美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMN30H4D0L-7 编号：C461015

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.829
50+
￥1.4452
150+
￥1.2807
500+
￥1.0754
3000+
￥0.984

有货

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型号：PDS560Q-13 编号：C526696

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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5+
￥1.938
50+
￥1.56
150+
￥1.398
500+
￥1.1959
2500+
￥1.1059

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型号：AP2311SG-13 编号：C5359359

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

AP2301和AP2311是单通道限流集成高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB标准，使能输入具有两种极性可选。这些器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并且集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

5+
￥2.0169
50+
￥1.7611
150+
￥1.6515
500+
￥1.5147
2500+
￥1.4538

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型号：ZLDO1117QG33TA 编号：C326523

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

ZLDO1117Q是一款低压差正电压可调或固定模式稳压器，输出电流能力为1A。在整个工业温度范围内，ZLDO1117Q的公差为±2%，并且在满载电流下，其压差保证低于1.2V，这使其非常适合在高达18V的输入电源电压下提供1.2V至5.0V的稳定输出。ZLDO1117Q非常适合在整个工业温度范围内为低压IC应用（如高速总线端接和低电流3.3V逻辑电源）提供稳定的电源

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5+
￥2.0505
50+
￥1.6231
150+
￥1.4399
1000+
￥1.0619
2000+
￥0.9601

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型号：DMP3010LPS-13 编号：C3018933

封装：TDFN-8(5.2x5.9)

品牌：DIODES(美台)

低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用

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1+
￥2.06
10+
￥1.75
30+
￥1.584 ￥1.6
100+
￥1.4256 ￥1.44
500+
￥1.3365 ￥1.35
1000+
￥1.287 ￥1.3

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型号：DMT3020LFDB-7 编号：C154736

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥2.0719
50+
￥1.6735
150+
￥1.5028
500+
￥1.2898
3000+
￥1.195

有货

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型号：ZXTR2105FQ-7 编号：C211385

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZXTR2105FQ 单片集成了一个晶体管、一个齐纳二极管和一个电阻，可作为线性稳压器使用。该器件在 15mA 电流下可提供 5V 的标称输出电压。它专为标准线性稳压器无法使用的高压应用而设计

数据手册

5+
￥2.1325
50+
￥1.6552
150+
￥1.4506
500+
￥1.1954
3000+
￥1.0817
6000+
￥1.0135

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型号：SMAT70A-13-F 编号：C135026

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：400、600W 峰值脉冲功率耗散。 70V 关断电压。 100V 最大钳位电压。玻璃钝化芯片结构。快速响应时间：通常小于 1ps。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

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2+
￥2.2762
20+
￥1.8243
60+
￥1.6307
200+
￥1.3891
1000+
￥1.2815

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型号：DMN6040SK3-13 编号：C94059

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥2.3685
50+
￥1.8596
150+
￥1.6415
500+
￥1.3693
2500+
￥1.2481

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型号：ZXTD4591E6TA 编号：C155320

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管:BVCEO > 60V，IC = 1A连续集电极电流。低饱和电压（最大500mV @ 1A）。hFE特性可达2A。RSAT = 210mΩ @ 1A，低等效导通电阻。PNP晶体管:BVCEO > -60V，IC = -1A连续集电极电流。低饱和电压（最大-600mV @ -1A）。应用：MOSFET栅极驱动器。低功率电机驱动器

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1+
￥2.45
10+
￥1.94
30+
￥1.72
100+
￥1.45
500+
￥1.33
1000+
￥1.26

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型号：B560CQ-13-F 编号：C460781

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作以下器件：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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5+
￥2.4908
50+
￥1.9962
150+
￥1.7842
500+
￥1.4544

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型号：FMMT625TA 编号：C212600

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。最大连续集电极电流 IC = 1A。 625mW 功率耗散。 hFE 特性高达 33A。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：DC-DC 模块。电源管理功能

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5+
￥2.5885
50+
￥2.0602
150+
￥1.8337
500+
￥1.5512
3000+
￥1.4254

