存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：BR24G01F-3GTE2 编号：C2061183

封装：SOIC-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G01F-3GTE2 是一款具有I2C接口的1Kbit EEPROM，支持1.6V至5.5V的工作电压，适用于电池供电设备。该芯片具有低功耗、防误写功能，支持高达1百万次的写入周期和超过40年的数据保留时间。

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型号：BR24G64F-3AGTE2 编号：C2061334

封装：SOP-8-4.4mm

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G64F-3AGTE2是一款64Kbit的I2C接口串行EEPROM，支持1.6V至5.5V的工作电压，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持高达100万次的写入周期，数据保持时间为40年。

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型号：BR24G64FVT-3AGE2 编号：C2061275

封装：TSSOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G64FVT-3AGE2是一款64Kbit的I2C接口串行EEPROM，支持1.6V至5.5V的工作电压，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持高达100万次的写入周期，数据保持时间为40年。

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型号：BR24G64NUX-3ATTR 编号：C2061070

封装：VSON-8-EP(2x3)

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G64NUX-3ATTR是一款64Kbit的I2C接口串行EEPROM，支持1.6V至5.5V的工作电压，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持高达100万次的写入周期，数据保持时间为40年。

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型号：BR93H56RFJ-2CE2 编号：C2061400

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR93H56-2C是一款具有125°C工作温度范围的3线接口串行EEPROM。它支持2.5V到5.5V的单电源供电，具有自动地址递增功能，并且在写入时具有防误写功能。该芯片符合AEC-Q100标准，适用于汽车应用。

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型号：BR93G46F-3BGTE2 编号：C2061343

封装：SOP-8-4.4mm

品牌：ROHM(罗姆)

BR93G46F-3BGTE2是一款1Kbit的3线接口串行EEPROM，支持1.7至5.5V的工作电压，具有高速读写功能，支持高达3MHz的时钟频率。该芯片具备40年的数据保留时间和超过1百万次的写周期寿命，适用于多种应用场景。

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型号：BR25G320FJ-3GE2 编号：C2061403

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR25G320FJ-3GE2 是一款32Kbit的SPI接口EEPROM，具有高达20MHz的时钟频率，支持1.6V至5.5V的单电源供电，适用于电池供电设备。该芯片支持页写模式，最多可写入32字节，具有自定时编程周期和低功耗特性。

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型号：BR24G64FVM-3AGTTR 编号：C2062442

封装：MSOP-8-2.8mm

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G64FVM-3AGTTR是一款64Kbit的I2C接口串行EEPROM，支持1.6V至5.5V的工作电压，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持高达100万次的写入周期，数据保持时间为40年。

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型号：NV25020DWHFT3G 编号：C894139

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NV25020 是一款 EEPROM 串行 2-Kb SPI - 汽车级 0 (+150°C) 器件，内部组织为 256x8 位。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 NV250x0 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。字节级片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。该器件提供了一个附加标识页，可以对其进行永久性写保护。

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型号：BRCB064GWZ-3E2 编号：C7086565

封装：XFBGA-6

品牌：ROHM(罗姆)

BRCB064GWZ-3 是一款64Kbit的串行EEPROM，支持I2C接口，工作电压范围为1.6V至5.5V，适用于电池供电设备。该芯片具有自定时编程周期、低功耗、防误写功能，并且具有超过1百万次的写周期寿命和超过40年的数据保留时间。

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￥2.7888
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型号：BR24T128FVM-WTR 编号：C2062315

封装：MSOP-8-2.8mm

品牌：ROHM(罗姆)

BR24T128-W系列是一款具有I2C BUS接口方法的串行EEPROM。该系列完全符合世界标准I2C BUS，支持1.6V到5.5V的宽电压范围，支持400kHz的快速模式操作。该芯片具有自定时编程周期、低电流消耗和防止低电压写错误的功能。

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型号：BR24G64FVJ-3AGTE2 编号：C2061655

封装：TSSOP-8-3.0mm

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G64FVJ-3AGTE2是一款64Kbit的I2C接口串行EEPROM，支持1.6V至5.5V的工作电压，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持高达100万次的写入周期，数据保持时间为40年。

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型号：BR24S32FJ-WE2 编号：C2062617

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24S32FJ-WE2是一款32K位的I2C总线EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压，具有低功耗和高速传输的特点。该芯片支持高达1,000,000次的写周期寿命，数据可保持40年。

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型号：BR25H128F-5ACE2 编号：C6135276

封装：SOIC-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

BR25H128F-5ACE2 是一款 128 Kbit 的 SPI 接口 EEPROM，适用于汽车应用。它支持 1.7V 至 5.5V 的工作电压，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。该芯片具有 4 百万次的写周期寿命（在 25°C 下），数据保留时间为 100 年（在 25°C 下）。

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型号：BR25H640FJ-2CE2 编号：C2061844

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR25H640-2C是一款具有SPI接口的64K位串行EEPROM，适用于汽车应用。其工作温度范围为-40°C至+125°C，支持2.5V至5.5V的单电源供电，数据保持时间超过100年，写周期寿命超过1百万次。该芯片符合AEC-Q100标准。

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型号：BR25G512FVT-3GE2 编号：C2061857

封装：TSSOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR25G512-3是一款512Kbit的SPI接口串行EEPROM。它支持1.8V到5.5V的单电源供电，适用于电池供电应用。该芯片具有页写模式，最高时钟频率可达10MHz，数据保留时间超过100年，写周期寿命超过100万次。

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型号：NV25010DWHFT3G 编号：C894137

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NV25010 是一款 EEPROM 串行 1-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 128x8 位。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 NV250x0 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。字节级片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。该器件提供了一个附加标识页，可以对其进行永久性写保护。

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￥1.45453
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型号：CAV25040VE-GT3 编号：C890492

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25040 是一款 EEPROM 串行 4-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 512x8 位。该器件具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。CAV25040 通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25040 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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