美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMAJ58A-13-F 编号：C110521

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6394
50+
￥0.4983
150+
￥0.4278
500+
￥0.3749
2500+
￥0.3326
5000+
￥0.3115

有货

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型号：DMG3415U-7 编号：C96616

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-4A,42.5Ω@-4.5V

数据手册

5+
￥0.6676
50+
￥0.5239
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￥0.452
500+
￥0.3981
3000+
￥0.339
6000+
￥0.3175

有货

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型号：AP7365-WG-7 编号：C264087

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款600mA、可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该设备包括传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，设备开启。低压差和低静态电流特性使其适用于如电池供电设备等低功耗应用。典型静态电流约为35μA。内置电流限制和热关断功能，可防止IC在故障条件下损坏。该设备具有0.8V至5.0V的可调输出，以及0.8V、1.0V、1.2V、1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V和3.9V的固定输出版本。有SOT25、SOT89、SOT223和UDFN2020-6封装。

数据手册

5+
￥0.6928
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￥0.5476
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￥0.475
500+
￥0.4205
3000+
￥0.3346
6000+
￥0.3128

有货

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型号：SMAZ7V5-13-F 编号：C155270

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7152
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￥0.5515
150+
￥0.4697
500+
￥0.4083
2500+
￥0.3592
5000+
￥0.3346

有货

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型号：MB10F-13 编号：C780855

封装：MBF

品牌：DIODES(美台)

适用于开关电源、LED照明、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的交流到直流桥式全波整流。

数据手册

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￥0.7373
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￥0.6513
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￥0.6144
500+
￥0.5685
2500+
￥0.548

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型号：B330B-13-F 编号：C134450

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。浪涌过载额定值达125A峰值。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

2+
￥0.7935
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￥0.6418
60+
￥0.5659
200+
￥0.5091
1000+
￥0.4636
3000+
￥0.4408

有货

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型号：SMAJ5.0CA-13-F 编号：C134993

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8121
50+
￥0.6378
150+
￥0.5507
500+
￥0.4854
2500+
￥0.4128
5000+
￥0.3866

有货

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型号：SMAZ5V1-13-F 编号：C154748

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8127
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￥0.6521
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￥0.5718
500+
￥0.5116
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￥0.4506

有货

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型号：SBR3A40SAF-13 编号：C526751

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

SBR3A40SAF 是一款采用薄型 SMAF 封装的单整流器。该器件具备低正向压降（VF）和出色的高温稳定性，非常适合用于一般整流应用，如：升压二极管、阻塞二极管、续流二极管。表面贴装超势垒整流器

数据手册

5+
￥0.8158
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￥0.6526
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￥0.571
500+
￥0.5098
2500+
￥0.4608

有货

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型号：SMAZ10-13-F 编号：C500781

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8308
50+
￥0.6774
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￥0.6008
500+
￥0.5433
2500+
￥0.4973

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型号：1N5711W-7-F 编号：C154843

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。保护环结构，用于瞬态保护。快速开关时间。低反向电容。表面贴装封装，非常适合自动插入。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8562
50+
￥0.6898
150+
￥0.6066
500+
￥0.5442
3000+
￥0.4943
6000+
￥0.4694

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型号：SMAJ12A-13-F 编号：C134947

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.885
50+
￥0.7263
150+
￥0.6469
500+
￥0.5873
2500+
￥0.5397
5000+
￥0.5159

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型号：AP7331-10WG-7 编号：C460375

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款300mA可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该器件包含传输元件、误差放大器、带隙、限流和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流的特性使其适用于低功耗应用，例如电池供电设备。典型静态电流约为65μA。内置限流和热关断功能，可防止IC在故障条件下损坏。提供SOT25和DFN2020-6封装。

数据手册

5+
￥0.8882
50+
￥0.7435
150+
￥0.6712
500+
￥0.6169
3000+
￥0.5735
6000+
￥0.5518

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型号：AL5802-7 编号：C129160

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AL5802 结合了一个高增益 NPN 晶体管和一个预偏置的 NPN 晶体管，形成了一个简单且占用空间小的 LED 驱动器。LED 电流由连接在 REXT 引脚（6）到 GND 引脚（4）之间的外部电阻设定，内部高增益晶体管在外部电阻上产生约 0.6V 的电压。AL5802 的开集输出可以在 0.8V 到 30V 之间工作，使其能够在 5V 到 24V 的电源下工作而无需额外组件。通过使用低阻抗电压源驱动 BIAS 引脚（2），或使用外部开集 NPN 晶体管或开漏 N 沟道 MOSFET 驱动 EN 引脚（3），可以实现 LED 电流的 PWM 调光。AL5802 采用 SOT26 封装，适用于驱动 20mA 至 120mA 的 LED 电流。

数据手册

5+
￥0.911
50+
￥0.7374
150+
￥0.6507
500+
￥0.5856
3000+
￥0.4644

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型号：B320A-13-F 编号：C110484

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

适用于低压、高频逆变器、续流、直流-直流转换器和极性保护应用。

数据手册

5+
￥0.9141
50+
￥0.7557
150+
￥0.6765
500+
￥0.6171
2500+
￥0.4892
5000+
￥0.4655

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型号：SMAJ12CA-13-F 编号：C134948

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9353
50+
￥0.7327
150+
￥0.6314
500+
￥0.5554
2500+
￥0.4946
5000+
￥0.4642

有货

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型号：DT1140-04LP-7 编号：C443632

封装：UDFN2510-10

品牌：DIODES(美台)

