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PNP 电流:0.5A 电压:400V

型号：FZT758TA 编号：C99123

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。 IC = -500mA 高连续电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -50mA。 hFE > 40 指定至 -200mA 以实现高电流增益保持。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.58
30+
￥2.29
100+
￥1.92
500+
￥1.76
1000+
￥1.67

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:7.7A

型号：DMP6023LFGQ-7 编号：C461094

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有PPAP支持，适用于背光电源管理功能和DC-DC转换器。

数据手册

1+
￥3.51
10+
￥2.78
30+
￥2.47
100+
￥2.08
500+
￥1.9
1000+
￥1.8

有货

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NPN 120V 1.5A

型号：FZT605TA 编号：C155225

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 120V。 BVcBo > 140V。 IC = 1.5A 高连续电流。 hFE > 2k 高增益 (G) A。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑 “绿色” 器件。应用：灯。继电器

数据手册

1+
￥3.58
10+
￥2.86
30+
￥2.55
100+
￥2.16
500+
￥1.99
1000+
￥1.89

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:60A

型号：DMP22M2UPS-13 编号：C264093

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代P沟道增强型MOSFET专为在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻RDS(ON)降至最低而设计。

数据手册

1+
￥3.59
30+
￥3.5182 ￥3.59

有货

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NPN 电流:2A 电压:60V

型号：ZTX651 编号：C262768

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：60伏集电极-发射极电压（VCEO）。 2安连续电流。低饱和电压。总功率（Ptot）为1瓦

数据手册

1+
￥3.75
10+
￥2.92
30+
￥2.56
100+
￥2.12
500+
￥1.92
1000+
￥1.8

有货

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单通道智能负载开关

型号：DML3006LFDS-7 编号：C2149933

封装：DFN2020-8-EP

品牌：DIODES(美台)

DIODES公司的DML3006LFDS负载开关提供了一种可减少元件数量和占用面积的解决方案，能通过软启动实现高效的电源域切换并限制浪涌电流。除了具备超低导通电阻的集成控制功能外，该器件还能通过故障保护和电源正常信号提供系统保护和监控功能。这种高性价比的解决方案非常适合需要低功耗、小尺寸的电源管理和热插拔应用

数据手册

1+
￥3.81
10+
￥3.14
30+
￥2.81
100+
￥2.48
500+
￥2.28
1000+
￥2.17

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：DMP4010SK3Q-13 编号：C5359358

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，适用于以下方面：DC-DC转换器、电源管理功能、背光。

1+
￥4.33
10+
￥3.4
30+
￥2.94
100+
￥2.48
500+
￥2.2
1000+
￥2.06

有货

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NPN 120V 1A

型号：ZTX605 编号：C443658

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：120 Volt VCEO。 1 Amp连续电流。在Ic = 1 Amp时增益为2K。 Ptot = 1 Watt

数据手册

1+
￥4.4745 ￥4.71
10+
￥3.4 ￥4
30+
￥2.73 ￥3.64
100+
￥2.4675 ￥3.29
500+
￥2.31 ￥3.08
1000+
￥2.2275 ￥2.97

有货

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2个P沟道耐压:40V 电流:7.6A

型号：DMP4025LSD-13 编号：C150763

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-40V,-5.8A,25mΩ@-10V

数据手册

1+
￥4.55
10+
￥3.57
30+
￥3.07
100+
￥2.58
500+
￥2.22
1000+
￥2.07

有货

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2Mbps;;;24Mbps 1位双向电平转换器

型号：PI4ULS3V204ZBEX 编号：C2677445

封装：TQFN-14-EP(3.5x3.5)

品牌：DIODES(美台)

PI4ULS3V204是一款4位可配置双电源双向自动感应电平转换器，无需方向控制引脚。A端口和B端口分别用于跟踪两个不同的电源轨VCCA和VCCB。VCCA和VCCB电源轨均可在1.1V至3.6V范围内进行配置

