美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZXTP07040DFFTA 编号：C445507

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

这款低压PNP晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

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型号：DMT69M8LFV-7 编号：C2928690

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

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型号：DMT4011LFG-7 编号：C264099

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：AP63203WU-7 编号：C780769

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP63200/AP63201/AP63203/AP63205是一款2A同步降压转换器，输入电压范围宽，为3.8V至32V，并且完全集成了一个125mΩ的高端功率MOSFET和一个68mΩ的低端功率MOSFET，以提供高效的降压式DC/DC转换。由于采用峰值电流模式控制以及集成补偿网络，AP63200/AP63201/AP63203/AP63205器件通过减少外部元件数量，使用起来十分便捷。

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型号：PI6ULS5V9617AUEX 编号：C526728

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

该器件是CMOS集成电路，用于Fast-mode Plus (Fm+) I2C总线或SMBus应用。它可以提供低电压(低至0.6V)和高电压(2.2V至5.5V)之间的电平转换。

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型号：SBRT15U100SP5-13 编号：C2934601

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

采用紧凑且散热高效的PowerDI5封装，提供极低的正向电压（VF），并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。

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型号：FZT560TA 编号：C264100

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-500V。高连续电流：IC =-150mA。峰值脉冲电流：ICM =-500mA。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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型号：AH3564Q-SA-7 编号：C2152593

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

AH3564Q是一款符合AECQ100标准的高压、高灵敏度霍尔效应全极开关IC，专为汽车应用中的位置和接近感应而设计，例如座椅和安全带扣、转向锁/防盗系统、变速杆、变速箱执行器和档位、HVAC压缩机、雨刮器、车门/后备箱关闭检测等。为支持各种严苛应用，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3564Q采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，可在整个工作范围内提供可靠的解决方案

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型号：PI3USB221AZUAEX 编号：C526712

封装：UQFN-10(1.5x2)

品牌：DIODES(美台)

高带宽开关，专为高速 USB 2.0 信号切换设计。支持 2.5V 和 3.3V 电源电压操作，低功耗模式下电流消耗仅为 2 μA。

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型号：DMT6010LFG-7 编号：C461113

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：DMT10H010LPS-13 编号：C530905

封装：PowerDI-5060-8

品牌：DIODES(美台)

新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电池电源管理和负载开关。

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型号：DMP22M2UPS-13 编号：C264093

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代P沟道增强型MOSFET专为在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻RDS(ON)降至最低而设计。

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型号：ZXMP6A17GQTA 编号：C461144

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能，这使其成为高效电源管理应用的理想之选。

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型号：FZT593TA 编号：C526625

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。高连续电流：IC = -1A。峰值脉冲电流：ICM = -2A。低饱和电压。互补NPN类型。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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型号：ZXTP2012GTA 编号：C508267

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO-60V。 IC =-5.5A 连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) <-70mV 最大值 @-1A。 RSAT = 39mΩ @-5A，低等效导通电阻。 hFE 指定至-10A，高增益保持。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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型号：DMTH4008LPSQ-13 编号：C5221856

封装：PowerDI-5060-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC - Q101认证，并提供生产件批准程序（PPAP）文件支持，非常适合用于以下场景：无刷直流电机控制、直流 - 直流转换器、负载开关

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型号：PI3EQX7502AIZDEX 编号：C526708

封装：TQFN-24-EP(4x4)

品牌：DIODES(美台)

低功耗，高性能5.0 Gbps信号ReDriver，专为USB 3.0协议设计。提供可编程均衡、去加重和输入阈值控制，以优化各种物理介质上的性能。

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型号：ZXTP03200BGTA 编号：C508265

封装：SOT-223-4

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCBO > -200V。 IC = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -5A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -160mV @ IC = -1A。 RSAT = 135mΩ，低等效导通电阻。增强的开关性能。应用：DC-DC 转换

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型号：AH8502-FDC-7 编号：C842152

封装：DFN2020-6-EP

品牌：DIODES(美台)

AH8502是一款微功耗线性霍尔效应传感器，具有8位输出分辨率。输出电压与电源电压成比例，且与垂直于器件标记面的磁通密度成正比。输出零电压为电源电压的一半

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型号：ZVP0545GTA 编号：C435961

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

P沟道 -450V -75A

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型号：ZVP3306A 编号：C211372

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-60V,-160mA

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型号：DMTH6016LSD-13 编号：C397954

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)) 并保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：ZRC330F03TA 编号：C460619

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZRC330采用带隙电路设计，实现了3.3伏的精密微功耗电压基准。该器件采用小外形表面贴装封装，非常适合对节省空间要求较高的应用。 ZRC330的设计无需外部电容即可提供稳定的电压，并且在容性负载下也能保持稳定。建议ZRC330在20μA至5mA的电流范围内工作，因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大电流25mA的情况下，仍能保持出色的性能。此外，其坚固的设计和20伏处理能力使该基准能够承受高达200mA的瞬态电流和影响。卓越的开关能力使器件仅需几微秒即可达到稳定的工作状态。

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型号：FZT790ATA 编号：C460090

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 Ic Max.-3A 高连续电流。 IcM Max.-6A 峰值脉冲电流。极低的等效导通电阻；RCE (sat) 在 2A 时为 125mΩ。在 IC = 1A 时 hFE 为 200，且饱和电压极低。互补 NPN 型：FZT690B。应用：DC-DC 转换器。警报器驱动器

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型号：ZVN4525E6TA 编号：C508256

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

这款250V增强型N沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格参数。它具备高效的功率处理能力、高阻抗，且不会出现热失控和热致二次击穿现象。

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型号：MBRB20200CT-13 编号：C132215

封装：TO-263-2

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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型号：PI4MSD5V9543ALEX 编号：C2674741

封装：TSSOP-14

品牌：DIODES(美台)

是一种双向转换开关，由I²C总线控制。可选择任何单独的SCx/SDx通道或通道组合，由可编程控制寄存器的内容决定。有两个上游对扩展到两个下游对，还提供中断输入INTO和INT1（每个下游对一个）以及一个中断输出INT（作为两个中断输入的与）。

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型号：FZT688BTA 编号：C460087

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：极低的等效导通电阻；在3A时，RCE(sat)为83mΩ。在IC = 3A时增益为400，且饱和电压非常低。应用：闪光灯转换器。电池供电电路

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型号：ZDT6790TA 编号：C460114

封装：SOT-223-8

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管：BVCEO > 45V。VCE(sat) < 100mV @ Ic = 100mA。连续电流 Ic = 2A。 PNP晶体管：BVCEO > -40V。VCE(sat) < -250mV @ Ic = -500mA。连续电流 Ic = -2A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

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型号：PI6C48535-11BLIEX 编号：C5245998

封装：TSSOP-20

品牌：DIODES(美台)

是高性能低抖动和低偏斜的LVPECL扇出缓冲器，具有可选的单端时钟或晶体输入，并转换为四个LVPECL输出。CLK输入接受LVCMOS或LVTTL信号。输出在CLK_EN引脚异步断言/去断言期间与输入时钟同步。适用于晶体或LVCMOS/LVTTL到LVPECL的转换。典型的时钟转换和分配应用包括数据通信和电信。

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