美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-89

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。外延平面芯片结构。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

数据手册

5+
￥1.2539
50+
￥1.0151
150+
￥0.9127

有货

立即购买

型号：AP7331-WG-7 编号：C212322

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款300mA可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该器件包含传输元件、误差放大器、带隙、限流和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流的特性使其适用于低功耗应用，例如电池供电设备。典型静态电流约为65μA。内置限流和热关断功能，可防止IC在故障条件下损坏。提供SOT25和DFN2020-6封装。

数据手册

5+
￥1.2583
50+
￥1.0058
150+
￥0.8976
500+
￥0.7626

有货

立即购买

型号：74LVC14AS14-13 编号：C176927

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

74LVC14A提供六个独立的施密特触发反相缓冲器。该器件设计用于1.65V至5.5V的电源电压范围。输入可承受5.5V电压，允许该器件在混合电压环境中使用

数据手册

5+
￥1.2584
50+
￥1.0464
150+
￥0.9555
500+
￥0.8421

有货

立即购买

型号：74LVCE1G126W5-7 编号：C842488

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

74LVCE1G126 是一款单路同相缓冲器/总线驱动器，具有三态输出。当向输出使能（OE）引脚施加低电平时，输出进入高阻态

数据手册

5+
￥1.261156 ￥1.5964
50+
￥0.970554 ￥1.4066
150+
￥0.781868 ￥1.3252
500+
￥0.721983 ￥1.2237
3000+
￥0.695315 ￥1.1785
6000+
￥0.679326 ￥1.1514

有货

立即购买

型号：DRTR5V0U4LP16-7 编号：C526589

封装：DFN1616-6-EP

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

数据手册

5+
￥1.3282
50+
￥1.0309
150+
￥0.9035
500+
￥0.7445

有货

立即购买

型号：74AHCT125T14-13 编号：C176917

封装：TSSOP-14

品牌：DIODES(美台)

74AHCT125提供四个带三态输出的独立缓冲门。每个缓冲器都有一个单独的使能引脚，若将其驱动至高逻辑电平，则相应的输出将处于高阻态

数据手册

5+
￥1.3304
50+
￥1.0736
150+
￥0.9636
500+
￥0.8264

有货

立即购买

型号：SMBJ75A-13-F 编号：C135100

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=83.3V VC=121V IPP=4.9A 单向

数据手册

5+
￥1.351
50+
￥1.0486
150+
￥0.919
500+
￥0.7573

有货

立即购买

型号：APX824-26W5G-7 编号：C460565

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

APX823/APX824/APX825A系列监控器提供电路初始化和时序监控功能，主要用于基于DSP和处理器的系统。上电期间，当电源电压VCC高于1.1V时，RESET信号有效。此后，电源电压监控器会监测VCC，只要VCC保持在阈值电压VTH以下，就会使RESET信号保持有效

数据手册

5+
￥1.3559
50+
￥1.0764
150+
￥0.9566
500+
￥0.8072

有货

立即购买

型号：DMP1022UFDF-7 编号：C155358

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为电池管理应用而设计。

数据手册

5+
￥1.3631
50+
￥1.0896
150+
￥0.9723
500+
￥0.8261

有货

立即购买

型号：DXT751-13 编号：C460068

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。提供互补 NPN 类型。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅，符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.3724
50+
￥1.1204
150+
￥1.0124
500+
￥0.8777

有货

立即购买

型号：DMC2053UVT-7 编号：C397937

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.3925
50+
￥1.1192
150+
￥1.0021
500+
￥0.8559

有货

立即购买

型号：ES2C-13-F 编号：C5245051

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层，符合RoHS标准。采用绿色模塑料（无卤素和锑）

5+
￥1.4099
50+
￥1.1501
150+
￥1.0388
500+
￥0.8998

有货

立即购买

型号：DPLS350E-13 编号：C460719

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构，非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS 合规。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.421691 ￥1.5287
50+
￥1.035923 ￥1.2481
150+
￥0.823367 ￥1.1279
500+
￥0.713867 ￥0.9779
2500+
￥0.665103 ￥0.9111
5000+
￥0.63583 ￥0.871

有货

立即购买

型号：AH1911-W-7 编号：C5246112

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

AH1911/AH1921是一款超低功耗数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统，在3V电压下，其平均供电电流仅为1.6μA，这使得AH1911/AH1921非常适合用于电池供电的消费产品、燃气表或水表、烟雾探测器以及物联网设备。更宽的供电电压范围（1.6V至5.5V）可延长电池工作时间，并支持低压系统微控制器，为系统设计提供了极大的灵活性

5+
￥1.4338
50+
￥1.1455
150+
￥1.0219
500+
￥0.8678

有货

立即购买

型号：DMG9926USD-13 编号：C154896

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

双N沟道,20V,8A,24mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥1.4348
50+
￥1.1354
150+
￥1.0071
500+
￥0.847

有货

立即购买

型号：DESD1FLEX2SOQ-7 编号：C1978652

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

这款DESD1FLEX2SOQ是一款下一代静电放电（ESD）和浪涌保护器件，采用小尺寸表面贴装封装。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）文件支持，旨在保护两条汽车FlexRay总线免受静电放电和其他瞬态干扰影响。

