美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MURS320-13-F 编号：C95637

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达75A峰值。非常适合自动组装。无铅涂层/符合RoHS标准。绿色模塑料（无卤素和锑）

数据手册

5+
￥1.1569
50+
￥1.0385
150+
￥0.9878
500+
￥0.9245
3000+
￥0.8924

有货

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型号：D3V3F4U6S-7 编号：C1869321

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±15kV，接触放电 ±8kV。 4通道ESD保护。最大工作电压：VRWM = 3.3V。典型通道输入电容低至0.85pF。通常用于高速端口，如USB 2.0、IEEE1394、Serial ATA、DVI、HDMI、PCI。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.1775
50+
￥0.946
150+
￥0.8467
500+
￥0.7229
3000+
￥0.6678

有货

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型号：DFLZ24-7 编号：C780819

封装：PowerDI123

品牌：DIODES(美台)

特性：1W功率耗散（FR-4 PCB）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中所引用），具有高可靠性。有符合汽车标准的产品（单独的数据手册）

数据手册

5+
￥1.2034
50+
￥0.9508
150+
￥0.8426
500+
￥0.7076

有货

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型号：HD04-T 编号：C110510

封装：MiniDIP

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动装配。微型封装，节省PCB空间。 UL认可组件索引下列出，文件编号E94661。无铅表面处理，符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.21
50+
￥0.9728
150+
￥0.8712
500+
￥0.7444

有货

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型号：PDS360-13 编号：C397957

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗，高效率。低反向漏电流。适用于高频逆变器、续流和极性保护应用。高正向浪涌电流能力。无铅涂层；符合 RoHS 标准。应用：高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥1.2507
50+
￥0.998
150+
￥0.8897
500+
￥0.7545
2500+
￥0.6943

有货

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型号：US1GWF-7 编号：C150485

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

采用SOD123F（标准）封装的整流器，适用于功率因数校正电路中的升压二极管。适用于高温条件下的超快开关速度AC-AC和DC-DC转换器的二次整流和续流，用于消费类应用。

数据手册

5+
￥1.2727
50+
￥0.9928
150+
￥0.8729
500+
￥0.7232

有货

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型号：ZXMN3B01FTA 编号：C212304

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代沟槽MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，适用于高效、低电压电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.2917
50+
￥1.0282
150+
￥0.9152
500+
￥0.7742
3000+
￥0.7115

有货

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型号：RS1MB-13-F 编号：C154864

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达30A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

5+
￥1.3362
50+
￥1.0996
150+
￥0.9983
500+
￥0.8718

有货

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型号：DZT5551-13 编号：C155393

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。连续集电极电流 IC = 600mA。低饱和电压（最大150mV @ 10mA）。 hFE在高达50mA时指定，以实现高增益保持。互补PNP类型：DZT5401。应用：高压放大应用。高压开关应用

数据手册

5+
￥1.428
50+
￥1.1356
150+
￥1.0103
500+
￥0.854
2500+
￥0.7844

有货

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型号：QSBT40-7-F 编号：C139443

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

4通道TVS

数据手册

5+
￥1.4339
50+
￥1.154
150+
￥1.0341
500+
￥0.8844

有货

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型号：TLV271IW5-7 编号：C435846

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

TLV27x 为 TLC27x 系列运算放大器提供了一种高性能替代方案。这些器件在扩展工业温度范围内将最低工作电源电压降至 2.7V，同时增加了轨到轨输出摆幅特性。这使其成为在需要轨到轨输出摆幅的应用中替代 TLC27x 系列的理想选择

数据手册

5+
￥1.4719
50+
￥1.1796
150+
￥1.0543
500+
￥0.898
3000+
￥0.8115

有货

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型号：DMP3056LSD-13 编号：C508209

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.5376
50+
￥1.2315
150+
￥1.1003
500+
￥0.9366
2500+
￥0.8637

有货

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型号：SDT5A100SAF-13 编号：C6802581

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

提供非常低的正向电压（VF），在高温下具有极其出色的反向泄漏稳定性，适合用作整流器、续流二极管或阻塞二极管。

5+
￥1.5427
50+
￥1.2255
150+
￥1.0896
500+
￥0.92
2500+
￥0.8445
5000+
￥0.7992

有货

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型号：DXT5551P5-13 编号：C5260571

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：比SO7223小43%，比TO252小60%。最大高度仅1.1mm。额定功率高达2.25W。集电极-发射极击穿电压（BVCEO）> 160V。集电极电流（Io(sch)） = 0.6A。无铅，符合RoHS标准。应用：电信线路驱动器

