型号：CAT24M01WI-GT3 编号：C62273

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

数据手册

1+
￥6.21
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￥4.99
30+
￥4.37
100+
￥3.77
500+
￥3.2
1000+
￥3.02

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型号：W25Q64JVSFIQ TR 编号：C2456207

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥6.52
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￥6.43
30+
￥6.37
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￥6.237 ￥6.3

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型号：W25Q32JVSNIQ 编号：C5355146

封装：SOIC-8-150mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作。

1+
￥8.25
10+
￥7.33
30+
￥6.87
100+
￥6.42
500+
￥6.15
1000+
￥6

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型号：W25Q128JVSIM TR 编号：C401671

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性。

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2+
￥11.97
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￥10.23
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￥9.28
200+
￥8.2
1000+
￥7.72
2000+
￥7.5

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型号：M95M04-DRMN6TP 编号：C1852765

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

4-Mbit 串行 SPI 总线 EEPROM

数据手册

1+
￥12.83
10+
￥11.72
30+
￥10.5
100+
￥9.79
500+
￥9.47
1000+
￥9.34

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型号：W9425G6KH-5 编号：C62381

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：2.5V±0.2V

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1+
￥30.65
10+
￥28.17
30+
￥26.62
108+
￥24.7797 ￥25.03
540+
￥24.0768 ￥24.32
864+
￥23.76 ￥24

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型号：MKDV8GCL-ABF 编号：C51966233

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥39.7385 ￥41.83
10+
￥34.2475 ￥36.05
30+
￥30.894 ￥32.52
100+
￥28.0915 ￥29.57

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型号：MT47H32M16NF-25E IT:H 编号：C401000

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

512Mb DDR2 SDRAM，支持X4, X8, X16配置，具有4n位预取架构，支持差分时钟和数据选通。提供多种速度等级和封装选项，支持工业温度。

数据手册

1+
￥42.01
10+
￥37.32
30+
￥34.47
100+
￥32.08

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型号：W664GG6RB-06 编号：C41866572

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥61.95
10+
￥53.96
30+
￥49.09
100+
￥45

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型号：MKDV32GCL-STP 编号：C7500179

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV32GCL-STH升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 6万次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥87.7135 ￥92.33
10+
￥83.5905 ￥87.99
30+
￥76.456 ￥80.48
100+
￥70.243 ￥73.94

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型号：W66DP2RQQAGJ 编号：C46681826

封装：TFBGA-200(10x14.5)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥146.6
30+
￥140

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型号：SDINBDG4-16G 编号：C2830396

封装：BGA-153(11.5x13)

品牌：SANDISK(闪迪)

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1+
￥165.85
10+
￥160.33
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￥145.87
100+
￥137.52

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型号：24C02-HXY 编号：C7427344

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

24C02是一款低电压低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C到85°C。具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8 (2K)，标准2线双向串行接口，自定时编程周期（最大5ms），1 MHz (2.5-5V)，400 kHz (1.8V)兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护，高可靠性（通常1,000,000次耐久性），100年数据保留。

10+
￥0.2337 ￥0.246
100+
￥0.191045 ￥0.2011
300+
￥0.16967 ￥0.1786
1000+
￥0.153615 ￥0.1617
4000+
￥0.123975 ￥0.1305
8000+
￥0.117515 ￥0.1237

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型号：BL24C02F-PARC 编号：C176653

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C02F提供2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个字节，每个字节8位。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。

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10+
￥0.3616
100+
￥0.2913
300+
￥0.2561
2500+
￥0.2297
5000+
￥0.2086
10000+
￥0.198

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型号：AT24C32N 编号：C434601

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C32 / AT24C64提供32,768 / 65,536位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为4096 / 8192个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。AT24C32 / AT24C64采用节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP和8引脚MSOP封装，通过两线串行接口进行访问

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