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首页 > 热门关键词 > 存储器芯片
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1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM,通过单触点1-Wire接口操作
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  • 1+

    ¥11.75
  • 10+

    ¥10.17
  • 30+

    ¥9.18
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    ¥8.17
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    ¥7.03
  • 1000+

    ¥6.83
  • 有货
  • 24AA256/24LC256/24FC256(24××256*)是一款 32K × 8(256 Kbit)串行电可擦除可编程只读存储器(PROM),能够在较宽的电压范围(1.8V 至 5.5V)内工作。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.19
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.3
    • 100+

      ¥1.96
    • 500+

      ¥1.78
    • 1000+

      ¥1.69
  • 有货
  • BY25Q128AS是一款128M位串行外设接口(SPI)闪存,支持双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(/WP)和I/O3(/HOLD)。双I/O数据传输速度为240Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速度为480Mbit/s。该器件采用2.7V至3.6V的单低压电源供电
    数据手册
    • 1+

      ¥8.43
    • 10+

      ¥7.46
    • 30+

      ¥6.56
    • 100+

      ¥5.88
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      ¥5.6
    • 1000+

      ¥5.46
  • 有货
  • W25Q64JW(64M位)串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI(XIP)直接执行代码,以及存储语音、文本和数据
    数据手册
    • 1+

      ¥15.69
    • 10+

      ¥14.3
    • 30+

      ¥13.53
    • 90+

      ¥12.36
    • 540+

      ¥11.98
    • 990+

      ¥11.8
  • 有货
  • W25Q128JW(128M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI(XIP)直接执行代码以及存储语音……(原文“voi”后内容不完整)
    数据手册
    • 10+

      ¥30.79
    • 100+

      ¥28.87
    • 300+

      ¥27.04
    • 1000+

      ¥25.8
    • 5000+

      ¥25.25
  • 有货
  • H5TC4G83EFR-xxA(I,L,J,K), H5TQC4G63EFR-xxA(I,L,J,K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM,非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行(电压为1.35V)的主内存应用。SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下,与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作,参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入都在时钟的上升沿(时钟的下降沿)上锁存,数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。数据路径内部经过流水线处理,并预取8位以实现非常高的带宽。
    • 1+

      ¥80.85
    • 10+

      ¥72.43
    • 30+

      ¥67.3
    • 100+

      ¥63
  • 有货
  • SD NAND Flash类型:SLC,商业级广泛适配在各大MCU平台上;工作温度:-25°~85°,新物料选型推荐,SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。
    • 1+

      ¥116.7835 ¥122.93
    • 10+

      ¥111.6345 ¥117.51
    • 30+

      ¥102.7045 ¥108.11
    • 100+

      ¥94.9145 ¥99.91
  • 有货
  • P24C02A是一款2-Kbit I2C兼容串行EEPROM,具有256 x 8位的存储阵列,支持页写模式和部分页写。工作电压范围为1.6V至5.5V,工作温度范围为-40°C至85°C。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.357
    • 100+

      ¥0.2802
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      ¥0.2418
    • 1000+

      ¥0.213
    • 4000+

      ¥0.19
    • 8000+

      ¥0.1784
  • 有货
  • BL24C64A 是一款64Kbits (8Kbytes)的串行低功耗、低电压EEPROM,支持I2C双向数据传输协议,具有硬件数据保护功能,可实现部分页写入。提供多种封装形式,包括8-lead PDIP/SOP/TSSOP/UDFN和WLCSP4。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5929
    • 50+

      ¥0.4775
    • 150+

      ¥0.4198
    • 500+

      ¥0.3765
    • 2500+

      ¥0.3419
    • 5000+

      ¥0.3246
  • 有货
  • AT24C64是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM),存储容量为8192字节,分为256页,每页32字节。具有低功耗CMOS技术,自定时编程周期,支持SOP-8和DIP-8封装。适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制。
    • 5+

      ¥0.719
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      ¥0.5894
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      ¥0.3366
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  • 8 Kbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7813
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      ¥0.6324
    • 150+

      ¥0.558
    • 500+

      ¥0.5022
    • 2500+

      ¥0.4575
    • 5000+

      ¥0.4352
  • 有货
  • 64-Kbit(8K x 8bit),I2C接口,工作电压:1.8V to 5.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0664
    • 50+

      ¥0.8472
    • 150+

      ¥0.7532
    • 500+

      ¥0.636
    • 2500+

      ¥0.5277
    • 5000+

      ¥0.4964
  • 有货
  • 提供1,024/2,048位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM),组织为128/256个8位字。设备的可级联功能允许最多八个设备共享一个公共两线总线。适用于许多对低功耗和低电压操作至关重要的工业和商业应用。有节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23和8球VFBGA封装。整个封装系列的工作电压为1.7V至3.6V。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4595
    • 50+

      ¥1.1668
    • 150+

      ¥1.0414
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      ¥0.8849
    • 2500+

      ¥0.8447
    • 4000+

      ¥0.8029
  • 有货
  • AT24C01D/02D 提供 1024/2048 位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为 128/256 个字,每个字 8 位。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1917
    • 50+

      ¥1.7482
    • 150+

      ¥1.5581
    • 500+

      ¥1.321
    • 2500+

      ¥1.2154
    • 5000+

      ¥1.152
  • 有货
  • 24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。该器件由八个256×8位的存储块组成,采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2737
    • 50+

