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采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：FEMDME004G-A8A39 编号：C3249971

封装：FBGA-153(11.5x13)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

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型号：S-24C02DI-J8T1U5 编号：C2061076

封装：SOP-8

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款低功耗、宽工作范围的2线串行EEPROM，具有2 K-bit的存储容量。该芯片支持I2C接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高时钟频率为1.0 MHz（Vcc = 2.5 V至5.5 V）和400 kHz（Vcc = 1.7 V至5.5 V）。写周期时间为5.0 ms，数据保留时间为100年。

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型号：AT25XE161D-UUN-T 编号：C1857754

封装：WLCSP-8(1.7x1.8)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种大批量消费和互联应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术进行操作。理想适用于将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行，以及在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，支持256字节页面擦除、4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除

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型号：NT5CC128M16IP-DI 编号：C2904576

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

该DDR3L SDRAM芯片具有2Gb的存储容量，支持高速双倍数据速率传输，适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM，支持多种工作模式和低功耗特性。

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型号：MX25LM25645GXDI00 编号：C20099905

封装：CSPBGA-24(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

是256Mb位八进制接口串行NOR闪存，内部配置为33,554,432 x 8。具有串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。八进制闪存可在整个芯片上提供顺序读取操作。发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法对指定内容进行编程/擦除和验证。

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型号：FEMDME016G-A8A43 编号：C3249973

封装：FBGA-153(11.5x13)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

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型号：IS46TR16256B-125KBLA2 编号：C17234670

封装：TWBGA-96(9x13)

IS46TR16256B-125KBLA2 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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型号：25LC512-E/SN 编号：C1523859

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512Kbit的SPI接口串行EEPROM，支持字节和页面写操作。它还具备页擦除、扇区擦除和芯片擦除功能，适用于低功耗CMOS技术，最大时钟速度为20MHz。

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￥17.5068 / 个

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型号：CY7C1049G-10ZSXI 编号：C914896

封装：TSOPII-44-10.2mm

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

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型号：THGAMRG8T13BAIL 编号：C2837691

封装：BGA-153

THGAMRG8T13BAIL是一款容量为32GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGAMRG8T13BAIL具备行业标准的MMC协议，使用便捷

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型号：FEMDNN128G-A3A56 编号：C5117596

封装：FBGA-153(11.5x13)

应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头

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型号：S25FL256LAGNFV010 编号：C2959295

封装：WDFN-8-EP

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：S27KL0641DABHA020 编号：C17296126

封装：FBGA-24(6x8)

64 Mb HyperRAM 器件是一款高速 CMOS 自刷新动态 RAM (DRAM)，配备 HyperBus 接口。赛普拉斯 128 Mb HyperRAM 器件采用单芯片堆叠，包含 64 Mb HyperRAM 器件。

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￥49.08
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型号：CY7C1009D-10VXIT 编号：C1512158

封装：SOJ-32

是一款高性能 CMOS 静态 RAM，其结构为 131,072 个字 x 8 位。低电平有效芯片使能 (CE1(上划线))、高电平有效芯片使能 (CE2)、低电平有效输出使能 (OE(上划线)) 和三态驱动器可轻松实现内存扩展。

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￥66.05
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型号：FEMDME008G-A8A39 编号：C3249972

封装：FBGA-153(11.5x13)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

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型号：IS43TR81024BL-125KBLI 编号：C1236873

封装：TWBGA-78(10x14)

IS43TR81024BL-125KBLI 是一款512Mx16的DDR3L SDRAM，支持1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：MT40A2G16SKL-062E:B 编号：C712513

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

32Gb TwinDie 单排 DDR4 SDRAM 是使用两个 16Gb 的 DDR4 SDRAM 芯片组合而成的一个 x16 设备。它使用 96 球 FBGA 封装，工作电压为 1.2V，支持 JEDEC 标准球图，低轮廓封装。工作温度范围为 0°C 到 95°C。

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型号：FEMKNN004G-58A42 编号：C5117594

封装：FBGA-153(11.5x13)

应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头

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￥38.23
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￥33.19
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型号：THGBMJG6C1LBAIL 编号：C524518

封装：BGA-153

THGBMJG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG6C1LBAIL遵循行业标准的MMC协议，使用便捷

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￥183
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￥180
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￥172.5
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￥165
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型号：THGBMNG5D1LBAIL 编号：C391255

封装：BGA-153

THGBMNG5D1LBAIL 是一款容量为 4GB 的 e - MMC 模块产品，采用 153 球 BGA 封装。该产品采用先进的东芝 NAND 闪存器件和控制器芯片，组装为多芯片模块。THGBMNG5D1LBAIL 遵循行业标准的 MMC 协议，使用方便

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￥55.44
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￥47.39
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￥42.49
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￥38.37

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型号：THGBMHG6C1LBAIL 编号：C391257

封装：BGA-153

THGBMHG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装为多芯片模块。THGBMHG6C1LBAIL具备行业标准的MMC协议，使用方便

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￥144.753
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￥142.38
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￥136.4475
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￥130.515
200+
￥128.142

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型号：THGBMJG6C1LBAIL 编号：C41428411

封装：BGA-153

THGBMJG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG6C1LBAIL遵循行业标准的MMC协议，使用便捷

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￥48.03
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￥40.88
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￥36.52
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型号：MX25L4006EM1I-12G 编号：C2931002

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。四个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO) 和芯片选择 (CS#)。通过 CS# 输入可启用对该设备的串行访问。当处于双输出读取模式时，SI 和 SO 引脚会发生变化。

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￥2.93
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￥2.32
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￥2.06
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￥1.74
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型号：FEMDRM008G-58A39 编号：C719499

封装：FBGA-153

应用领域：耐用性消费类电子、车载后装、商显、TV、黑白家电。EMMC,工业EMMC，FORESEE, LONGSYS,工规EMMC，工规存储芯片，工业存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规EMMC、国产工业EMMC、江波龙、耐用性消费类电子、车载后装、商显、TV、黑白家电、工业级

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￥41.79
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￥33.57
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型号：IS42S32400F-6TL 编号：C413752

封装：TSOP-86-10.2mm

IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。

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￥34.656415
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￥32.035342
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￥29.487076

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型号：IS42S16160G-7TL-TR 编号：C17569592

封装：TSOP-54-10.2mm

IS42S16160G-7TL-TR 是一款256Mb同步动态随机存取内存（SDRAM），支持多种时钟频率（143 MHz）。该芯片采用54-Pin TSOP II封装，支持3.3V供电，工作温度范围为-40°C到+85°C。具备自动刷新和自刷新模式，适用于各种高速数据传输应用。

1+
￥16.95
20+
￥16.272
100+
￥15.594
200+
￥15.1872
500+
￥14.916

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型号：THGBMJG8C2LBAIL 编号：C879826

封装：FBGA-153