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首页 > 热门关键词 > 美台驱动芯片
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SOT363封装，50V互补预偏置晶体管
型号：DCX124EU-7-F 编号：C460190
封装：SOT-363
品牌：DIODES(美台)
特性：供电电压 VO = 50V。 偏置电阻范围。 表面贴装封装，适合自动组装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
数据手册

  • 10+

    ￥0.4091

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    ￥0.3288

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    ￥0.2887
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    独立式 耐压:3.9V 电流:3uA
    型号：BZT52C3V9T-7 编号：C151623
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4112

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      ￥0.2887
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    1对共阴极 耐压:6.2V
    型号：DZ23C6V2-7-F 编号：C5244892
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

    • 10+

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    独立式 耐压:5.1V 电流:0.2uA
    型号：GDZ5V1LP3-7 编号：C531176
    封装：0201
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小型无铅表面贴装封装 (0.6×0.3mm)。 超薄封装 (0.3mm)。 非常适合自动化组装工艺。 低泄漏电流，适用于电池供电应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4229

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      ￥0.183347 ￥0.2209
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    SOT363封装，50V互补预偏置晶体管
    型号：DCX114YUQ-7-F 编号：C7500644
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：供电电压 VO = 50V。 偏置电阻范围。 表面贴装封装，适合自动组装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

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    电压:70V 电流:70mA
    型号：BAS70W-05-7-F 编号：C134390
    封装：SOT-323-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低开启电压。 快速开关。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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    200V 200mA
    型号：BAS21Q-7-F 编号：C507900
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 表面贴装封装，非常适合自动插入。 用于通用开关应用。 高电导率。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
    数据手册

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      ￥0.435

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    表面贴装精密齐纳二极管
    型号：MMBT4403T-7-F 编号：C460229
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：300mW功率耗散（FR-4 PCB）。 齐纳电压（Vz）容差极小。 非常适合自动化组装流程。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用；这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
    数据手册

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      ￥0.455

    • 100+

      ￥0.3686

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    DDTC114ECAQ-7-F
    型号：DDTC114ECAQ-7-F 编号：C17347785
    封装：SOT-23-3
    品牌：DIODES(美台)

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.63A
    型号：DMG1012T-13 编号：C3280264
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 ESD防护高达2kV。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

    • 10+

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    电压:30V 电流:1A
    型号：1N5818-T 编号：C156296
    封装：DO-41
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层，符合 RoHS 标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.46949 ￥0.4942

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      ￥0.34136 ￥0.4016

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      ￥0.266475 ￥0.3553

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      ￥0.20925 ￥0.279
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    1对共阳极 耐压:22.06V 电流:100nA@17V
    型号：AZ23C22-7-F 编号：C260871
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：双齐纳二极管共阳极配置。 功率耗散额定值：300mW。 非常适合自动插入。 同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。 提供共阴极样式。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该器件符合JEDEC高可靠性标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4723

    • 100+

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    • 300+

      ￥0.3306
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    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMBT2907AT-7-F 编号：C154716
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型。 超小表面贴装封装。 也有无铅版本
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4751

    • 100+

      ￥0.3801

    • 300+

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    • 3000+

      ￥0.2969
  • 有货
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    100V 250mA
    型号：BAW56HDW-13 编号：C5248603
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 高反向击穿电压。 低泄漏电流。 低电容。 适用于通用开关应用。 一个封装内有两个电路。 完全无铅，完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，环保器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

    • 5+

      ￥0.4827

    • 50+

      ￥0.3862

    • 150+

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    • 500+

      ￥0.3018

    • 2500+

      ￥0.2728

    • 5000+

      ￥0.2584
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    可配置多功能门电路
    型号：74LVC1G57W6-7 编号：C460531
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC1G57是一款单路3输入正逻辑可配置多功能门电路，具有标准推挽输出。输出状态由3位输入的八种组合决定
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4919

    • 50+

      ￥0.3859

    • 150+

      ￥0.3328

    • 500+

      ￥0.2931
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:25V 电流:0.26A
    型号：DMG301NU-13 编号：C2759894
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (Rₒₙ)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4928

    • 50+

      ￥0.4282

    • 150+

      ￥0.3959

    • 500+

      ￥0.3717

    • 2500+

      ￥0.3523

    • 5000+

      ￥0.3426
  • 有货
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    20V 200mA
    型号：SBR0220T5-7 编号：C700438
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 卓越的反向雪崩能力。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 150℃工作结温。 无铅表面处理，符合RoHS标准。 “绿色”模塑料 (无溴、锑)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5108

