美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52C4V3LP-7 编号：C5248673

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

5+
￥0.5923
50+
￥0.4738
150+
￥0.4146
500+
￥0.3701

有货

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型号：AZ23C6V8-7-F 编号：C5199762

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.6184
50+
￥0.4948
150+
￥0.4331
500+
￥0.3867

有货

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型号：D7G-T 编号：C7435972

封装：插件

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。高电流能力和低正向压降。浪涌过载额定值达30A峰值。无铅表面处理，符合RoHS标准

5+
￥0.633
50+
￥0.503
150+
￥0.438
500+
￥0.3893

有货

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型号：DMP2004VK-7 编号：C145114

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6405
50+
￥0.5325
150+
￥0.4785
500+
￥0.438
3000+
￥0.4056

有货

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型号：AS339MTR-E1 编号：C179317

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

AS339/339A由四个独立的精密电压比较器组成，典型失调电压为2.0mV，增益高。它们专为在宽电压范围内使用单电源供电而设计，也可使用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压大小无关。 AS339/339A系列与行业标准339兼容。 AS339A的输入失调电压比AS339更严格。 AS339提供SO - 14和TSSOP - 14封装，AS339A提供SO - 14封装。

数据手册

5+
￥0.642196 ￥1.0358
50+
￥0.427492 ￥0.8221
150+
￥0.30681 ￥0.7305
500+
￥0.258804 ￥0.6162
2500+
￥0.237468 ￥0.5654
4000+
￥0.224616 ￥0.5348

有货

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型号：DMP3125L-7 编号：C459542

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6666
50+
￥0.5077
150+
￥0.4282
500+
￥0.3686

有货

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型号：BSS138DW-7-F 编号：C154900

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

双NPN,Vceo=50V,Ic=200mA

数据手册

100+
￥0.350865
1000+
￥0.33787
3000+
￥0.324875
6000+
￥0.298885
10000+
￥0.291088

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型号：B130L-13-F 编号：C134425

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。非常适合自动组装。低功耗，高效率。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6913
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￥0.5458
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￥0.4731
500+
￥0.4186
2500+
￥0.3749

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型号：FRS1ME 编号：C5245057

封装：DO-219AA

品牌：DIODES(美台)

采用DO-219AA封装，适合作为功率因数校正电路中的升压二极管。用于高温条件下的消费应用中的超快开关速度AC-AC和DC-DC转换器的二次整流和续流。

5+
￥0.7009
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￥0.5569
150+
￥0.4849
500+
￥0.4309

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型号：BZX84C5V6S-7-F 编号：C5248738

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

5+
￥0.7032
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￥0.5626
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￥0.4922
500+
￥0.4395
2500+
￥0.3973

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型号：LM2904TH-13 编号：C3445841

封装：TSSOP-8

品牌：DIODES(美台)

LM2902/LM2904系列放大器分别由四个和两个独立的高增益运算放大器组成，具有极低的输入失调电压规格。它们设计用于在宽电压范围内的单电源供电；不过，也可以采用双电源供电。它们的电源电流较低，且与电源电压的大小无关

数据手册

5+
￥0.704085 ￥0.9645
50+
￥0.61977 ￥0.849
150+
￥0.583635 ￥0.7995
500+
￥0.538521 ￥0.7377
2500+
￥0.518446 ￥0.7102
5000+
￥0.506401 ￥0.6937

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型号：74LVC1G08Z-7 编号：C842517

封装：SOT-553-5

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G08 是一款单路 2 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5V 的电源电压范围。

数据手册

5+
￥0.71094 ￥0.8364
50+
￥0.5013 ￥0.6684
150+
￥0.37986 ￥0.5844
500+
￥0.33891 ￥0.5214
2500+
￥0.30615 ￥0.471
4000+
￥0.28977 ￥0.4458

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型号：DMN6140L-7 编号：C156306

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

N沟道，60V,2.3A

数据手册

5+
￥0.7214
50+
￥0.563
150+
￥0.4838
500+
￥0.4244

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型号：DMN62D0SFD-7 编号：C151005

封装：UDFN-3(1.2x1.2)

品牌：DIODES(美台)

