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封装：SOP-8

AT24C02是一款2048位的2线串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它支持1.8V到5.5V的工作电压范围，并且在工业温度范围内（-40°C至85°C）工作。该器件具有16字节的页写模式，标准2线双向串行接口，以及5ms的最大自定时编程周期。它还具有高达1,000,000次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

10+
￥0.2954
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￥0.2442
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￥0.2186
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￥0.1994
4000+
￥0.1532
8000+
￥0.1455

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型号：MKDV16GIL-STPA 编号：C20607687

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥298.0055 ￥313.69
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￥283.366 ￥298.28

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型号：24C16BN(XBLW) 编号：C18723545

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C16是一款16K位的串行EEPROM，采用8位宽的存储结构，支持标准2线双向串行接口。该设备适用于低电压和低功耗应用，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。

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￥0.27189 ￥0.2862
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￥0.23047 ￥0.2426
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￥0.209665 ￥0.2207
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￥0.19418 ￥0.2044
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￥0.181735 ￥0.1913
8000+
￥0.175465 ￥0.1847

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型号：BL24C16F-PARC 编号：C2828223

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C16F提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为2048个字节。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。写保护引脚允许在接地时进行正常读写操作，连接到Vcc时启用写保护。

数据手册

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￥0.4747
100+
￥0.3931
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￥0.3523
2500+
￥0.3132
5000+
￥0.2887
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￥0.2765

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型号：FT24C16A-KLR-T 编号：C5263774

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C16A是一款16,384位的串行EEPROM，支持标准的2线双向串行接口。它具有低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.7V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。该器件支持16字节页写模式，具有自定时编程周期（最大5ms），1 MHz（2.5-5V）和400 kHz（1.7V）兼容性，以及100年的数据保留能力。

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￥0.5609
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￥0.4553
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￥0.4025
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￥0.3629
3000+
￥0.318
6000+
￥0.3021

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型号：BL24C32A-NTRC 编号：C691878

封装：UDFN-8L-EP(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C32A是一款32K位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持I2C双向数据传输协议。具备页写入功能，硬件数据保护，高可靠性，增强ESD/闩锁保护，随机和顺序读模式。

数据手册

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￥0.7407
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￥0.5189
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￥0.4635
3000+
￥0.4191
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￥0.3969

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型号：AT24C02C-STUM-T 编号：C94534

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 128 × 8 (1K) 或 256 × 8 (2K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。 I²C 兼容（两线）串行接口: -100kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

数据手册

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￥2.74
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￥2.19
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￥1.96
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￥1.67
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￥1.52
1000+
￥1.45

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型号：ZD24C512A-SSGMT 编号：C2896788

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C512A提供512K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536个8位字。支持低电压操作（1.7V至5.5V），兼容所有I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚允许硬件数据保护，高可靠性，数据保留时间为100年，写周期寿命为400万次。

数据手册

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￥2.83
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￥2.22
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￥1.96
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￥1.64
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￥1.5
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￥1.37

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型号：BL24CM1A-PARC 编号：C414060

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24CM1A是一款1Mbit (131072 x 8)的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，提供高达4百万次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

数据手册

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￥3.17
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￥2.52
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￥2.24
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￥1.89
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￥1.67
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￥1.58

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型号：24LC64T-I/OT 编号：C511267

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/ 24FC64 (24)xx64是一个64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个单块8Kx8位存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3 mA。

数据手册

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￥3.52
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￥2.82
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￥2.47
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￥2.12
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￥1.91
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￥1.8

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型号：CAT24C256HU4IGT3 编号：C233771

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C，内部组织为 512 页，每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

数据手册

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￥4.13
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￥3.28
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￥2.86
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￥2.45
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￥2.2
1000+
￥2.07

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型号：GD25Q32ESIGR 编号：C2832998

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

数据手册

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￥6.47
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￥5.65
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￥5.08
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￥4.6

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型号：FM24CL16B-GTR 编号：C31082

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24CL16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用2Kx8组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间和低功耗。支持最高1MHz的I2C接口，适用于频繁写入的应用场景。

数据手册

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￥7.49
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￥6.63
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￥5.82
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￥5.22
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￥4.98
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￥4.85

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型号：ZD25Q128CSIGT 编号：C19626875

封装：SOP-8-208mil

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,128Mbit,2.7~3.6V,SOP-8-208mil,Tube

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￥7.69
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￥6.43
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￥5.73
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￥4.71
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￥4.36
960+
￥4.2

