美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMN2990UFZ-7B 编号：C155298

封装：X2-DFN0606-3

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5335
50+
￥0.4255
150+
￥0.3715
500+
￥0.331
2500+
￥0.2986
5000+
￥0.2824

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型号：DMP3099L-13 编号：C412516

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道-30V -3.8A

数据手册

5+
￥0.5445
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￥0.4257
150+
￥0.3663
500+
￥0.3217
2500+
￥0.2861
5000+
￥0.2682

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型号：AP2204R-5.0TRG1 编号：C156388

封装：SOT-89-3

品牌：DIODES(美台)

采用高压EPNP工艺制造的正电压调节器IC。具有宽输入电压范围、高精度、高纹波抑制、低压差电压、低噪声、限流和超低静态电流等特点，适用于各种USB和便携式设备。该IC由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络、用于电流保护的限流电路和芯片使能电路组成。有1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、5.0V固定电压版本和可调电压版本。采用节省空间的SOT-23-5、SOT-89和PSOP-8封装。

数据手册

5+
￥0.5685
50+
￥0.5026
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￥0.4697
1000+
￥0.445
2000+
￥0.4252
5000+
￥0.4153

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型号：SM05-7 编号：C460613

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：300瓦峰值脉冲功率 (tp = 8×20μs)。 IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电15kV，接触放电8kV。双共阳极TVS。 SOT23封装，允许两种独立的单向配置或单个双向配置。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.6076
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￥0.4807
150+
￥0.4172
500+
￥0.3696
3000+
￥0.3315
6000+
￥0.3125

有货

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型号：B140B-13-F 编号：C134426

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

5+
￥0.6096
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￥0.4829
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￥0.4195
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￥0.372
3000+
￥0.3114
6000+
￥0.2924

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型号：D1213A-04TS-7 编号：C460588

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±15kV，接触放电 ±8kV。 4通道ESD保护。典型通道输入电容低至0.85pF。通常用于高速端口，如USB 2.0、IEEE1394、Serial ATA、DVI、HDMI、PCI。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.6134
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￥0.5349
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￥0.4957
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￥0.4663
3000+
￥0.4207
6000+
￥0.4089

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型号：AZ431LBNTR-G1 编号：C154868

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

AZ431L系列集成电路（IC）是低压三端可调稳压器，在整个工作范围内能保证热稳定性。这些IC具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器、主板及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。通过两个外部电阻，输出电压可设置在1.24V至18V之间的任意值

数据手册

5+
￥0.6679
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￥0.5015
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￥0.4182
500+
￥0.3558
3000+
￥0.2871
6000+
￥0.2621

有货

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型号：BSS127S-7 编号：C154890

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这新一代产品采用先进的平面技术 MOSFET，具备出色的高电压性能和快速开关特性，非常适合小信号和电平转换应用。

数据手册

5+
￥0.668
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￥0.5451
150+
￥0.4837
500+
￥0.4376
3000+
￥0.3488
6000+
￥0.3303

有货

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型号：SMAJ33A-13-F 编号：C134981

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6843
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￥0.5566
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￥0.4927
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￥0.4448
2500+
￥0.4065
5000+
￥0.3873

有货

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型号：D15V0H1U2LP-7B 编号：C1973850

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

新一代TVS旨在保护敏感电子设备免受ESD损坏。小尺寸和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

数据手册

5+
￥0.6984
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￥0.5588
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￥0.4891
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￥0.4367
2500+
￥0.3949
5000+
￥0.3739

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型号：DMN2400UV-7 编号：C150493

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

双N沟道,20V,1.33A,0.48Ω@5V

数据手册

5+
￥0.7123
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￥0.5652
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￥0.4916
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￥0.4365
3000+
￥0.3924
6000+
￥0.3703

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型号：SMAJ8.0CA-13-F 编号：C135017

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7406
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￥0.4951
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￥0.4337
2500+
￥0.3656
5000+
￥0.341

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型号：SMAJ28A-13-F 编号：C134977

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7518
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￥0.6007
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￥0.5252
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￥0.4685
2500+
￥0.4232

有货

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型号：SMAJ30A-13-F 编号：C134979

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7671
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￥0.4879
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￥0.4432
5000+
￥0.4209

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型号：SMAJ18CA-13-F 编号：C134966

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7821
50+
￥0.6047
150+
￥0.516
500+
￥0.4495
2500+
￥0.3963
5000+
￥0.3697

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型号：ES1G-13-F 编号：C85108

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7963
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￥0.6444
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￥0.5685
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￥0.5115
2500+
￥0.4519
5000+
￥0.4291

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型号：ZXTN25012EFLTA 编号：C460289

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力实现了高电流增益保持，使该器件非常适合需要高脉冲电流的应用。

