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Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

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型号：CAV25128VE-GT3 编号：C463922

封装：SOIC-8

CAV25128 是一款 EEPROM 串行 128-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 16Kx8 位。它具有 64 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25128 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：AT25XE321D-UUN-T 编号：C1852767

封装：WLCSP-12(1.8x2.4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种大批量消费和互联应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行，并在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，支持256字节页擦除、4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除

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型号：S25FL256LAGBHV020 编号：C2949988

封装：TBGA-24

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：S25FL256LAGBHI020 编号：C2947906

封装：TBGA-24

Flash非易失性存储产品采用浮栅技术和65nm工艺光刻。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（SIO），以及可选的双比特（DIO）和四比特宽的Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中编程最多256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：CY7C1399BN-12VXIT 编号：C2959513

封装：BSOJ-28

CY7C1399BN是高性能3.3V CMOS静态RAM，组织为32,768字×8位。通过有源低电平芯片使能 (CE)、有源低电平输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低95%以上。

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型号：IS43TR16512B-125KBLI 编号：C1349863

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512B-125KBLI 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：BY25D40ESOIG(R) 编号：C50176328

封装：TSSOP-8-173mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。

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型号：24LC32A-I/P 编号：C1349005

封装：PDIP-8

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个具有2线串行接口的4K x 8位内存单块。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具有高达32字节数据的页写能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，地址空间高达256 Kbits。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：AT25FF161A-MAHN-T 编号：C1857753

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存设备，适用于各种大批量消费和联网应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行的系统，以及在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，支持4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除。包含四个专用的128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器，可用于存储唯一设备ID和锁定密钥。支持读、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

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型号：CY7C1041G30-10ZSXIT 编号：C2952381

封装：TSOPII-44

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项和多种引脚配置。在CY7C1041GE设备中，ERR引脚会在读取周期中发出错误检测和纠正事件的信号。数据写入通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来执行，同时在I/O₀至I/O₁₅上提供数据，并在A₀至A₁₇引脚上提供地址

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型号：NT5CB128M16IP-EK 编号：C2846879

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

该DDR3 SDRAM芯片具有2Gb的存储容量，支持高速双倍数据速率传输，适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM，支持多种工作模式和低功耗特性。

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型号：M48Z58-70PC1 编号：C1348741

封装：DIP-28

品牌：ST(意法半导体)

M48Z58 是一款 8 Kbit x 8 非易失性静态 RAM，集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。它在单个芯片上提供了超低功耗的 SRAM 功能。

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型号：PM25LQ010B-SCE 编号：C411812

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

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型号：CAT25020VI-GT3 编号：C890360

封装：SOIC-8

CAT25020 是一款 EEPROM 串行 2-Kb SPI 器件，内部组织为 256x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 工艺大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25020 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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型号：25Q128-TD 编号：C47108715

封装：SOP-8-208mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

是128M-bit串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP）和I/O3(/HOLD)。双I/O数据传输速度为216Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为432Mbits/s。该器件使用单一低压电源，范围为2.7V至3.6V。此外，该器件支持JEDEC标准制造商和设备ID以及三个1024字节的安全寄存器。

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型号：M24512-DFDW6TP 编号：C2061091

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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型号：CAT25080YI-GT3 编号：C154601

封装：TSSOP-8

CAT25080 是 EEPROM 串行 8-Kb SPI 器件，内部组织为 1024x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25080 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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型号：MX29LV400CTTI-70G 编号：C2802721

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：字节/字模式可切换。提供扇区保护功能，防止在受保护扇区进行编程或擦除操作。提供芯片未保护功能，允许更改代码。提供临时扇区未保护功能，以便在先前受保护的扇区中更改代码。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏

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型号：S25FL128LAGNFI010 编号：C2944489

封装：WDFN-8-EP

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：MX29LV640ETTI-70G 编号：C504703

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：CY7C10612G30-10ZSXI 编号：C2949442

封装：TSOPII-54

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项。CY7C10612GE设备包括一个错误指示引脚，在读取周期内发出错误检测和纠正事件信号。写入设备时，将芯片使能(CE(overline))和写使能(WE)输入置为低电平。如果字节低使能(BLE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置

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型号：CY7C1061G30-10ZSXI 编号：C2959389

封装：TSOPII-54-10.2mm

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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型号：24LC32AT/SM 编号：C2062059

封装：SOIJ-8-5.28mm

24LC32A是一款32Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的供电范围，具有低功耗特性，适用于个人通讯和数据采集等应用。该器件具有页写功能，可写入最多32字节的数据。支持多种封装形式，包括8引脚PDIP、SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN、MSOP、SOT-23和芯片级封装。工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：24FC64T-I/MNY 编号：C1349386

封装：TDFN-8-EP(2x3)

该产品是一款64 Kbit电可擦除PROM。设备被组织为一个8K x 8位的单块内存，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该产品还具有高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。该产品有标准的8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。此外，还有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：CAV25256YE-GT3 编号：C890497

封装：TSSOP-8

CAV25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 32Kx8 位。它具有 64 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：CY7C1049G-10VXI 编号：C2955765

封装：BSOJ-36