数据手册

1+
￥4.89
10+
￥3.95
30+
￥3.48
100+
￥2.88
500+
￥2.6
1000+
￥2.46

有货

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NPN 电流:6A 电压:100V

型号：FZT853TA 编号：C435890

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 6A，高连续集电极电流。 ICM = 10A，峰值脉冲电流。低饱和电压，VCE(SAT) < 150mV @ 2A。 RCE(SAT) = 50mΩ，低等效导通电阻。 hFE指定至10A，高增益保持。互补PNP类型：FZT953。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，高可靠性

数据手册

1+
￥5.13
10+
￥4.21
30+
￥3.74
100+
￥3.29
500+
￥3.01

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:90A

型号：DMT10H009LK3-13 编号：C6540284

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关的特点，非常适合用于高效电源管理应用。

1+
￥5.78
10+
￥4.61
30+
￥4.02
100+
￥3.44
500+
￥3.09
1000+
￥2.91

有货

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1个P沟道耐压:450V 电流:45mA

型号：ZVP0545A 编号：C526788

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：450V VDS。 RDS(on) = 150Ω

数据手册

1+
￥6.2177 ￥6.41
10+
￥5.1504 ￥5.92
30+
￥4.3505 ￥5.65
100+
￥4.1195 ￥5.35
500+
￥4.0194 ￥5.22
1000+
￥3.9732 ￥5.16

有货

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单通道高端功率开关

型号：ZXMS81045SPQ-13 编号：C5201726

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

ZXMS81045SPQ 是一款单通道高端功率开关，采用 SO - 8EP（E 型）外露散热片封装，集成了保护和诊断功能。该器件包含一个单片 N 沟道垂直功率 MOSFET，集成了温度和电流传感器以及电荷泵栅极电源，在关断状态下具有低静态电流。

数据手册

1+
￥6.24
10+
￥5.12
30+
￥4.56
100+
￥4.01
500+
￥3.68
1000+
￥3.5

有货

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输出1A 降压型驱动

型号：ZXLD1360ET5TA 编号：C131112

封装：TSOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

是一款连续模式电感降压转换器，集成开关和高端电流检测功能。可在7V至30V的输入电源下工作，能高效驱动单个或多个串联LED，外部可调输出电流高达1mA。已通过AEC-Q100 1级认证，可在-40℃至125℃的环境温度下工作。输出电流可通过向ADJ引脚施加直流电压或PWM波形进行调节，使用PWM控制时输出电流可实现100:1的调节。向ADJ引脚施加0.2V或更低电压可关闭输出，并使设备进入低电流待机状态。

数据手册

1+
￥7.55
10+
￥6.4296 ￥6.84
30+
￥5.418 ￥6.45
100+
￥5.0484 ￥6.01
500+
￥4.8888 ￥5.82
1000+
￥4.8132 ￥5.73

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：DMTH8003SPS-13 编号：C434455

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。开关同步整流DC-DC转换器

数据手册

1+
￥8.23
10+
￥7.26
30+
￥6.72
100+
￥6.12
500+
￥5.85
1000+
￥5.73

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：MMBT4401-7-F 编号：C151826

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于中功率放大和开关。互补PNP型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

20+
￥0.2009
200+
￥0.1561
600+
￥0.1312
3000+
￥0.1162

有货

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耐压:100V 电流:1A 反向恢复时间：200ns

型号：1N4934-T 编号：C526204

封装：DO-41

品牌：DIODES(美台)

特性：扩散结。用于高效的快速开关。高电流能力和低正向压降。浪涌过载额定值达30A峰值。低反向泄漏电流。无铅表面处理，符合RoHS标准

数据手册

20+
￥0.243
200+
￥0.1917
600+
￥0.1632
5000+
￥0.1461

有货

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独立式耐压:4.7V 电流:2uA@2.0V

型号：BZT52C4V7SQ-7-F 编号：C507915

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。小表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.2437
100+
￥0.1949
300+
￥0.1705
3000+
￥0.1522
6000+
￥0.1375