5+
￥1.4432
50+
￥1.1484
150+
￥1.0221
500+
￥0.8645

有货

立即购买

型号：ZXTR2105F-7 编号：C110301

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZXTR2105F将晶体管、齐纳二极管和电阻单片集成，用作线性稳压器。该器件在15mA电流下可提供5V标称输出电压。它专为标准线性稳压器无法使用的高压应用而设计。此功能完全集成在SOT23封装中，与多芯片分立解决方案相比，可最小化PCB面积并减少元件数量。

数据手册

5+
￥1.4484
50+
￥1.1356
150+
￥1.0015
500+
￥0.8343
3000+
￥0.7572

有货

立即购买

型号：DF10S-T 编号：C102616

封装：DF-S

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降，高电流能力。浪涌过载额定值达50A峰值。专为表面贴装应用设计。 UL列于认可组件索引下，文件编号E525394。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.4854
50+
￥1.1779
150+
￥1.0461

有货

立即购买

型号：DMG7430LFG-7 编号：C212330

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.4923
50+
￥1.2148
150+
￥1.0958
500+
￥0.9474

有货

立即购买

型号：AH1887-ZG-7 编号：C507859

封装：SOT-553-5

品牌：DIODES(美台)

AH1887配备两个霍尔效应片和双CMOS输出驱动器，主要为电池供电的手持设备（如手机、无绳电话、个人数字助理）而设计。在1.8V电源供电时，总工作功耗低至15μW。足够强度的北极或南极磁场都会使输出开启

数据手册

5+
￥1.5758
50+
￥1.2278
150+
￥1.0787
500+
￥0.8926

有货

立即购买

型号：SMCJ12A-13-F 编号：C135128

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=13.3V VC=19.9V IPP=75.3A 单向

数据手册

5+
￥1.576287 ￥1.9953
50+
￥1.095582 ￥1.5878
150+
￥0.833729 ￥1.4131
500+
￥0.705168 ￥1.1952
3000+
￥0.647938 ￥1.0982
6000+
￥0.613541 ￥1.0399

有货

立即购买

型号：DF01S-T 编号：C110491

封装：DF-S

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降，高电流能力。浪涌过载额定值达50A峰值。专为表面贴装应用设计。 UL列于认可组件索引下，文件编号E525394。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.618
50+
￥1.2752
150+
￥1.1284

有货

立即购买

型号：ZABG6003JA16TC 编号：C211381

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

该系列设备旨在以最少的外部组件满足卫星接收器低噪声模块 (LNB) 中常用的 GaAs 和 HEMT FET 的偏置要求，同时在最小电压电源下运行并使用最小电流。该设备有六个 FET 偏置级。为了优化系统的噪声和增益，六个级中的两个级的漏极电流可以在 4mA 至 15mA 的范围内进行编程。通过连接到 RCAL1 引脚的电阻器来实现对 FET D1 和 D4 的漏极电流的编程。其余四个 FET D2、D3、D5 和 D6 的漏极电流在内部设置为 10mA。放大器级的漏极电压设置为 2.0V，并限制电流至其相关 RCAL 电阻器设置的近似电流

数据手册

1+
￥1.6188 ￥2.28
10+
￥1.2261 ￥2.01
30+
￥0.9639 ￥1.89
100+
￥0.8925 ￥1.75
500+
￥0.8568 ￥1.68
1000+
￥0.8364 ￥1.64

有货

立即购买

型号：AP2553FDC-7 编号：C211419

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

AP2552/53 和 AP2552A/53A 是单通道精密可调限流开关，针对需要精密限流的应用进行了优化，或可在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将限流阈值设置在 75mA 至 2.36A（典型值）之间。在高限流设置下，限流精度可达 ±6%

数据手册

5+
￥1.6378
50+
￥1.2747
150+
￥1.119
500+
￥0.9249
3000+
￥0.7952

有货

立即购买

型号：AP7361C-Y5-13 编号：C507885

封装：SOT-89-5

品牌：DIODES(美台)

是一款 1A、可调且固定输出电压的超低压差线性稳压器，带有使能功能。该器件包括传输元件、误差放大器、带隙基准、电流限制和热关断电路。当 EN 引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流特性使其适用于中低功率应用，例如笔记本电脑、音频和视频应用以及电池供电设备。典型静态电流约为 60μA。内置电流限制和热关断功能可防止 IC 在故障条件下损坏。提供 U-DFN3030-8 (Type E)、SOT89-5、SOT223、TO252 (DPAK) 和 SO-8EP 封装。

数据手册

5+
￥1.6463
50+
￥1.2762
150+
￥1.1175
500+
￥0.9196

有货

立即购买

型号：AL1692S-13 编号：C397924

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

是高性能、高功率因数、高效率和高电流的精密降压-升压和反激式可调光LED控制器/驱动器，适用于可控硅调光LED灯应用。该拓扑结构可在较宽的线路和负载调节范围内提供精确的输出电流。宽开关频率工作在边界传导模式（BCM），以简化EMI/EMC设计和测试，满足最新的监管标准。控制器搭配外部MOSFET可支持高达25W的更高输出功率应用

数据手册