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是一款高性能 CMOS 静态 RAM，其结构为 131,072 个字 x 8 位。低电平有效芯片使能 (CE1(上划线))、高电平有效芯片使能 (CE2)、低电平有效输出使能 (OE(上划线)) 和三态驱动器可轻松实现内存扩展。

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型号：PM25LQ020B-SCE 编号：C411813

封装：SOIC-8

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

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型号：AT25XE161D-UUN-T 编号：C1857754

封装：WLCSP-8(1.7x1.8)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种大批量消费和互联应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术进行操作。理想适用于将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行，以及在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，支持256字节页面擦除、4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除

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型号：M24512-DFCS6TP/K 编号：C2062276

封装：WLCSP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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型号：S25FL256LAGNFV010 编号：C2959295

封装：WDFN-8-EP

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：FEMDNN128G-A3A56 编号：C5117596

封装：FBGA-153(11.5x13)

应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头

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型号：S-24C02DI-J8T1U5 编号：C2061076

封装：SOP-8

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款低功耗、宽工作范围的2线串行EEPROM，具有2 K-bit的存储容量。该芯片支持I2C接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高时钟频率为1.0 MHz（Vcc = 2.5 V至5.5 V）和400 kHz（Vcc = 1.7 V至5.5 V）。写周期时间为5.0 ms，数据保留时间为100年。

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型号：25LC512-E/SN 编号：C1523859

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512Kbit的SPI接口串行EEPROM，支持字节和页面写操作。它还具备页擦除、扇区擦除和芯片擦除功能，适用于低功耗CMOS技术，最大时钟速度为20MHz。

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￥16.7724 / 个

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型号：S29AL008J70TFI023 编号：C2952433

封装：TFSOP-48

该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存，组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA（0.8毫米间距）和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程，写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns，允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用，该设备具有独立的芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制

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型号：CY7C1049G-10ZSXI 编号：C914896

封装：TSOPII-44-10.2mm

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

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型号：IS43TR16512BL-107MBLI 编号：C1236815

封装：TWBGA-96(10x14)

IS43TR16512BL-107MBLI 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达933MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：S25FL256LAGMFI001 编号：C2954898

封装：SOIC-16

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

单价：
￥34.04 / 个

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型号：MT40A2G16SKL-062E:B 编号：C712513

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

32Gb TwinDie 单排 DDR4 SDRAM 是使用两个 16Gb 的 DDR4 SDRAM 芯片组合而成的一个 x16 设备。它使用 96 球 FBGA 封装，工作电压为 1.2V，支持 JEDEC 标准球图，低轮廓封装。工作温度范围为 0°C 到 95°C。

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型号：S27KL0641DABHA020 编号：C17296126

封装：FBGA-24(6x8)

64 Mb HyperRAM 器件是一款高速 CMOS 自刷新动态 RAM (DRAM)，配备 HyperBus 接口。赛普拉斯 128 Mb HyperRAM 器件采用单芯片堆叠，包含 64 Mb HyperRAM 器件。

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型号：THGAMRG8T13BAIL 编号：C2837691

封装：BGA-153

THGAMRG8T13BAIL是一款容量为32GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGAMRG8T13BAIL具备行业标准的MMC协议，使用便捷

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型号：FEMDME008G-A8A39 编号：C3249972

封装：FBGA-153(11.5x13)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

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型号：IS43TR81024BL-125KBLI 编号：C1236873

封装：TWBGA-78(10x14)

IS43TR81024BL-125KBLI 是一款512Mx16的DDR3L SDRAM，支持1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：IS43TR16256B-107MBLI 编号：C1349392

封装：TWBGA-96(9x13)

IS43TR16256B-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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型号：FEMKNN004G-58A42 编号：C5117594

封装：FBGA-153(11.5x13)

应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头

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型号：FEMDME004G-A8A39 编号：C3249971

封装：FBGA-153(11.5x13)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

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型号：CY7C1480BV33-250BZI 编号：C914905

封装：FBGA-165

CY7C1480BV33是一款72-Mbit (2M x 36)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持250MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同步输入由寄存器控制，受正边沿触发的时钟输入(CLK)控制。该芯片支持字节写操作和高速时钟到输出时间。工作电压为3.3V，支持2.5V/3.3V/I操作。封装为165-ball FBGA(15 × 17 × 1.4 mm)。

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单价：
￥693.27 / 个

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型号：THGBMJG6C1LBAIL 编号：C524518

封装：BGA-153

THGBMJG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG6C1LBAIL遵循行业标准的MMC协议，使用便捷

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型号：THGBMHG6C1LBAIL 编号：C391257

封装：BGA-153

THGBMHG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装为多芯片模块。THGBMHG6C1LBAIL具备行业标准的MMC协议，使用方便

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型号：MX25L4006EM1I-12G 编号：C2931002

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。四个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO) 和芯片选择 (CS#)。通过 CS# 输入可启用对该设备的串行访问。当处于双输出读取模式时，SI 和 SO 引脚会发生变化。

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型号：THGBMJG6C1LBAIL 编号：C41428411

封装：BGA-153

THGBMJG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG6C1LBAIL遵循行业标准的MMC协议，使用便捷

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型号：IS42S32400F-6TL 编号：C413752

封装：TSOP-86-10.2mm