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首页 > 热门关键词 > 美台驱动芯片
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这款MOSFET旨在将导通电阻降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效率电源管理应用。
数据手册
  • 1+

    ¥0.888 ¥1.85
  • 10+

    ¥0.703 ¥1.85
  • 30+

    ¥0.518 ¥1.85
  • 有货
  • 74LVC1G07Q是一款符合汽车应用标准的单路缓冲器,具有漏极开路输出。该器件设计用于1.65V至5V的电源电压范围。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8952
    • 50+

      ¥0.7161
    • 150+

      ¥0.6265
    • 500+

      ¥0.5594
  • 有货
  • 是一款150mA的超低压降(ULDO)稳压器,提供非常低的噪声、超低的压降电压(在150mA时典型值为165mV)、非常低的待机电流(最大1μA),以及出色的电源纹波抑制(PSRR在100Hz时为75dB)。用于电池供电的应用,如手机和个人数字助理(PDA);以及对噪声敏感的应用,如射频(RF)电子设备。还具有逻辑兼容的使能/关断控制输入、用于延长电池寿命的低功耗关断模式、过流保护、过温保护和反向电流保护。有可调的2.5V、2.6V、2.8V、3.0V和3.3V版本。采用节省空间的SOT-23-5和SOT-89封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9155
    • 50+

      ¥0.7331
    • 150+

      ¥0.6419
    • 500+

      ¥0.5735
  • 有货
  • 是CMOS工艺的低压差线性稳压器,具有使能功能,可提供保证的600mA(最小值)连续负载电流。提供1.2V、1.8V、2.5V、2.6V或3.3V的固定输出电压。输出精度为±1.5%,具有非常快速的环路响应,可出色应对线路和负载瞬变。包括自动放电功能,当设备禁用时,通过60Ω电阻将输出连接到地。具有低功耗特性,提供SOT25、SOT89-5和SO-8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9533
    • 50+

      ¥0.8217
    • 150+

      ¥0.7653
    • 500+

      ¥0.695
  • 有货
  • VBR=66.7V VC=96.8V IPP=6.2A 单向
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9538
    • 50+

      ¥0.7531
    • 150+

      ¥0.6528
    • 500+

      ¥0.5776
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合用于高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9666
    • 50+

      ¥0.7949
    • 150+

      ¥0.709
    • 500+

      ¥0.6446
    • 2500+

      ¥0.5824
  • 有货
  • 特性:极低的饱和电压。 500mW 功耗。 1A 连续集电极电流 (Ic)。应用:适用于对空间和重量要求严苛的应用
    • 5+

      ¥0.9693
    • 50+

      ¥0.8534
    • 150+

      ¥0.8037
    • 500+

      ¥0.7417
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9706
    • 50+

      ¥0.8087
    • 150+

      ¥0.7277
    • 500+

      ¥0.667
  • 有货
  • 采用低外形 D-FLAT 封装的整流器。提供超快恢复时间,实现高效率,非常适合一般整流应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9902
    • 50+

      ¥0.8621
    • 150+

      ¥0.8071
    • 500+

      ¥0.7386
    • 2500+

      ¥0.7081
    • 5000+

      ¥0.6898
  • 有货
    • 1+

      ¥1.0011
    • 10+

      ¥0.8821
    • 30+

      ¥0.8311
    • 100+

      ¥0.7674
    • 500+

      ¥0.7391
    • 1000+

      ¥0.7221
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 超快恢复时间,实现高效率。 浪涌过载额定值达50A峰值。 非常适合自动装配。 无铅涂层,符合RoHS标准。 采用绿色模塑料(无卤素和锑)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0075
    • 50+

      ¥0.7961
    • 150+

      ¥0.7055
    • 500+

      ¥0.5924
  • 有货
  • 74LVC2G14 是一款具有标准推挽输出的双施密特触发器反相门。该器件设计用于 1.65V 至 5V 的电源电压范围。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0331
    • 50+

      ¥0.8075
    • 150+

      ¥0.7108
    • 500+

      ¥0.5901
  • 有货
  • 是一款600mA、可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该设备包括传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时,设备开启。低压差和低静态电流特性使其适用于如电池供电设备等低功耗应用。典型静态电流约为35μA。内置电流限制和热关断功能,可防止IC在故障条件下损坏。该设备具有0.8V至5.0V的可调输出,以及0.8V、1.0V、1.2V、1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V和3.9V的固定输出版本。有SOT25、SOT89、SOT223和UDFN2020-6封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0407
    • 50+

      ¥0.8702
    • 150+

      ¥0.7849
    • 500+

      ¥0.721
    • 3000+

      ¥0.6698
    • 6000+

      ¥0.6442
  • 有货
  • TLV431Q是一款三端可调并联稳压器,具有出色的温度稳定性,输出电流处理能力高达20mA。通过选择两个外部分压电阻,可将输出电压设置为1.24V至18V之间的任意选定电压。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中,TLV431Q可作为齐纳二极管的替代品
    数据手册
    • 5+