特性：钳位电压：10A 100ns TLP时为9V；6A 8µs/20µs时为9V。 IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电+20/-18kV，接触放电+20/-16kV。 IEC 61000-4-5 (Lightning)：±6A (8/20µs)。 4通道ESD保护。典型通道输入电容低至0.5pF。 TLP动态电阻：0.25Ω。应用：USB 2.0。 DVI

数据手册

5+
￥0.9707
50+
￥0.8055
150+
￥0.7229
500+
￥0.6609
3000+
￥0.6113
6000+
￥0.5865

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型号：FMMT495TA 编号：C47296

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥1.0202
50+
￥0.8002
150+
￥0.6902
500+
￥0.6077
3000+
￥0.5417

有货

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型号：SMBJ9.0CA-13-F 编号：C135111

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=10V VC=15.4V IPP=39A 双向

数据手册

5+
￥1.0228
50+
￥0.806
150+
￥0.7132
500+
￥0.5973
3000+
￥0.5457
6000+
￥0.5147

有货

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型号：AP7361-10D-13 编号：C460388

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

是一款具有使能功能的1A、可调及固定输出电压的超低压差线性稳压器。该器件包括传输元件、误差放大器、带隙基准、电流限制和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流的特性使其适用于中低功率应用，如笔记本电脑、音频和视频应用以及电池供电设备。典型静态电流约为70μA。内置的电流限制和热关断功能可防止IC在故障条件下损坏。有U-DFN3030-8、SOT89-5、SOT223、TO252和SO-8EP封装可供选择。

数据手册

5+
￥1.0417
50+
￥0.832
150+
￥0.7421
500+
￥0.63
2500+
￥0.58
5000+
￥0.55

有货

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型号：SDT5A50SA-13 编号：C6802582

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：低漏电流。软、快速开关能力。工作结温 +150℃。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件。应用：SMPS。 AC-DC

5+
￥1.0475
50+
￥0.8304
150+
￥0.7373
500+
￥0.6213
2500+
￥0.5696
5000+
￥0.5385

有货

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型号：DMP1009UFDF-7 编号：C493499

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.063
50+
￥0.8261
150+
￥0.7246
500+
￥0.5979
3000+
￥0.5415
6000+
￥0.5076

有货

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型号：PDS340-13 编号：C332294

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗，高效率。低正向压降。低反向漏电流。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高正向浪涌电流能力。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥1.1308
50+
￥0.8777
150+
￥0.7692
500+
￥0.6339
2500+
￥0.5736
5000+
￥0.5374

有货

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型号：PAM2804AAB010 编号：C71463

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款降压恒流LED驱动器。当输入电压低于LED正向电压时，进入LDO模式。支持2.5V至6.0V的输入电压范围，允许使用单节Li+/Li聚合物电池、3节或4节AA电池、USB和其他标准电源。FB电压仅为0.1V，以实现高效率。采用内部电源开关和同步整流器，以减少外部元件数量并实现高效率。关机期间，输入与输出断开，关机电流小于1μA。其他关键特性包括欠压锁定，以防止Li+电池深度放电。

数据手册

5+
￥1.2084
50+
￥0.9415
150+
￥0.8271
500+
￥0.6843

有货

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型号：SDM2U30CSP-7B 编号：C35621074

封装：0603

品牌：DIODES(美台)

5+
￥1.2778
50+
￥1.0162
150+
￥0.9041
500+
￥0.7642
2500+
￥0.7019
5000+
￥0.6645

有货

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型号：DMP2240UDM-7 编号：C397948

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：双P沟道MOSFET。低导通电阻：150mΩ @ VGS =-4.5V；200mΩ @ VGS =-2.5V；240mΩ @ VGS =-1.8V。极低的栅极阈值电压：VGS(th) ≤ 1V。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。设计无铅/RoHS合规。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，高可靠性

数据手册

5+
￥1.3224
50+
￥1.072
150+
￥0.9647
500+
￥0.8308
3000+
￥0.7712
6000+
￥0.7354

有货

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型号：AP2204K-ADJTRG1 编号：C264072

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

是一款采用高压EPNP工艺制造的正电压调节器IC。具有宽输入电压范围、高精度、高纹波抑制、低压差、低噪声、限流和超低静态电流等特点，适用于各种USB和便携式设备。该IC由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络、用于电流保护的限流电路和芯片使能电路组成。有1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、5.0V固定电压版本和可调电压版本。采用节省空间的SOT-23-5、SOT-89和PSOP-8封装。

数据手册

5+
￥1.3483
50+
￥1.0812
150+
￥0.9667
500+
￥0.8239
3000+
￥0.7603

有货

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型号：HD01-T 编号：C52151

封装：MBS

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动装配。微型封装，节省PCB空间。 UL认可组件索引下列出，文件编号E94661。无铅表面处理，符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.3821
50+
￥1.1298
150+
￥1.0217
500+
￥0.8867

有货

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型号：B360BQ-13-F 编号：C460675

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。

数据手册

5+
￥1.4066
50+
￥1.1546
150+
￥1.0465
500+
￥0.9118
3000+
￥0.7417

有货

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型号：FCX690BTA 编号：C460072

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCBO > 45V。 IC = 2A 高连续集电极电流。 ICM 高达 6A 峰值脉冲电流。高增益 hFE > 400 @ 1A。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) ≤ 300mV @ 1A。互补 PNP 类型：FCX790A。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.473
50+
￥1.1702
150+
￥1.0404

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