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型号：M95M01-RMN6TP 编号：C111166

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

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￥7.72
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￥5.24

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型号：GD25Q64ESIGR 编号：C2831359

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

数据手册

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￥9.68
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￥8.64
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￥7.65
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￥6.91
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￥4.55
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型号：FM24W256-GTR 编号：C66020

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、快速2线串行接口（I2C），支持高达1 MHz的频率，低功耗，宽电压范围（2.7V至5.5V），工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，如数据记录和工业控制。

数据手册

1+
￥22
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￥18.73
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￥16.79
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￥14.82
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￥13.91
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￥13.5

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型号：FM25W256-GTR 编号：C23520

封装：SOIC-8-150mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用32K x 8的逻辑组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写），151年的数据保持能力，无延迟写入，非常快的SPI接口（最高20 MHz），低功耗，宽电压范围（2.7V至5.5V），以及工业温度范围（-40°C至+85°C）。

数据手册

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￥31.17
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￥25.01
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￥20.56
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￥19.49
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￥19

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型号：MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2891523

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 512 块

数据手册

1+
￥49.5
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￥43.99
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￥40.72
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￥34.22
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￥32.69
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￥32

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型号：MT29F2G01ABAGDWB-IT:G 编号：C410863

封装：U-PDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元 (SLC) 技术。2Gb 密度。页面大小 x1：2176 字节 (2048 + 128 字节)。块大小：64 页 (128K + 8K 字节)。平面大小：2Gb (2 个平面，每个平面 1024 个块)。标准和扩展 SPI 兼容串行总线接口

数据手册

1+
￥54.23
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￥46.16
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￥41.23
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￥37.11

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型号：FM31256-GTR 编号：C24383

封装：SOIC-14_150mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM31256-GTR 是一款集成处理器伴生器件，集成了非易失性存储器、实时时钟、低电压复位、看门狗定时器、非易失事件计数器、锁定的64位序列号区域和通用比较器。该器件支持多种功能，包括早期电源失效警告、系统入侵检测等。存储器容量为256Kb，支持I2C接口，最大总线频率为1 MHz。

数据手册

1+
￥65
10+
￥56.49
30+
￥43.44
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￥39.1

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型号：MT29F4G08ABAEAWP-IT:E 编号：C97456

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构:页面大小：x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备大小：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能:随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

1+
￥71.09
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￥67.53
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￥61.37
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￥55.99

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型号：K4A4G165WF-BCTD 编号：C2803249

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

数据手册

1+
￥78.7
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￥74.65
30+
￥67.63
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￥61.5

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型号：W25N04KVZEIR 编号：C5342170

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存，支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构，每个块大小为128KB，总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟，提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。

40+
￥80.66
400+
￥73.28
960+
￥68.78
3840+
￥65

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型号：IS61WV51216EDBLL-10TLI 编号：C57407

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

数据手册

1+
￥89.05
10+
￥77.56
30+
￥70.57
135+
￥64.7

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型号：THGBMUG6C1LBAIL 编号：C7509349

封装：BGA-153(13X11.5)

品牌：KIOXIA(铠侠)

集成闪存和e-MMC控制器于单个BGA封装，执行纠错、损耗均衡、逻辑到物理地址转换和坏块管理等功能。支持符合JEDEC 5.0/5.1版本的高速内存接口，无需主机直接控制闪存。适用于因所需密度处于较低GB范围，或处理器尚不支持UFS接口而无法迁移到最新一代UFS的应用。

1+
￥289.18
30+
￥280

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型号：MT25QU02GCBB8E12-0SIT 编号：C6916912

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（四个512Mb裸片）。SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。所有STR协议的时钟频率最高为166 MHz

1+
￥508.92
30+
￥488.71

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型号：AT24C02S 编号：C46550852

封装：SOT-23-5

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

24C02是一款提供2048比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为256x8比特，内部分为32页，每页8字节。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。主要特点包括写保护引脚提供硬件数据保护，宽工作电压范围1.8V～5.5V，两线串行接口，施密特触发器，抑制输入噪声，双向数据传输协议，400kHz（1.8V～2.5V）和1MHz（2.5V～5.5V）时钟范围，8-byte页，允许部分页写操作，自定时写周期（最大5ms），高可靠性：擦写次数100万次，数据保存100年，封装形式：DIP8、SOP8、TSSOP8、SOT23-5。