      ¥1.041255 ¥1.2855
    • 50+

      ¥0.803436 ¥1.1316
    • 150+

      ¥0.650016 ¥1.0656
    • 500+

      ¥0.599813 ¥0.9833
    • 3000+

      ¥0.577426 ¥0.9466
    • 6000+

      ¥0.564006 ¥0.9246
  • 有货
  • 特性:功率耗散:3.0W。 非常适合自动组装。 标称齐纳电压范围:6.2V-200V。 标准Vz公差:45%。 人体模型静电放电等级:3级(>16kV)。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    • 5+

      ¥1.0562
    • 50+

      ¥0.866
    • 150+

      ¥0.7708
    • 500+

      ¥0.6995
  • 有货
  • AP2161和AP2171是集成式高端功率开关,专为通用串行总线(USB)和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准,且使能输入有两种极性可选。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0658
    • 50+

      ¥0.8339
    • 150+

      ¥0.7346
    • 500+

      ¥0.6106
    • 3000+

      ¥0.5554
  • 有货
  • 是一款40伏、0.5A的肖特基势垒整流器,针对低正向压降和低漏电流进行了优化,采用紧凑的芯片级封装(CSP),仅占用0.6mm²的电路板空间。低热阻使设计人员能够应对提高效率的设计挑战,同时减少电路板空间。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0928
    • 50+

      ¥0.8625
    • 150+

      ¥0.7638
    • 500+

      ¥0.6407
    • 2500+

      ¥0.5858
  • 有货
  • 特性:600W 峰值脉冲功率耗散。 5.0V 至 200V 关态电压。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0954
    • 50+

      ¥0.8515
    • 150+

      ¥0.747
    • 500+

      ¥0.6165
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 350V。 集电极电流高:Ic = 500mA。 功耗:350mW。 hFE为15(Ic = 100mA时)。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1061
    • 50+

      ¥0.9194
    • 150+

      ¥0.8261
    • 500+

      ¥0.756
  • 有货
  • VBR=11.1V VC=17V IPP=35.3A 双向
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1164
    • 50+

      ¥0.805101 ¥0.8657
    • 150+

      ¥0.629389 ¥0.7583
    • 500+

      ¥0.518169 ¥0.6243
    • 3000+

      ¥0.468618 ¥0.5646
    • 6000+

      ¥0.438904 ¥0.5288
  • 有货
  • 这款新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合,使其非常适合用于手机、数码相机和 MP3 播放器等便携式应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1532
    • 50+

      ¥0.9235
    • 150+

      ¥0.825
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层;符合RoHS标准。无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1577
    • 50+

      ¥0.9326
    • 150+

      ¥0.8361
    • 500+

      ¥0.7157
  • 有货
  • AP2126 系列是采用 CMOS 工艺制造的正电压调节器 IC。AP2126 系列具有低压差、低噪声、高输出电压精度和低电流消耗等特点,使其非常适合用于各种电池供电设备。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1637
    • 50+

      ¥0.9236
    • 150+

      ¥0.8207
    • 500+

      ¥0.6923
  • 有货
  • 特性:225W 峰值脉冲功率耗散(10 μs x 1000 μs 波形)。 出色的钳位能力。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
    • 5+

      ¥1.1658
    • 50+

      ¥1.0292
    • 150+

      ¥0.9707
    • 500+

      ¥0.8976
  • 有货
  • 是一款40伏1A的肖特基势垒整流器,针对低正向压降和低漏电流进行了优化,采用紧凑的芯片级封装(CSP),仅占用0.6mm²的电路板空间。低热阻使设计人员能够应对提高效率的设计挑战,同时减少电路板空间。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1874
    • 50+

      ¥0.9196
    • 150+

      ¥0.8049
    • 500+

      ¥0.6617
    • 2500+

      ¥0.5979
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达125A峰值。 无铅表面处理;符合RoHS标准
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1911
    • 50+

      ¥0.9233
    • 150+

      ¥0.8085
    • 1200+

      ¥0.6653
  • 有货
  • VBR=7.78V VC=12V IPP=50A 双向
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1948
    • 50+

      ¥0.86158 ¥0.9365
    • 150+

      ¥0.677156 ¥0.8258
    • 500+

      ¥0.563914 ¥0.6877
    • 3000+

      ¥0.513484 ¥0.6262
    • 6000+

      ¥0.483226 ¥0.5893
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2221
    • 50+

      ¥0.9805
    • 150+

      ¥0.8769
    • 500+

      ¥0.7477
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2307
    • 50+

      ¥1.0714
    • 150+

      ¥1.0031
    • 500+

      ¥0.918
    • 3000+

      ¥0.88
  • 有货
  • 是高速CMOS器件。接受输入引脚A0、A1和A2上的三位二进制加权地址,启用时将产生一个低电平有效输出,其余七个为高电平。有两个低电平有效使能输入E1和E2,以及一个高电平有效使能输入E3。禁用状态下所有输出为高电平。使能状态为E1和E2为低电平且E3为高电平。多个使能线允许解码器并行扩展,无需额外部件即可创建4到16线版本,添加一个反相器可创建5到32线版本。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2442
    • 50+

      ¥0.9877
    • 150+

      ¥0.8778
    • 500+

      ¥0.7407
  • 有货
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