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关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

3V 300mA 5.25V

型号：AP7343D-30FS4-7B 编号：C6125644

封装：X2-DFN1010-4-EP

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差稳压器，具有高输出电压精度、低导通电阻 (RDS(ON))、高电源抑制比 (PSRR)、低输出噪声和低静态电流等特点。该稳压器基于CMOS工艺。包含一个电压基准、误差放大器、限流电路和一个使能输入，用于开启和关闭。通过集成电阻网络，可以提供固定输出电压版本。凭借其低功耗以及良好的线路和负载瞬态响应，适用于低功耗手持通信设备。采用X2-DFN1010-4 (Type B) 和SOT25封装，可实现最小的占位面积和密集的PCB布局。

10+
￥0.4666
100+
￥0.383
300+
￥0.3411
1000+
￥0.3098
5000+
￥0.2847
10000+
￥0.2721

有货

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电压:20V 电流:1A

型号：B120-13-F 编号：C134421

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

10+
￥0.4717
100+
￥0.3838
300+
￥0.3399
1000+
￥0.3069
5000+
￥0.2805

有货

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200V 200mA

型号：BAS21T-7-F 编号：C459833

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装。快速开关速度。适用于通用开关应用。高反向击穿电压。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.480102 ￥0.6958
50+
￥0.363617 ￥0.6163
150+
￥0.282534 ￥0.5766
500+
￥0.267932 ￥0.5468
3000+
￥0.25627 ￥0.523
6000+
￥0.250439 ￥0.5111

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.5A

型号：DMP2165UW-7 编号：C388477

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5237
50+
￥0.4188
150+
￥0.3664
500+
￥0.327

有货

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ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：5.5A@8/20us

型号：DT1240-04LP-7 编号：C444992

封装：UDFN2510-10

品牌：DIODES(美台)

特性：钳位电压：10A 100ns 时为 9V，5.5A 8μs/20μs 时为 9.4V。 IEC 61000-4-2（ESD）：空气放电 ±16kV，接触放电 ±14kV。 IEC 61000-4-4（EFT）：4 级。应用：USB 2.0

数据手册

5+
￥0.5738
50+
￥0.4713
150+
￥0.4201
500+
￥0.3816
3000+
￥0.3489

有货

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单路反相器

型号：74AHC1G04W5-7 编号：C460486

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

74AHC1G04是一款具有标准推挽输出的单反相器门电路。该器件设计用于2.0V至5.5V的电源电压范围。此门电路实现正布尔函数：引脚分配

数据手册

10+
￥0.6237
100+
￥0.4985
300+
￥0.4359
3000+
￥0.3281

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:2.5A

型号：DMP3125L-7 编号：C459542

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6666
50+
￥0.5077
150+
￥0.4282
500+
￥0.3686
3000+
￥0.3209

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:5.2A

型号：DMP1045U-7 编号：C177033

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6953
50+
￥0.5572
150+
￥0.4881
500+
￥0.4363

有货

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独立式耐压:15V 电流:1uA@11.4V

型号：1SMB5929B-13 编号：C460772

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6962
50+
￥0.6049
150+
￥0.5593
500+
￥0.525
3000+
￥0.4976

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:1.33A

型号：DMN2400UV-7 编号：C150493

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

双N沟道,20V,1.33A,0.48Ω@5V

数据手册

5+
￥0.7123
50+
￥0.5652
150+
￥0.4916
500+
￥0.4365
3000+
￥0.3924
6000+
￥0.3703

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:450mA

型号：DMN2990UDJ-7 编号：C332298

封装：SOT-963-6

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.7654
50+
￥0.6043
150+
￥0.5238
500+
￥0.4634
2500+
￥0.4151
5000+
￥0.3909

有货

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继电器驱动器复合阵列

型号：DRDNB16W-7 编号：C117854

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。一个包中包含一个晶体管和一个开关二极管。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，是“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7786
50+
￥0.6122
150+
￥0.5291
500+
￥0.4667

有货

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1.24V~18V 并联

型号：TLV431AFTA 编号：C189218

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

TLV431是一款三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性，可处理高达20mA的输出电流。通过选择两个外部分压电阻，输出电压可设置为1.24V至18V之间的任意选定值。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，TLV431可用作齐纳二极管的替代品

数据手册

5+
￥0.7804
50+
￥0.6128
150+
￥0.529
500+
￥0.4662
3000+
￥0.4159
6000+
￥0.3908

有货

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双向TVS 18V截止峰值脉冲电流：13.7A

型号：SMAJ18CA-13-F 编号：C134966

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7821
50+
￥0.6047
150+
￥0.516
500+
￥0.4495
2500+
￥0.3963
5000+
￥0.3697

有货

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停产 AL5890 400V 恒流 LED 驱动器

型号：AL5890-30P1-13 编号：C5329421

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

AL5890 是一款400V恒流LED驱动器，提供具有成本效益的两引脚解决方案。它具有良好的温度稳定性和在宽电压和温度范围内的电流精度<±2.0mA（典型值）。AL5890 提供多种或预设的输出电流选项，无需外部电流设置电阻，为LED系列创建简单的驱动解决方案。AL5890支持LED链的高侧和低侧驱动。当IN和OUT之间的电压大于7V时，AL5890启动。长LED链应用可支持高达400V的工作电压，受限于封装的热限制。AL5890 采用热性能优良的PowerDI123（Type B）、SOT89 和 TO252（标准）封装。

