美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMN2310UT-13 编号：C5711683

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

5+
￥0.4997
50+
￥0.4427
150+
￥0.4143
500+
￥0.3929
2500+
￥0.3758
5000+
￥0.3673

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型号：74LVC1G97DW-7 编号：C460532

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G97 是一款单路三输入、正向可配置多功能门电路，具备标准推挽输出。输出状态由三位输入的八种组合模式决定。用户可选择复用器（MUX）、与门（AND）、或门（OR）、与非门（NAND）、或非门（NOR）、反相器或同相缓冲器等逻辑功能

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5+
￥0.5058
50+
￥0.3977
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￥0.3437
500+
￥0.3031

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型号：DFLS240-7 编号：C124195

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。高电流能力。低泄漏电流。专利联锁夹设计，具备高浪涌电流容量。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

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10+
￥0.5122
100+
￥0.4168
300+
￥0.3691

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型号：74AUP1G07SE-7 编号：C842321

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

先进超低功耗（AUP）CMOS 逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池续航而设计。74AUP1G07 是一款单缓冲门，具有漏极开路输出，设计工作的电源电压范围为 0.8V 至 3.6V。

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5+
￥0.530147 ￥1.2329
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￥0.421314 ￥0.9798
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￥0.374659 ￥0.8713
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￥0.31648 ￥0.736
3000+
￥0.290594 ￥0.6758
6000+
￥0.275028 ￥0.6396

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型号：DMN60H080DS-13 编号：C6934856

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这新一代产品采用先进的平面技术MOSFET，具备出色的高电压性能和快速开关特性，非常适合小信号和电平转换应用。

5+
￥0.5355
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￥0.472
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￥0.4402
500+
￥0.4164
2500+
￥0.3973

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型号：PR1007G-T 编号：C461812

封装：DO-41

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速开关，高效能。浪涌过载额定值达30A峰值。低反向漏电流。无铅表面处理；符合RoHS标准

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5+
￥0.542304 ￥0.5649
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￥0.40119 ￥0.4665
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￥0.317224 ￥0.4174
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￥0.28918 ￥0.3805
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￥0.26676 ￥0.351
5000+
￥0.255588 ￥0.3363

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型号：BAV116HWF-7 编号：C2988280

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

是一款85V、5nA和3μs的开关二极管，针对超低漏电流进行了优化。

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5+
￥0.5481
50+
￥0.444
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￥0.392
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￥0.353
3000+
￥0.3218

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型号：AZ1117CH-5.0TRG1 编号：C99342

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差三端稳压器，针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压应用进行了优化。该设备具备限流和热关断功能。其电路包含一个微调带隙基准，以确保输出电压精度在 ±1% 以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用导致结温过高。有 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻，可调版本可通过两个外部电阻设置输出电压。提供行业标准的 TO252-2 系列（包括 TO252-2 (3)、TO252-2 (4) 和 TO252-2 (5)）、SOT89 和 SOT223 封装。

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5+
￥0.5601
50+
￥0.4518
150+
￥0.3977
500+
￥0.3572
2500+
￥0.3247
4000+
￥0.2571

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型号：DMN62D1LFD-7 编号：C461042

封装：X1-DFN1212-3

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.568
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￥0.4614
150+
￥0.408
500+
￥0.368
3000+
￥0.336

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型号：BAV23A-7-F 编号：C150453

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。适用于电池供电的便携式应用。高反向击穿电压。低泄漏电流。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性

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10+
￥0.5836
100+
￥0.4648
300+
￥0.4054
3000+
￥0.3609

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型号：AS331KTR-G1 编号：C513286

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

AS331由一个单精密电压比较器组成，其典型输入失调电压为1.0mV，且具有高电压增益。它专门设计用于在宽电压范围内由单电源供电运行。

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5+
￥0.5997
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￥0.4795
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￥0.4195
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￥0.3744

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型号：TL431BSA-7 编号：C97730

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

TL431和TL432是三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性和高达100 mA的输出电流处理能力。通过选择两个外部分压电阻，输出电压可设置为2.5至36 V之间的任意选定电压。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，这些器件可作为齐纳二极管的替代品。TL431的电气规格与行业标准“431”相同，有两个等级可供选择，A 级和 B 级的初始公差分别为1%和0.5%。

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5+
￥0.601
50+
￥0.4762
150+
￥0.4138
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￥0.367
3000+
￥0.2944

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型号：B160Q-13-F 编号：C134434

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足商业应用的一般需求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管、阻塞二极管、飞轮二极管。

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5+
￥0.607
50+
￥0.487
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￥0.427
500+
￥0.382
2500+
￥0.346

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型号：B340B-13-F 编号：C85099

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。浪涌过载额定值达125A峰值。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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5+
￥0.6164
50+
￥0.4996
150+
￥0.4412
500+
￥0.3974

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型号：DMN3190LDW-7 编号：C154750

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

双N沟道,30V,1A,190mΩ@10V

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5+
￥0.6171
50+
￥0.5034
150+
￥0.4466
500+
￥0.404

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型号：DMN2056U-13 编号：C5208862

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6248
50+
￥0.561
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￥0.5291
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￥0.5052
2500+
￥0.486
5000+
￥0.4765

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型号：PD3Z284C5V1-7 编号：C180195

封装：PowerDI323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。超小型表面贴装封装。无铅设计，符合 RoHS 标准。“绿色”模塑料（无溴、锑）。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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5+
￥0.657
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￥0.5287
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￥0.4646
500+
￥0.4165

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型号：LMV331SE-7 编号：C151353

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

LMV331/LMV393系列是低压（2.7V至5.5V）单路和双路比较器，旨在有效降低低压水平下的成本和占用空间。这些器件的规格达到或超过了大家熟知的LM331/LM393器件，且工作电源电压更低，电源电流消耗也低得多。 LMV331采用5引脚SOT353/SOT25封装，可减少PC板和便携式电子设备的占用空间。LMV393采用行业标准的SOP - 8和MSOP - 8封装。 LMV331/LMV393是低压单路/双路通用比较器。它们的单电源工作电压范围为2.7V至5.5V；共模输入电压范围从负电源以下 - 0.1V延伸至正电源0.8V以内。 LMV331/393系列采用BiCMOS工艺制造，具有双极型输入和输出级，可改善噪声性能。对于便携式消费产品而言，在电路设计中，空间、低电压、低功耗和价格是主要规格要求，该系列是一种经济高效的解决方案。

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