    • 100+

      ￥0.4235

    • 300+

      ￥0.3798
  • 有货
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    双路和四路运算放大器
    型号：LM2902S14-13 编号：C2060319
    封装：SO-14
    品牌：DIODES(美台)
    LM2902/LM2904系列放大器分别由四个和两个独立的高增益运算放大器组成，具有极低的输入失调电压规格。它们设计用于在宽电压范围内的单电源供电；不过，也可以采用双电源供电。它们的电源电流较低，且与电源电压的大小无关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.517882 ￥0.8929

    • 50+

      ￥0.37728 ￥0.786

    • 150+

      ￥0.281276 ￥0.7402

    • 500+

      ￥0.25954 ￥0.683

    • 2500+

      ￥0.24985 ￥0.6575

    • 5000+

      ￥0.244074 ￥0.6423
  • 有货
    • 立即购买
    100V 200mA
    型号：BAS16HTWQ-13R 编号：C5124967
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 高反向击穿电压。 低泄漏电流。 低电容。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5253

    • 50+

      ￥0.4269

    • 150+

      ￥0.3777

    • 500+

      ￥0.3408

    • 2500+

      ￥0.3112

    • 5000+

      ￥0.2965
  • 有货
    • 立即购买
    85V 215mA
    型号：BAV199T-7-F 编号：C212300
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    整流二极管
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5255

    • 100+

      ￥0.4252

    • 300+

      ￥0.3751
  • 有货
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    耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：200ns
    型号：1N4935G-T 编号：C5245049
    封装：DO-41
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 扩散结。 快速开关，高效能。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 无铅表面处理，符合RoHS标准

    • 5+

      ￥0.5352

    • 50+

      ￥0.4317

    • 150+

      ￥0.3799

    • 500+

      ￥0.3411

    • 2500+

      ￥0.3101
  • 有货
    • 立即购买
    SOT323封装，50V NPN预偏置晶体管
    型号：DDTC123YUA-7-F 编号：C526539
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 内置偏置电阻。 适合自动组装的表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5446

    • 100+

      ￥0.4518

    • 300+

      ￥0.4054

    • 3000+

      ￥0.3706
  • 有货
    • 立即购买
    单反相器
    型号：74LVC1G04W5-7 编号：C460517
    封装：SOT-25
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC1G04是一款带标准推挽输出的单反相器门电路。该器件设计用于在1.65V至5V的电源电压范围内工作。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.545

    • 100+

      ￥0.4531

    • 300+

      ￥0.4071
  • 有货
    • 立即购买
    电压:80V 电流:1A
    型号：B180-13-F 编号：C155354
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗，高效率。 适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接：端子在 +260℃ 下持续 10 秒。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：极性保护二极管。 续流二极管
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5516

    • 50+

      ￥0.4441

    • 150+

      ￥0.3904

    • 500+

      ￥0.35

    • 2500+

      ￥0.3178
  • 有货
    • 立即购买
    12V 100nA@9V
    型号：DZ23C12Q-7-F 编号：C7269427
    封装：SOT-23-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：双齐纳二极管共阴极配置。 300mW 功率耗散。 非常适合自动插入。 同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。 提供共阳极样式，参见 AZ 系列。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。 可提供生产件批准程序 (PPAP)

    • 5+

      ￥0.5522

    • 50+

      ￥0.4442

    • 150+

      ￥0.3902

    • 500+

      ￥0.3497
  • 有货
    • 立即购买
    80V 500mA
    型号：MMBD4448HCDW-7-F 编号：C5249028
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 低正向电压：5mA时最大0.72V。 低反向电流：70V时最大100nA。 快速反向恢复：最大4ns。 低电容：最大3.5pF。 小表面贴装封装。 适用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

    • 5+

      ￥0.5574

    • 50+

      ￥0.4875

    • 150+

      ￥0.4525

    • 500+

      ￥0.4263

    • 2500+

      ￥0.4054

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    SOT23封装的PNP预偏置晶体管
    型号：ADTA143ECAQ-7 编号：C526355
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 内置偏置电阻，R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
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    SBRT3U60SA-13-01
    型号：SBRT3U60SA-13-01 编号：C5144613
    封装：-
    品牌：DIODES(美台)

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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BVC-7 编号：C150761
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 45V。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.81A
    型号：DMP21D6UFB4-7B 编号：C3282099
    封装：X2-DFN1006-3
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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