数据手册

5+
￥0.808896 ￥1.2639
50+
￥0.61425 ￥1.1375
150+
￥0.476696 ￥1.0834
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￥0.446952 ￥1.0158
3000+
￥0.433708 ￥0.9857
6000+
￥0.425744 ￥0.9676

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型号：DMG1024UV-7 编号：C2759893

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：双N沟道MOSFET。低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。超小表面贴装封装。无铅设计/符合RoHS标准。 ESD保护高达2KV。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.8227
50+
￥0.6686
150+
￥0.5915
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￥0.5337
3000+
￥0.4875

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型号：DMG3404L-7 编号：C96615

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.8859
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￥0.6905
150+
￥0.5929
500+
￥0.5196
3000+
￥0.461

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型号：B2100AE-13 编号：C526416

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：极性保护二极管。再循环二极管

数据手册

5+
￥0.9356
50+
￥0.7418
150+
￥0.645
500+
￥0.5723
2500+
￥0.4821

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型号：AP2210N-5.0TRG1 编号：C460341

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

是一款300mA的超低压差线性稳压器（ULDO），提供极低的噪声、超低的压差（在300mA时典型值为250mV）、极低的待机电流（最大1μA）和出色的电源纹波抑制比（在100Hz时PSRR为75dB）。该器件用于电池供电的应用，如手机和个人数字助理（PDA）；以及对噪声敏感的应用，如射频（RF）电子设备。还具有独立的逻辑兼容使能/关断控制输入、用于延长电池寿命的低功耗关断模式、过流保护、过温保护和反向电流保护。有2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、3.6V、4.0V、5.0V和可调版本。采用节省空间的SOT-23-3和SOT-23-5封装。

数据手册

5+
￥0.943
50+
￥0.7593
150+
￥0.6674
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￥0.5986
3000+
￥0.5434
6000+
￥0.5159

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型号：AP1534SG-13 编号：C110462

封装：SOP-8

品牌：DIODES(美台)

AP1534是一款采用PWM控制的降压转换器,具有低纹波、高效率和出色的瞬态特性。该器件包括参考电压源、振荡电路、误差放大器和内部P沟道MOSFET。它支持3.6V到18V的输入电压范围,输出电压可在0.8V到Vcc之间调节,最大输出电流为2A。内置过流保护和短路保护功能。

数据手册

5+
￥0.9573
50+
￥0.8111
150+
￥0.7485
500+
￥0.6703
2500+
￥0.6355
5000+
￥0.6146

有货

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型号：FMMT495TC 编号：C5157727

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥0.9655
50+
￥0.7638
150+
￥0.663
500+
￥0.5873
2500+
￥0.5268
5000+
￥0.4966

有货

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型号：SMAJ8.5CA-13-F 编号：C135019

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9676
50+
￥0.785
150+
￥0.6937
500+
￥0.6252
2500+
￥0.5704

有货

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型号：BAV21WSQ-7-F 编号：C435864

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高反向击穿电压。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.9708
50+
￥0.8071
150+
￥0.7252
500+
￥0.6638
3000+
￥0.6147

有货

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型号：ES2D-13-F 编号：C151030

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层，符合RoHS标准。采用绿色模塑料（无卤素和锑）

数据手册

5+
￥1.0075
50+
￥0.7961
150+
￥0.7055
500+
￥0.5924

有货

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型号：DZT5551-13 编号：C155393

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。连续集电极电流 IC = 600mA。低饱和电压（最大150mV @ 10mA）。 hFE在高达50mA时指定，以实现高增益保持。互补PNP类型：DZT5401。应用：高压放大应用。高压开关应用

数据手册

5+
￥1.0282
50+
￥0.9064
150+
￥0.8542
500+
￥0.789

有货

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型号：AL3353S-13 编号：C2678811

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

AL3353 是一款高度集成且成本效益高的发光二极管（LED）控制器，专为液晶显示器（LCD）监视器和液晶电视背光应用优化设计。它提供高性能的 LED 背光解决方案，并具有低物料清单成本。该芯片包含一个 PWM 升压驱动器，采用电流模式控制和固定频率操作来调节 LED 电流。通过外部电流检测电阻感应 LED 电流，将检测电阻上的电压与400mV 的参考电平进行比较；误差被放大以控制功率开关的脉冲宽度从而调节流过LED的电流。AL3353 提供 PWM 到模拟调光模式，适用于广泛的调光控制范围。它具有全面的保护功能，包括电源 MOSFET 过流保护（OCP）、输出过压保护（OVP）、二极管和电感短路保护、LED 阴极接地短路保护、IC 电源欠压锁定（UVLO）、LED 开路保护、VOUT 短路保护以及过温保护（OTP）。AL3353 可以采用无铅 SO-8 (Type TH2) 封装。

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