数据手册

5+
￥1.5454
50+
￥1.3513
150+
￥1.2682
500+
￥1.109
2500+
￥1.0628
5000+
￥1.0351

有货

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型号：ES2BA-13-F 编号：C156286

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层，符合RoHS标准。采用绿色模塑料（无卤素和锑）

数据手册

5+
￥1.5673
50+
￥1.2654
150+
￥1.1359
500+
￥0.9745
2500+
￥0.8196

有货

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型号：2DA1971-7 编号：C531173

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。IC = -0.5A 连续集电极电流。ICM = 1A 峰值脉冲电流。高增益:hFE = 140 @ IC = -100mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。应用：高压开关

数据手册

5+
￥1.6226
50+
￥1.3135
150+
￥1.181
1000+
￥1.0158
2000+
￥0.9422

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型号：PI3B3126LEX 编号：C3001683

封装：TSSOP-14

品牌：DIODES(美台)

DIODES PI3B系列逻辑电路采用公司先进的亚微米CMOS技术生产，达到了行业领先的速率等级。PI3B3125和PI3B3126是3.3伏、4位总线开关，设计有四个独立的5Ω总线开关，并具有快速独立使能功能，符合行业标准74XX125/126引脚布局。当通过相应的总线使能（BE）引脚启用时，“A”引脚直接连接到该特定门的“B”引脚。总线开关不会引入额外的传播延迟或额外的地弹噪声。PI3B3125设备具有低电平有效使能，而PI3B3126具有高电平有效使能。接近零传播延迟的5欧姆开关将输入连接到输出。快速切换速度-最大4纳秒。超低静态功耗（典型值0.1微安），使其非常适合笔记本电脑应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。不含卤素和锑。“绿色”器件。

数据手册

1+
￥1.7745 ￥1.95
10+
￥1.5471 ￥1.91
30+
￥1.3348 ￥1.88
100+
￥1.3135 ￥1.85

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型号：DMP1005UFDF-7 编号：C461046

封装：UDFN2020-6-EP

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.7746
50+
￥1.4022
150+
￥1.2426
500+
￥1.0434

有货

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型号：PD3S230H-7 编号：C155289

封装：PowerDI323

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装。用于瞬态保护的保护环芯片结构。高浪涌能力。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-0101标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.8108
50+
￥1.4194
150+
￥1.2516
500+
￥1.0423
3000+
￥0.9492

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型号：AZ1117ID-3.3TRG1 编号：C2926306

封装：TO-252-2

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差三端稳压器，针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压进行了优化。该器件提供限流和热关断功能。其电路包括一个微调带隙基准，以确保输出电压精度在±1%以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用可能导致的结温过高。有1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5.0V固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻。也有一个可调版本，可以用两个外部电阻设置输出电压。有行业标准的SOT223和TO252-2封装。

数据手册

5+
￥1.8263
50+
￥1.4516
150+
￥1.2909
500+
￥1.0905
2500+
￥1.0013
5000+
￥0.9478

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型号：ZLLS1000TA 编号：C151633

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：低等效导通电阻。极低泄漏电流：典型值为6μA（30V时）。高电流能力：IF = 1.16A。低VF，快速开关肖特基二极管。 SOT23封装。与低温等效型号ZHCS1000互补。应用：DC-DC转换器。闪光灯

数据手册

5+
￥1.9435
50+
￥1.5653
150+
￥1.4032
500+
￥1.201
3000+
￥1.0661

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型号：LM4040C30FTA 编号：C460608

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

LM4040是一系列带隙电路，旨在实现2.5V、3.0V、3.3V、4.096V和5.0V的精密微功耗电压基准。这些器件有初始容差为0.2%的B级、0.5%的C级和1%的D级可供选择。它们采用小外形SOT23表面贴装封装，非常适合对空间要求苛刻的应用。在60μA至15mA的工作电流范围内，器件性能出色，典型温度系数仅为20ppm/°C。该器件设计为对容性负载具有高耐受性，可保持出色的稳定性。此器件是LM4040电压基准的引脚兼容替代方案。

数据手册

5+
￥1.9797
50+
￥1.5863
150+
￥1.4176
500+
￥0.984
3000+
￥0.8903

有货

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型号：ZXTN2031FTA 编号：C92166

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。 BVCEV > 80V 正向阻断电压。 IC = 5A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值集电极电流。低饱和电压，VCE(SAT) < 40mV @1A。 RCE(SAT) = 24mΩ 低等效导通电阻。应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。电机驱动

数据手册

1+
￥2.02
10+
￥1.44
30+
￥1.15
100+
￥0.87
500+
￥0.69
1000+
￥0.6

有货

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型号：AP7380-33W5-7 编号：C115094

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

是一款正电压调节器IC，具有宽输入电压范围、高精度、低压差、限流和超低静态电流等特性，适用于各种USB和便携式设备及仪器应用。该IC由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络、用于电流保护的限流电路和芯片使能电路组成。有1.8V、3.0V、3.3V、3.6V、4.15V、4.4V和5.0V固定输出电压版本。采用节省空间的SOT25和SOT89（选项2）封装。

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