美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZXMP10A13FQTA 编号：C513080

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC Q101 标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于 DC-DC 转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制。

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1+
￥2.95
10+
￥2.37
30+
￥2.13
100+
￥1.82
500+
￥1.68
1000+
￥1.6

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型号：DMP2022LSS-13 编号：C154919

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-10A,13mΩ@-10V

数据手册

5+
￥3.0328
50+
￥2.4784
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￥2.2408
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￥1.3773

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型号：PAM8904JPR 编号：C780875

封装：UQFN3030-12

品牌：DIODES(美台)

是一款集成电荷泵升压转换器的压电发声器驱动器，能够在5.5V电源下驱动陶瓷/压电发声器，输出24Vₚ₋ₚ电压。电荷泵可在1倍、2倍或3倍模式下工作。升压转换器以1.0MHz的固定频率工作，只需最少的外部组件即可提供12V输出，可驱动高达15nF的负载。独特的驱动技术提供小浪涌电流、低电磁干扰和高效率。内置自动关机和唤醒功能，可保证更长的电池寿命，具备热关断、过流保护、过压保护和欠压锁定功能。有16引脚U-QFN3030-16（B型）、12引脚U-QFN3030-12（A型）或12引脚U-QFN2020-12（UX型）封装。

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1+
￥3.11
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￥2.43
30+
￥2.14
100+
￥1.78
500+
￥1.53
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￥1.44

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型号：ZVN4424GTA 编号：C154893

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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1+
￥3.28
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￥2.6
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￥2.3
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￥1.93
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￥1.77
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型号：FZT953TA 编号：C110507

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：5A 连续电流，高达 15A 峰值电流。极低的饱和电压。高达 10A 时具有出色的增益特性。Ptot = 3W。FZT951 具有极低的等效导通电阻；在 4A 时 Rceestat 为 55mΩ

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￥3.44
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￥2.61
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￥2.25
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￥1.6
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型号：ZVP4525ZTA 编号：C155347

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

P沟道,250V,205mA

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￥3.47
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￥2.8
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￥2.47
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￥2.14
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￥1.94
1000+
￥1.84

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型号：ZTX651 编号：C262768

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：60伏集电极-发射极电压（VCEO）。 2安连续电流。低饱和电压。总功率（Ptot）为1瓦

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￥3.49
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￥1.79
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型号：ZXMP4A16GTA 编号：C141324

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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1+
￥3.58
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￥3.02
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￥2.78
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￥2.48
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￥2.35
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￥2.27

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型号：FZT851TA 编号：C87950

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。集电极连续电流高，Ic = 6A。脉冲峰值电流，ICM = 20A。低饱和电压，VCE(sat) < 100mV @ 1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 44mΩ。 hFE 在高达10A时指定，高增益保持。互补PNP类型：FZT951。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949认证的工厂生产

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￥3.71
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￥2.88
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￥2.52
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￥2.07
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￥1.76

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型号：DMP45H4D9HK3-13 编号：C3281371

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

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￥4.9
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￥4.04
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￥3.61
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￥3.18
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￥2.92
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￥2.79

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型号：DMPH6050SSDQ-13 编号：C5273044

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，支持生产件批准程序（PPAP），适用于发动机管理系统、车身控制电子设备和DC-DC转换器。

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￥4.96
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￥4.16
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￥3.76
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￥3.36
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￥3

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型号：DMP4025LSD-13 编号：C150763

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-40V,-5.8A,25mΩ@-10V

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￥5.42
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￥4.43
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￥3.94
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￥3.45
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￥3.09

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型号：PI3PCIE3212ZBEX 编号：C154729

封装：DHVQFN-20-EP(2.5x4.5)

品牌：DIODES(美台)

是PCIe Gen3.0，8Gbps，4至2差分、双向通道复用器/解复用器开关。由于其低的位间偏斜、高的通道间噪声隔离和带宽，该产品非常适合8.0Gbps的PCI Express 3.0信号切换。

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￥5.55
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￥4.67
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￥4.19
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￥3.65
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￥3.4
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￥3.29

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型号：DMHC4035LSD-13 编号：C412517

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这新一代互补MOSFET H桥具有在低栅极驱动下实现低导通电阻的特点。

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￥5.56
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型号：ZXCT1107QSA-7 编号：C460631

