存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥6.52
10+
￥5.29
30+
￥4.68

有货

立即购买

型号：IS25WJ032F-JNLE 编号：C7290366

封装：SOP-8

品牌：ISSI(美国芯成)

Serial Flash内存提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。设备通过由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥7.43
10+
￥7.27
30+
￥7.16

有货

立即购买

型号：MX29LV400CTTI-70G 编号：C2802721

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：字节/字模式可切换。提供扇区保护功能，防止在受保护扇区进行编程或擦除操作。提供芯片未保护功能，允许更改代码。提供临时扇区未保护功能，以便在先前受保护的扇区中更改代码。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏

1+
￥7.88
10+
￥7.7
30+
￥7.58

有货

立即购买

型号：NT5CC128M16IP-DI 编号：C2904576

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

该DDR3L SDRAM芯片具有2Gb的存储容量，支持高速双倍数据速率传输，适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM，支持多种工作模式和低功耗特性。

数据手册

65+
￥28.029855
100+
￥25.90995
1000+
￥23.848932

我要订货

型号：S29AL008J55TFIR20 编号：C2948805

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存，组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA（0.8毫米间距）和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程，写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns，允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用，该设备具有独立的芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制

1+
￥16.67
10+
￥16.28
30+
￥16.02

有货

立即购买

型号：M48Z58Y-70MH1F 编号：C2062195

封装：SOP-28-8.9mm

品牌：ST(意法半导体)

M48Z58Y 是一款 8 Kbit x 8 非易失性静态 RAM，集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。它在单个芯片上提供了超低功耗的 SRAM 功能。

数据手册

1+
￥118.74
10+
￥113.4
30+
￥104.14

有货

立即购买

型号：FEMDME016G-A8A43 编号：C3249973

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

数据手册

1+
￥120
10+
￥107.6
30+
￥98.77
100+
￥91.06

订货

我要订货

型号：M48Z58-70PC1 编号：C1348741

封装：DIP-28

品牌：ST(意法半导体)

M48Z58 是一款 8 Kbit x 8 非易失性静态 RAM，集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。它在单个芯片上提供了超低功耗的 SRAM 功能。

数据手册

1+
￥150.74
10+
￥145.92

有货

立即购买

型号：IS25LP020E-JNLE-TR 编号：C7211260

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥3.52
10+
￥3.44
30+
￥3.39

有货

立即购买

型号：IS25LP080D-JBLE 编号：C2940518

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式（请参阅引脚说明）

1+
￥8.37
10+
￥7.03
50+
￥6.29

有货

立即购买

型号：S25FL128LAGMFI003 编号：C2952017

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

1+
￥14.07
10+
￥13.72
30+
￥13.48

有货

立即购买

型号：F35SQB002G-WWT 编号：C49297080

封装：WSON-8(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

是一款2G位（256Mx8bit）的串行NAND闪存，工作在单一3.3V VCC上。该设备支持标准串行外设接口（SPI）、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和SIO3（HOLD#）。支持JEDEC标准制造商和设备ID、唯一ID、一个参数页和62个OTP页。芯片内有一个内部8位ECC逻辑，默认启用。内部ECC可以通过命令禁用或启用。

单价：
￥21.6 / 个

我要订货

型号：S25FL128LAGNFI010 编号：C2944489

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

1+
￥22.86
10+
￥22.35
30+
￥20.95

有货

立即购买

型号：CY7C10612G30-10ZSXI 编号：C2949442

封装：TSOPII-54

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项。CY7C10612GE设备包括一个错误指示引脚，在读取周期内发出错误检测和纠正事件信号。写入设备时，将芯片使能(CE(overline))和写使能(WE)输入置为低电平。如果字节低使能(BLE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置

1+
￥167.92
30+
￥159.68

有货

立即购买

型号：CY7C1049G-10VXI 编号：C2955765

封装：BSOJ-36

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

1+
￥32.62
10+
￥31.85
30+
￥31.34

有货

立即购买

型号：MX29LV640ETXEI-70G 编号：C2802731

封装：LFBGA-48,CSP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

1+
￥35.94
10+
￥35.09
30+
￥34.53

有货

立即购买

型号：CAT25160YI-GT3 编号：C233781

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件，内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

6000+
￥1.531689
12000+
￥1.51789
18000+
￥1.490292

我要订货

型号：IS43TR16256B-107MBLI 编号：C1349392

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256B-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

数据手册

1+
￥114.25
10+
￥110.77

有货

立即购买

型号：IS43TR16256BL-107MBLI 编号：C1349393

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

数据手册

1+
￥117.77
10+
￥112.47
30+
￥103.29

有货

立即购买

型号：IS43TR16512B-125KBL 编号：C1350347

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512B-125KBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

数据手册

1+
￥203.02
10+
￥196.24

有货

立即购买

型号：FEMDRW016G-88A43 编号：C2841376

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

数据手册

1+
￥133.27
10+
￥129.93
12+
￥104.06

订货

我要订货

型号：DS28E04S-100+ 编号：C22414101

封装：SO-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E04 - 100是一款具有七个地址输入的4096位单总线EEPROM芯片。这些地址输入直接映射到单总线64位设备标识号中，便于主机系统在多设备单总线网络环境中识别DS28E04 - 100的物理位置或功能关联。4096位EEPROM阵列被配置为16页，每页32字节，并带有一个32字节的暂存器，用于执行写操作

单价：
￥40.6512 / 个

我要订货

型号：AS4C128M16D3LC-12BIN 编号：C17296106

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：Alliance Memory

2Gb Double-Data-Rate-3L (DDR3L) DRAMs 是双数据速率架构，可实现高速操作。它在内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片被组织为 16Mbit x 16 I/O 8 存储体设备。

1+
￥71.3
10+
￥59.86

有货

立即购买

型号：24LC01B-I/MS 编号：C184449

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC01B是一款1Kbit的I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压范围，具有400kHz的时钟频率。该芯片具有低功耗特性，待机电流仅为1uA，工作电流为1mA。支持多种封装，包括PDIP、SOIC、TSSOP、DFN、TDFN、MSOP、SOT-23和SC-70。

数据手册

1+
￥1.9433
10+
￥1.5526
30+
￥1.3851
100+
￥1.1762
500+
￥1.0831
1000+
￥1.0273

订货

我要订货

型号：NT5CC256M16EP-EK 编号：C2846880

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

4Gb双数据速率3 (DDR3(L)) DRAM是一款高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八组DRAM。4Gb芯片的组织形式为64Mbit x 8 I/O x 8组和32Mbit x 16 I/O x 8组。这些同步器件在一般应用中可实现高达2133 Mb/秒/引脚的高速双数据速率传输

数据手册