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型号：DMP3036SSD-13 编号：C397950

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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1+
￥2.65
10+
￥2.14
30+
￥1.93
100+
￥1.66
500+
￥1.54
1000+
￥1.47

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型号：PI6CV304LEX 编号：C2649345

封装：TSSOP-8

品牌：DIODES(美台)

低偏斜、低噪声、高速时钟缓冲器，适用于计算、网络和通信应用。应用示例包括服务器和工作站中的PCI(X)时钟缓冲器、PCI(X)存储区域网络(SAN)和RAID控制器。它们用于需要80MHz用于10/100Mbps以太网和125MHz用于千兆网络时钟的网络和通信应用。为减少EMI辐射和功耗，可通过向OE(输出使能)引脚施加低电平信号，将所有输出禁用为三态。

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1+
￥2.7
10+
￥2.1
30+
￥1.84
100+
￥1.51
500+
￥1.37
1000+
￥1.28

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型号：AL5809-150P1-7 编号：C156311

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

AL5809 是一款恒流线性LED驱动器，它提供了一种具有成本效益的两引脚解决方案。它具有20 ppm/°C的优异温度稳定性和在宽电压和温度范围内的±5%电流精度。AL5809 提供多种固定输出电流版本，无需外部电流设定电阻，为LED的线性驱动提供了一个简单的解决方案。它支持高边和低边驱动LED链。当IN和OUT之间的电压从2.5V上升到60V时，AL5809会开启，从而能够驱动长LED链。浮动地设计和输入与输出引脚之间60V的耐压等级可以承受离线应用中产生的高尖峰电压。AL5809 可以选择热性能优良的PowerDI123封装或SOD-123封装。

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1+
￥2.71
10+
￥2.1
30+
￥1.83
100+
￥1.51
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

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型号：ZXTP25040DFHTA 编号：C211430

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：- BVCEO >-40V。 BVECO >-3V。连续集电极电流 IC =-3A。在-1A 时，VCE(sat) <-85mV。典型 RCE(sat) = 55mΩ。功率耗散 PD = 1.25W。应用：- MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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1+
￥2.71
10+
￥2.17
30+
￥1.94
100+
￥1.65
500+
￥1.52
1000+
￥1.44

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型号：LM4040B30FTA 编号：C460604

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

LM4040是一系列带隙电路，旨在实现2.5V、3.0V、3.3V、4.096V和5.0V的精密微功耗电压基准。这些器件有初始容差为0.2%的B级、0.5%的C级和1%的D级可供选择。它们采用小外形SOT23表面贴装封装，非常适合对空间要求苛刻的应用。在60μA至15mA的工作电流范围内，器件性能出色，典型温度系数仅为20ppm/°C。该器件设计为对容性负载具有高耐受性，可保持出色的稳定性。此器件是LM4040电压基准的引脚兼容替代方案。

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1+
￥2.89
10+
￥2.26
30+
￥1.99
100+
￥1.65
500+
￥1.5
1000+
￥1.41

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型号：ZXMP10A13FQTA 编号：C513080

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC Q101 标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于 DC-DC 转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制。

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1+
￥2.95
10+
￥2.37
30+
￥2.13
100+
￥1.82
500+
￥1.68
1000+
￥1.6

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型号：DMP2022LSS-13 编号：C154919

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-10A,13mΩ@-10V

数据手册

5+
￥3.0328
50+
￥2.4784
150+
￥2.2408
500+
￥1.3773

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型号：PAM8904JPR 编号：C780875

封装：UQFN3030-12

品牌：DIODES(美台)

是一款集成电荷泵升压转换器的压电发声器驱动器，能够在5.5V电源下驱动陶瓷/压电发声器，输出24Vₚ₋ₚ电压。电荷泵可在1倍、2倍或3倍模式下工作。升压转换器以1.0MHz的固定频率工作，只需最少的外部组件即可提供12V输出，可驱动高达15nF的负载。独特的驱动技术提供小浪涌电流、低电磁干扰和高效率。内置自动关机和唤醒功能，可保证更长的电池寿命，具备热关断、过流保护、过压保护和欠压锁定功能。有16引脚U-QFN3030-16（B型）、12引脚U-QFN3030-12（A型）或12引脚U-QFN2020-12（UX型）封装。