数据手册

5+
￥0.7923
50+
￥0.6989
150+
￥0.6589
500+
￥0.5756
2500+
￥0.5534
5000+
￥0.54

有货

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单向TVS 26V截止峰值脉冲电流：9.5A

型号：SMAJ26A-13-F 编号：C134975

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8112
50+
￥0.6608
150+
￥0.5856
500+
￥0.5293
2500+
￥0.4841
5000+
￥0.4616

有货

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双路反相器，带漏极开路输出

型号：74LVC2G06FZ4-7 编号：C842625

封装：X2-DFN1409-6

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G06 是一款具有漏极开路输出的双反相器门电路。该器件设计用于电源电压范围为 1.65V 至 5V 的工作环境。

数据手册

5+
￥0.825316 ￥1.2137
50+
￥0.620252 ￥1.0694
150+
￥0.4836 ￥1.0075
500+
￥0.446592 ￥0.9304
2500+
￥0.43008 ￥0.896
5000+
￥0.420192 ￥0.8754

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:3.8A

型号：DMG6601LVT-7 编号：C278728

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.8658
50+
￥0.7016
150+
￥0.6195
500+
￥0.5579
3000+
￥0.5087

有货

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独立式耐压:18V 电流:1uA@13.7V

型号：1SMB5931B-13 编号：C151423

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8878
50+
￥0.7087
150+
￥0.6192
500+
￥0.552
3000+
￥0.4983

有货

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双向TVS 26V截止峰值脉冲电流：9.5A

型号：SMAJ26CA-13-F 编号：C134976

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9218
50+
￥0.7185
150+
￥0.6169
500+
￥0.5407
2500+
￥0.4797
5000+
￥0.4492

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4.7A

型号：DMP2045UFY4-7 编号：C2987009

封装：X2-DFN2015-3

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.9392
50+
￥0.7376
150+
￥0.6368
500+
￥0.5612
3000+
￥0.4755

有货

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降压型 2A 2.7V~5.5V

型号：AP3429KTTR-G1 编号：C507879

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

AP3429/A 是一款 2A 降压型 DC - DC 转换器。在重载情况下，恒定频率 PWM 控制具有出色的稳定性和瞬态响应，无需外部补偿元件。AP3429/A 支持 2.7V 至 5.5V 的输入电压范围，可使用单节 Li+/锂聚合物电池、多节碱性/镍氢电池及其他标准电源

数据手册

5+
￥0.9415
50+
￥0.7298
150+
￥0.6391
500+
￥0.5259
3000+
￥0.4755
6000+
￥0.4452

有货

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独立式耐压:6.2V 电流:5uA

型号：1SMB5920B-13 编号：C507853

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.0148
50+
￥0.8131
150+
￥0.7266
500+
￥0.6188
3000+
￥0.5708

有货

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NPN 电流:600mA 电压:160V

型号：DZT5551-13 编号：C155393

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。连续集电极电流 IC = 600mA。低饱和电压（最大150mV @ 10mA）。 hFE在高达50mA时指定，以实现高增益保持。互补PNP类型：DZT5401。应用：高压放大应用。高压开关应用

数据手册

5+
￥1.0282
50+
￥0.9064
150+
￥0.8542
500+
￥0.789

有货

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独立式耐压:10V 电流:5uA@7.5V

型号：DFLZ10-7 编号：C151371

封装：Power-DI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：1W功率耗散（FR-4 PCB）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中所引用），具有高可靠性。有符合汽车标准的产品（单独的数据手册）

数据手册

5+
￥1.0594
50+
￥0.8686
150+
￥0.7733
500+
￥0.7018

有货

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单向TVS 54V截止峰值脉冲电流：4.6A

型号：SMAJ54A-13-F 编号：C134996

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.0845
50+
￥0.842
150+
￥0.738
500+
￥0.6083
2500+
￥0.5505

有货

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电压:100V 电流:5A

型号：SDT5A100SAF-13 编号：C6802581

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

提供非常低的正向电压（VF），在高温下具有极其出色的反向泄漏稳定性，适合用作整流器、续流二极管或阻塞二极管。

5+
￥1.1002
50+
￥0.9681
150+
￥0.9114
500+
￥0.8408
2500+
￥0.8093
5000+
￥0.7904

有货

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双向TVS 18V截止峰值浪涌电流：20.5A

型号：SMBJ18CA-13-F 编号：C129585

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：600W 峰值脉冲功率耗散。 5.0V 至 200V 关态电压。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.1195
50+
￥0.8678
150+
￥0.7599
500+
￥0.6253
3000+
￥0.5654

有货

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电压:80V 电流:2A

型号：B280-13-F 编号：C134445

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：肖特基势垒芯片。用于瞬态保护的保护环芯片结构。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达60A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：引脚处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.1342
50+
￥0.9494
150+
￥0.857
500+
￥0.7877
3000+
￥0.7323

有货

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3.3V 300mA 6V

型号：AP7332-3333W6-7 编号：C155362

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

3.3V/3.3V双固定输出，Iout=300mA，Vin=6V(Max)

数据手册

5+
￥1.194815 ￥1.2577
50+
￥0.941035 ￥1.1071
150+
￥0.781875 ￥1.0425
500+
￥0.7215 ￥0.962
3000+
￥0.694575 ￥0.9261
6000+
￥0.67845 ￥0.9046

有货

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