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZxCT1107Q/09Q/10Q产品是高侧单极电流检测监视器。这些设备无需破坏接地平面即可检测负载电流。宽共模输入电压范围和低静态电流，加上SOT23和SOT25封装，使其适用于各种汽车应用。该设备由线路供电，因此不需要单独的电源轨。静态电流仅为3μA，从而最大限度地减少电流检测误差。一个外部增益设置电阻通过允许宽增益范围来提高多功能性。ZxCT1107Q/09Q/10Q设备已通过AEC-Q100 Grade 1认证，并符合汽车标准，支持PPAP。

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￥5.73
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￥3.43
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￥2.99
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￥2.81

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型号：AP63357QZV-7 编号：C3194572

封装：VDFN-13(2x3)

品牌：DIODES(美台)

AP63356Q/AP63357Q是一款符合汽车应用标准的3.5A同步降压转换器，输入电压范围宽，为3.8V至32V。该器件完全集成了一个74mΩ的高端功率MOSFET和一个40mΩ的低端功率MOSFET，可实现高效的降压式DC-DC转换。由于采用了峰值电流模式控制以及集成的环路补偿网络，AP63356Q/AP63357Q器件减少了外部元件数量，使用方便

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￥6.1
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￥4.89
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￥4.28
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￥3.52
500+
￥3.16
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￥2.97

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型号：PI3DBS12212AZBEX 编号：C526705

封装：QFN-20(2.5x4.5)

品牌：DIODES(美台)

该产品是4到2差分通道多路复用器/解复用器，支持高达12 Gbps的数据速率。适用于USB3.0、USB3.1、10GE、Thunderbolt和SAS3.0信号。

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￥6.31
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￥5.68
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￥5.33
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￥4.69

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型号：ZXMS81045SPQ-13 编号：C5201726

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

ZXMS81045SPQ 是一款单通道高端功率开关，采用 SO - 8EP（E 型）外露散热片封装，集成了保护和诊断功能。该器件包含一个单片 N 沟道垂直功率 MOSFET，集成了温度和电流传感器以及电荷泵栅极电源，在关断状态下具有低静态电流。

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￥6.36
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￥5.09
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￥4.45
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￥3.44
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￥3.24

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型号：AP1501-K5G-13 编号：C9981

封装：TO-263-5

品牌：DIODES(美台)

AP1501是一款完全集成的降压型DC/DC转换器，无需额外的驱动元件，即可驱动3A负载。AP1501的开关频率为150kHz，可使用小尺寸滤波元件。因此，它可减少电路板空间并降低物料清单成本

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1+
￥7.3
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￥5.98
30+
￥5.32
100+
￥4.67
500+
￥3.87
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￥3.67

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型号：PI6C20400BLEX 编号：C575598

封装：TSSOP-28

品牌：DIODES(美台)

PCIe 3.0兼容的高速、低噪声差分时钟缓冲器，设计用作PCIe 3.0时钟发生器的配套产品。它向后兼容PCIe 1.0和2.0规范。该设备将来自PCIe 3.0时钟发生器的差分SRC时钟分配到四对差分时钟输出，可选择是否使用PLL。时钟输出由SRC_STOP#、PWRDWN#和SMBus、SCLK和SDA的输入选择控制。当SRC_STOP#或PWRDWN#输入为低电平时，输出时钟为三态。当PWRDWN#为低电平时，SDA和SCLK输入必须为三态。

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1+
￥9.53
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￥7.8
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￥6.86
100+
￥5.78
500+
￥5.31
1000+
￥5.09

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型号：AP64350QSP-13 编号：C5248545

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP64350Q是一款汽车级3.5A同步降压转换器,具有宽输入电压范围（3.8V至40V）,内置高侧和低侧功率MOSFET,支持高峰值电流模式控制,具备EMI减少功能和多种保护机制。

1+
￥9.64
10+
￥7.95
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￥7.02
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￥5.97
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￥5.5
1000+
￥5.29

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型号：BAS16-7-F 编号：C69162

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。适用于通用开关应用。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

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20+
￥0.1544
200+
￥0.1218
600+
￥0.1037
3000+
￥0.0928
9000+
￥0.0834

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型号：MMBT4403-7-F 编号：C85183

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保产品

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20+
￥0.2465
200+
￥0.1978
600+
￥0.1707
3000+
￥0.1407

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型号：DESD3V3S1BL-7B 编号：C500765

封装：DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：低轮廓封装（最大0.53mm）和超小PCB占位面积（最大1.08 * 0.68mm），适用于紧凑型便携式电子产品。提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护：空气放电±30kV，接触放电±25kV。 1通道ESD保护。低通道输入电容。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：手机。便携式电子产品

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