数据手册

1+
￥3.11
10+
￥2.43
30+
￥2.14
100+
￥1.78
500+
￥1.53
1000+
￥1.44

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型号：ZVN4424GTA 编号：C154893

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥3.28
10+
￥2.6
30+
￥2.3
100+
￥1.93
500+
￥1.77
1000+
￥1.67

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型号：FZT953TA 编号：C110507

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：5A 连续电流，高达 15A 峰值电流。极低的饱和电压。高达 10A 时具有出色的增益特性。Ptot = 3W。FZT951 具有极低的等效导通电阻；在 4A 时 Rceestat 为 55mΩ

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1+
￥3.44
10+
￥2.61
30+
￥2.25
100+
￥1.8
500+
￥1.6
1000+
￥1.48

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型号：ZVP4525ZTA 编号：C155347

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

P沟道,250V,205mA

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.8
30+
￥2.47
100+
￥2.14
500+
￥1.94
1000+
￥1.84

有货

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型号：ZXMP4A16GTA 编号：C141324

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥3.58
10+
￥3.02
30+
￥2.78
100+
￥2.48
500+
￥2.35
1000+
￥2.27

有货

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型号：FZT851TA 编号：C87950

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。集电极连续电流高，Ic = 6A。脉冲峰值电流，ICM = 20A。低饱和电压，VCE(sat) < 100mV @ 1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 44mΩ。 hFE 在高达10A时指定，高增益保持。互补PNP类型：FZT951。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949认证的工厂生产

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥2.88
30+
￥2.52
100+
￥2.07
500+
￥1.88
1000+
￥1.76

有货

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型号：DMP45H4D9HK3-13 编号：C3281371

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥4.9
10+
￥4.04
30+
￥3.61
100+
￥3.18
500+
￥2.92
1000+
￥2.79

有货

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型号：DMPH6050SSDQ-13 编号：C5273044

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，支持生产件批准程序（PPAP），适用于发动机管理系统、车身控制电子设备和DC-DC转换器。

数据手册

1+
￥4.96
10+
￥4.16
30+
￥3.76
100+
￥3.36
500+
￥3.13
1000+
￥3

有货

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型号：PI3PCIE3212ZBEX 编号：C154729

封装：DHVQFN-20-EP(2.5x4.5)

品牌：DIODES(美台)

是PCIe Gen3.0，8Gbps，4至2差分、双向通道复用器/解复用器开关。由于其低的位间偏斜、高的通道间噪声隔离和带宽，该产品非常适合8.0Gbps的PCI Express 3.0信号切换。

数据手册

1+
￥5.55
10+
￥4.67
30+
￥4.19
100+
￥3.65
500+
￥3.4
1000+
￥3.29

有货

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型号：DMHC4035LSD-13 编号：C412517

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这新一代互补MOSFET H桥具有在低栅极驱动下实现低导通电阻的特点。

数据手册

1+
￥5.56
10+
￥4.52
30+
￥4
100+
￥3.49
500+
￥3.18
1000+
￥3.02

有货

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型号：ZXCT1107QSA-7 编号：C460631

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZxCT1107Q/09Q/10Q产品是高侧单极电流检测监视器。这些设备无需破坏接地平面即可检测负载电流。宽共模输入电压范围和低静态电流，加上SOT23和SOT25封装，使其适用于各种汽车应用。该设备由线路供电，因此不需要单独的电源轨。静态电流仅为3μA，从而最大限度地减少电流检测误差。一个外部增益设置电阻通过允许宽增益范围来提高多功能性。ZxCT1107Q/09Q/10Q设备已通过AEC-Q100 Grade 1认证，并符合汽车标准，支持PPAP。

数据手册

1+
￥5.73
10+
￥4.58
30+
￥4
100+
￥3.43
500+
￥2.99
1000+
￥2.81

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