      ¥1.8201
    • 150+

      ¥1.6257
    • 500+

      ¥1.2931
    • 3000+

      ¥1.1851
    • 6000+

      ¥1.1203
  • 有货
  • AT24C512C 提供 524,288 位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为 65,536 个 8 位字。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化
    数据手册
    • 1+

      ¥4.27
    • 10+

      ¥3.52
    • 30+

      ¥3.15
    • 100+

      ¥2.78
    • 500+

      ¥2.56
    • 1000+

      ¥2.44
  • 有货
  • 串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。该系列产品的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。该设备采用2.7V至3.6V单电源供电,掉电时电流消耗低至1μA。所有设备均采用节省空间的封装。阵列由4096个可编程页面组成,每个页面256字节。一次最多可编程256字节
    数据手册
    • 1+

      ¥5.69
    • 10+

      ¥5.02
    • 30+

      ¥4.68
    • 100+

      ¥4.35
    • 500+

      ¥4.15
    • 1000+

      ¥3.78
  • 有货
  • GD25Q32E(32M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四I/O数据传输速度为532Mbit/s。
    • 1+

      ¥7.93
    • 10+

      ¥6.77
    • 30+

      ¥6.14
    • 95+

      ¥3.99
    • 475+

      ¥3.67
    • 1045+

      ¥3.52
  • 有货
  • 特性:Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复
    数据手册
    • 1+

      ¥9.72
    • 10+

      ¥8.45
    • 30+

      ¥7.75
    • 100+

      ¥6.97
    • 500+

      ¥6.62
    • 1000+

      ¥6.46
  • 有货
  • W25Q64JW(64M位)串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI(XIP)直接执行代码,以及存储语音、文本和数据
    数据手册
    • 1+

      ¥16.44
    • 10+

      ¥14.82
    • 30+

      ¥13.94
    • 100+

      ¥12.94
    • 500+

      ¥12.01
    • 1000+

      ¥11.8
  • 有货
  • 是一种高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为1M字×4组×16位,可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用,分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3;-6和-6I部件最高可运行至166MHz/CL3(-6I为工业级,支持-40°C至85°C);-7部件最高可运行至143MHz/CL3,且tRP = 18ns。对SDRAM的访问是突发式的,当通过ACTIVE命令选择一个组和行时,一页中的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问
    数据手册
    • 1+

      ¥22.46
    • 10+

      ¥20.49
    • 30+

      ¥18.58
    • 100+

      ¥17.32
    • 500+

      ¥16.75
    • 1000+

      ¥16.5
  • 有货
  • 128-Mbit(8M × 16bit),并行接口,工作电压:3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥25.58
    • 10+

      ¥22.86
    • 30+

      ¥21.16
    • 108+

      ¥18.13
    • 540+

      ¥17.35
    • 864+

      ¥17
  • 有货
  • SD NAND Flash类型:SLC,商业级,MKDV1GCL-ABA升级款,广泛适配在各大MCU平台上;工作温度:-25°~85°,新物料选型推荐,SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。
    • 1+

      ¥29.0168 ¥31.54
    • 10+

      ¥25.3552 ¥27.56
    • 30+

      ¥23.4968 ¥25.54
    • 100+

      ¥20.9944 ¥22.82
    • 480+

      ¥20.0928 ¥21.84
    • 960+

      ¥19.7064 ¥21.42
  • 有货
  • SD NAND Flash类型:SLC,商业级,广泛适配在各大MCU平台上;工作温度:-25°~85°,新物料选型推荐,SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。
    • 1+

      ¥49.334 ¥58.04
    • 10+

      ¥42.976 ¥50.56
    • 30+

      ¥39.1 ¥46
    • 100+

      ¥35.853 ¥42.18
  • 有货
    • 4+

      ¥52.1
    • 40+

      ¥47.44
    • 120+

      ¥44.68
    • 480+

      ¥41.88
    • 1920+

      ¥40.59
  • 有货
    • 1+

      ¥71.64
    • 10+

      ¥63.79
    • 30+

      ¥59.01
    • 100+

      ¥55
  • 有货
  • Micron 4Gb NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口,用于高性能I/O操作。这些设备使用高度复用的8位总线(I/Ox)传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口:CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态(R/B#)。该设备具有内部4位ECC,可以通过GET/SET特性命令启用。
    数据手册
    • 1+

      ¥125.31
    • 10+

      ¥120.04
    • 30+

      ¥110.91
    • 100+

      ¥102.94
  • 有货
  • Micron 8Gb NAND Flash Memory,支持单次编程操作,具有高可靠性和数据保留能力。该设备使用异步数据接口进行高性能I/O操作,通过高度复用的8位总线传输命令、地址和数据。控制信号包括CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。
    数据手册
    • 1+

      ¥213.5
    • 10+

      ¥207.99
    • 30+

      ¥190.33
    • 100+

      ¥182
  • 有货
  • SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上;MKDV32GCL-STH升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 6万次,支持SD3.0,支持1.8v/3.3v IO电压;C10, U1, V10, A2;SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。
    • 1+

      ¥260.205 ¥273.9
    • 30+

      ¥250.8 ¥264
  • 有货
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