有货

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独立式耐压:16V 电流:0.1uA@12V

型号：MMSZ5246B-7-F 编号：C74710

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

数据手册

20+
￥0.2525
200+
￥0.2043
600+
￥0.1776
3000+
￥0.1615

有货

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1个独立式耐压:14V 电流:0.05uA@11V

型号：DDZ14S-7 编号：C460840

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：非常尖锐的击穿特性。齐纳电压（Vz）容差非常小。非常适合自动化组装过程。极低的漏电流。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

10+
￥0.310401 ￥0.3411
100+
￥0.224532 ￥0.2772
300+
￥0.174092 ￥0.2452
3000+
￥0.157052 ￥0.2212
6000+
￥0.14342 ￥0.202
9000+
￥0.136604 ￥0.1924

有货

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电压:40V 电流:200mA

型号：BAS40-04-7-F 编号：C85101

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

200mA表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOT23（标准）封装，具有低正向压降和快速开关能力。该二极管设计有PN结保护环，用于瞬态和静电放电保护，完全无铅镀层，符合RoHS标准，是“绿色”器件。

数据手册

10+
￥0.3367
100+
￥0.2791
300+
￥0.2503
3000+
￥0.2049
6000+
￥0.1877

有货

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PNP预偏置小信号表面贴装晶体管

型号：ADTA114ECAQ-7 编号：C5245702

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

10+
￥0.3631
100+
￥0.2885
300+
￥0.2512
1000+
￥0.2233
5000+
￥0.2009

有货

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NPN预偏置小信号表面贴装晶体管

型号：DDTC143ZCAQ-13-F 编号：C526543

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1≠R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。可提供PPAP文件

数据手册

10+
￥0.369376 ￥0.3808
100+
￥0.269265 ￥0.3095
300+
￥0.210826 ￥0.2738
1000+
￥0.190267 ￥0.2471
5000+
￥0.173789 ￥0.2257
10000+
￥0.16555 ￥0.215

有货

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独立式耐压:3.57V 电流:10uA@1V

型号：DDZ3V6ASF-7 编号：C560270

封装：SOD-323F

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.3846
100+
￥0.3142
300+
￥0.2789
3000+
￥0.2422

有货

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双2输入与非门

型号：74LVC2G00HK3-7 编号：C842631

封装：XTDFN-8L(1x1.4)

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G00是一款双路二输入与非门。两个门电路均采用推挽输出，设计工作电源电压范围为1.65V至5.5V

数据手册

5+
￥0.392218 ￥0.5854
50+
￥0.29526 ￥0.518
150+
￥0.227668 ￥0.4844
500+
￥0.215777 ￥0.4591
2500+
￥0.206283 ￥0.4389
5000+
￥0.201536 ￥0.4288

有货

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PNP型预偏置小信号表面贴装晶体管

型号：DDTA123ECA-7-F 编号：C5124974

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型（DDTC）。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

数据手册

10+
￥0.3956
100+
￥0.3184
300+
￥0.2798
3000+
￥0.2412

有货

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电压:40V 电流:400mA

型号：SDM20E40C-7-F 编号：C139437

封装：SC-59-3

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒二极管专为低正向压降和极低的反向漏电流而设计。

数据手册

10+
￥0.3977
100+
￥0.3306
300+
￥0.2971
3000+
￥0.272
6000+
￥0.2518

有货

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单2输入异或门

型号：74LVC1G86SE-7 编号：C842497

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G86 是一款单路 2 输入异或门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5.5V 的电源电压范围

数据手册

10+
￥0.4382
100+
￥0.3524
300+
￥0.3095
3000+
￥0.2681
6000+
￥0.2423

有货

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P沟道耐压:30V 电流:2.7A

型号：DMP3160L-7 编号：C110540

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4445
100+
￥0.3579
300+
￥0.3146
3000+
￥0.2822
6000+
￥0.2562

有货

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