这款新一代 MOSFET 的设计旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。

数据手册

5+
￥0.7323
50+
￥0.6105
150+
￥0.5497
500+
￥0.504
3000+
￥0.4496

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型号：B290-13-F 编号：C134446

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：肖特基势垒芯片。用于瞬态保护的保护环芯片结构。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达60A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：引脚处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7371
50+
￥0.7232
150+
￥0.7139
500+
￥0.7046

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型号：AZ1117CH-1.8TRG1 编号：C95397

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差三端稳压器，针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压应用进行了优化。该设备具备限流和热关断功能。其电路包含一个微调带隙基准，以确保输出电压精度在 ±1% 以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用导致结温过高。有 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻，可调版本可通过两个外部电阻设置输出电压。提供行业标准的 TO252-2 系列（包括 TO252-2 (3)、TO252-2 (4) 和 TO252-2 (5)）、SOT89 和 SOT223 封装。

数据手册

5+
￥0.7452
50+
￥0.5888
150+
￥0.5106
500+
￥0.4519
2500+
￥0.405
4000+
￥0.3815

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型号：SMAJ6.0A-13-F 编号：C110522

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7663
50+
￥0.609
150+
￥0.5303
500+
￥0.4713
2500+
￥0.4241

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型号：B1100B-13-F 编号：C124202

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子在 +260℃ 下持续 10 秒。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：极性保护二极管。续流二极管

数据手册

5+
￥0.7676
50+
￥0.6342
150+
￥0.5675
500+
￥0.5174

有货

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型号：BZX84C20S-7-F 编号：C5378685

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7726
50+
￥0.6182
150+
￥0.5411
500+
￥0.4832

有货

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型号：P4SMAJ36ADF-13 编号：C5244573

封装：D-FLAT

品牌：DIODES(美台)

特性：采用低轮廓 D-FLAT 封装，以优化电路板空间。玻璃钝化芯片结构。出色的钳位能力。 IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保型器件

5+
￥0.7817
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￥0.6896
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￥0.6501
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￥0.6009
2500+
￥0.5789
5000+
￥0.5658

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型号：DSS5220TQ-7 编号：C5624754

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

5+
￥0.7886
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￥0.6941
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￥0.6536
500+
￥0.603

有货

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型号：AS324MTR-G1 编号：C507891

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

AS324/324A由四个独立、高增益和内部频率补偿的操作放大器组成。它们特别设计用于单电源操作。也支持双电源操作，并且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益块以及大多数传统的运算放大器电路。AS324/324A系列与行业标准324兼容。AS324A具有比AS324更严格的输入失调电压。AS324提供SO-14和TSSOP-14封装，而AS324A仅提供SO-14封装。

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5+
￥0.793
50+
￥0.6522
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￥0.5819
500+
￥0.5291

有货

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型号：SMBJ33CA-13-F 编号：C135068

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=36.7V VC=53.3V IPP=11.3A 双向

数据手册

5+
￥0.7955
50+
￥0.6625
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￥0.596
500+
￥0.5462

有货

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型号：DMN3110S-7 编号：C461016

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.8097
50+
￥0.6673
150+
￥0.5961
500+
￥0.5427
3000+
￥0.4999

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型号：D1213A-02WL-7 编号：C1973169

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气 ±15 kV，接触 ±8 kV。 2 通道 ESD 保护。低通道输入电容。通常用于高速端口，如 USB 2.0、IEEE1394、Serial ATA、DVI、HDMI、PCI。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8107
50+
￥0.6773
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￥0.6105
500+
￥0.5605

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型号：LMV331SE-7 编号：C151353

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

LMV331/LMV393系列是低压（2.7V至5.5V）单路和双路比较器，旨在有效降低低压水平下的成本和占用空间。这些器件的规格达到或超过了大家熟知的LM331/LM393器件，且工作电源电压更低，电源电流消耗也低得多。 LMV331采用5引脚SOT353/SOT25封装，可减少PC板和便携式电子设备的占用空间。LMV393采用行业标准的SOP - 8和MSOP - 8封装。 LMV331/LMV393是低压单路/双路通用比较器。它们的单电源工作电压范围为2.7V至5.5V；共模输入电压范围从负电源以下 - 0.1V延伸至正电源0.8V以内。 LMV331/393系列采用BiCMOS工艺制造，具有双极型输入和输出级，可改善噪声性能。对于便携式消费产品而言，在电路设计中，空间、低电压、低功耗和价格是主要规格要求，该系列是一种经济高效的解决方案。

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