美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DDZ16ASF-7 编号：C460845

封装：SOD-323F

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.423
100+
￥0.3414
300+
￥0.3005
3000+
￥0.2699

有货

立即购买

型号：DMN2990UFZ-7B 编号：C155298

封装：X2-DFN0606-3

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.501
50+
￥0.3881
150+
￥0.3317
500+
￥0.2894
2500+
￥0.2555
5000+
￥0.2386

有货

立即购买

型号：B0520WS-7-F 编号：C124198

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。高电导。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准以实现高可靠性

数据手册

5+
￥0.5313
50+
￥0.4338
150+
￥0.385
500+
￥0.3485
3000+
￥0.3192

有货

立即购买

型号：DCX124EK-7-F 编号：C460189

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。内置偏置电阻。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5473
50+
￥0.4465
150+
￥0.3961
500+
￥0.3583
3000+
￥0.3281

有货

立即购买

型号：BCW66HTA 编号：C95984

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。高连续集电极电流：IC = 800mA。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 100mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

数据手册

5+
￥0.5503
50+
￥0.4471
150+
￥0.3955
500+
￥0.3568
3000+
￥0.3258

有货

立即购买

型号：AZ1117CH-5.0TRG1 编号：C99342

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差三端稳压器，针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压应用进行了优化。该设备具备限流和热关断功能。其电路包含一个微调带隙基准，以确保输出电压精度在 ±1% 以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用导致结温过高。有 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻，可调版本可通过两个外部电阻设置输出电压。提供行业标准的 TO252-2 系列（包括 TO252-2 (3)、TO252-2 (4) 和 TO252-2 (5)）、SOT89 和 SOT223 封装。

数据手册

5+
￥0.5601
50+
￥0.4518
150+
￥0.3977
500+
￥0.3572
2500+
￥0.3247
4000+
￥0.2571

有货

立即购买

型号：DMG6602SVT-7 编号：C110497

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5639
50+
￥0.5032
150+
￥0.4728
500+
￥0.45
3000+
￥0.3797
6000+
￥0.3706

有货

立即购买

型号：DMN62D0LFB-7B 编号：C6934858

封装：X1-DFN1006-3

品牌：DIODES(美台)

5+
￥0.5749
50+
￥0.5119
150+
￥0.4804
500+
￥0.4567
2500+
￥0.4378
5000+
￥0.4284

有货

立即购买

型号：DMN3042L-7 编号：C102621

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能，适用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6146
50+
￥0.507
150+
￥0.4532
500+
￥0.4129
3000+
￥0.3281
6000+
￥0.312

有货

立即购买

型号：US1J-13-F 编号：C85095

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达30A峰值。高电流能力。非常适合自动组装。无铅表面处理，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6857
50+
￥0.559
150+
￥0.4956
500+
￥0.4481
2500+
￥0.4101
5000+
￥0.3662

有货

立即购买

型号：BAT54LPS-7 编号：C134412

封装：X2-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关。超小型无铅表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。本产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.7162
50+
￥0.5819
150+
￥0.5147
500+
￥0.4643
3000+
￥0.4241

有货

立即购买

型号：SMAJ40A-13-F 编号：C134985

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7167
50+
￥0.5823
150+
￥0.515
500+
￥0.4646
2500+
￥0.4243

有货

立即购买

型号：ZVP3306FTA 编号：C151017

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：60V VDS。 RDS(on) = 14Ω

数据手册

5+
￥0.731573 ￥1.0919
50+
￥0.495273 ￥0.8689
150+
￥0.363451 ￥0.7733
500+
￥0.307427 ￥0.6541
3000+
￥0.28247 ￥0.601
6000+
￥0.267477 ￥0.5691

有货

立即购买

型号：SMAJ30CA-13-F 编号：C134980

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7495
50+
￥0.6091
150+
￥0.539
500+
￥0.4863
2500+
￥0.3895

有货

立即购买

型号：DFLS260Q-7 编号：C526562

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严苛要求而设计，非常适合用作以下器件：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

5+
￥0.7566
2500+
￥0.6844

有货

立即购买

型号：AP2204R-3.3TRG1 编号：C156303

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

是一款采用高压EPNP工艺制造的正电压调节器IC。具有宽输入电压范围、高精度、高纹波抑制、低压差、低噪声、限流和超低静态电流等特点，适用于各种USB和便携式设备。该IC由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络、用于电流保护的限流电路和芯片使能电路组成。有1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、5.0V固定电压版本和可调电压版本。采用节省空间的SOT-23-5、SOT-89和PSOP-8封装。

数据手册

5+
￥0.7578
50+
￥0.669
150+
￥0.631
1000+
￥0.5835
2000+
￥0.5624
5000+
￥0.5497

有货

立即购买

型号：AP2151WG-7 编号：C110464

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

AP2141和AP2151是集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入具有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控上升时间和欠压锁定功能

数据手册

5+
￥0.766
50+
￥0.597
150+
￥0.5126
500+
￥0.4492
3000+
￥0.3985
6000+
￥0.3732

有货

立即购买

型号：SMAJ8.0CA-13-F 编号：C135017

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.782
50+
￥0.6211
150+
￥0.5406
500+
￥0.4802
2500+
￥0.4132
5000+
￥0.3891

有货

立即购买

型号：D1213A-04TS-7 编号：C460588

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±15kV，接触放电 ±8kV。 4通道ESD保护。典型通道输入电容低至0.85pF。通常用于高速端口，如USB 2.0、IEEE1394、Serial ATA、DVI、HDMI、PCI。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.8174
50+
￥0.6551
150+
￥0.5739
500+
￥0.5131
3000+
￥0.4454
6000+
￥0.421

有货

立即购买

型号：DMN10H220L-7 编号：C102615

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.8188
50+
￥0.6588
150+
￥0.5789
500+
￥0.5189
3000+
￥0.4539
6000+
￥0.4299

有货

立即购买

型号：SMAZ6V8-13-F 编号：C151039

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8325
50+
￥0.6967
150+
￥0.6289
500+
￥0.578
2500+
￥0.5372
5000+
￥0.5169

有货

立即购买

型号：BAT54CDW-7-F 编号：C134406

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

2对共阴极

数据手册

5+
￥0.8557
50+
￥0.6817
150+
￥0.5947
500+
￥0.5294
3000+
￥0.4772

有货

立即购买

型号：RS1AB-13-F 编号：C151035

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达30A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

5+
￥0.8626
50+
￥0.6911
150+
￥0.6053
500+
￥0.5409
3000+
￥0.468

有货

立即购买

型号：AP4310AMTR-G1 编号：C24898

封装：SOP-8

品牌：DIODES(美台)

AP4310A 是一款专为调节开关电池充电器和电源供应器的输出电流和电压水平而设计的单片 IC。该设备包含两个运算放大器和一个2.5V精密分流电压基准源。运算放大器1用于电压控制，其非反相输入端内部连接到分流稳压器的输出；运算放大器2用于电流控制，其两端未指定连接。IC 为电源转换设计师提供了一个控制解决方案，具有更高的精度，并相应地减少了系统复杂性和成本。AP4310A 可以采用 SO-8 封装。

数据手册