美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMHC3025LSD-13 编号：C156387

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

新一代互补MOSFET H桥，具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。

数据手册

5+
￥2.0445
50+
￥1.6614
150+
￥1.4973
500+
￥1.0884
2500+
￥0.9972

有货

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型号：AP7361C-33E-13 编号：C500795

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

是一款 1A、可调且固定输出电压的超低压差线性稳压器，带有使能功能。该器件包括传输元件、误差放大器、带隙基准、电流限制和热关断电路。当 EN 引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流特性使其适用于中低功率应用，例如笔记本电脑、音频和视频应用以及电池供电设备。典型静态电流约为 60μA。内置电流限制和热关断功能可防止 IC 在故障条件下损坏。提供 U-DFN3030-8 (Type E)、SOT89-5、SOT223、TO252 (DPAK) 和 SO-8EP 封装。

数据手册

5+
￥2.184
50+
￥1.7425
150+
￥1.5534
500+
￥1.3173
2500+
￥1.2096

有货

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型号：PDS1040-13 编号：C110512

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功率损耗，高效率。低正向压降。极低漏电流。高正向浪涌电流能力。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，在 IATF 16949 认证工厂生产

数据手册

5+
￥2.2132
50+
￥1.778
150+
￥1.5914
500+
￥1.3587
2500+
￥1.1608

有货

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型号：SMAT70A-13-F 编号：C135026

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：400、600W 峰值脉冲功率耗散。 70V 关断电压。 100V 最大钳位电压。玻璃钝化芯片结构。快速响应时间：通常小于 1ps。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

数据手册

2+
￥2.4783
20+
￥2.0079
60+
￥1.8063
200+
￥1.5547
1000+
￥1.4427
2000+
￥1.3754

有货

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型号：APX803S-26SA-7 编号：C526393

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

APX803S用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与5.0V、3.3V、3.0V和2.5V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调节环节，实现了出色的电路可靠性和低成本。这些电路执行单一功能：在上电时以及每当VCC电源电压降至预设阈值以下时，它们会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后的一段固定时间内保持该信号

数据手册

1+
￥2.49
10+
￥1.98
30+
￥1.76
100+
￥1.49
500+
￥1.37
1000+
￥1.3

有货

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型号：AP7361C-33FGE-7 编号：C151007

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

是一款 1A、可调且固定输出电压的超低压差线性稳压器，带有使能功能。该器件包括传输元件、误差放大器、带隙基准、电流限制和热关断电路。当 EN 引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流特性使其适用于中低功率应用，例如笔记本电脑、音频和视频应用以及电池供电设备。典型静态电流约为 60μA。内置电流限制和热关断功能可防止 IC 在故障条件下损坏。提供 U-DFN3030-8 (Type E)、SOT89-5、SOT223、TO252 (DPAK) 和 SO-8EP 封装。

数据手册

1+
￥2.53
10+
￥2.02
30+
￥1.8
100+
￥1.52
500+
￥1.4
1000+
￥1.33

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型号：LSP5523-R8A 编号：C6653519

封装：SOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

LSP5523 是一款 3A 27V 同步降压转换器,具有宽输入电压范围（4.5V 至 27V）,固定 340kHz 开关频率,内置功率 MOSFET 开关,可调输出电压（0.925V 至 0.8V）,高达 93% 的效率,可编程软启动,稳定的低 ESR 陶瓷输出电容器,逐周期限流保护,短路保护,输入欠压锁定等功能。适用于分布式电源系统、网络系统、FPGA、DSP、ASIC 电源供应、绿色电子产品和笔记本电脑等应用。

1+
￥2.55
10+
￥2.03
30+
￥1.81
100+
￥1.54
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

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型号：SBR12U100P5-13 编号：C177070

封装：PowerDI5

品牌：DIODES(美台)

特性：超低正向压降。优异的高温稳定性。专利超级势垒整流器技术。软、快速开关能力。工作结温 +150℃。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

2+
￥2.62
20+
￥2.03
60+
￥1.78
200+
￥1.46
1000+
￥1.32
2000+
￥1.24

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型号：PAM8945PJR 编号：C2978908

封装：QFN-12(2x3)

品牌：DIODES(美台)

PAM8945是一款高效的G类音频功率放大器，集成了升压转换器。它能够向4Ω扬声器提供高达4.0W（总谐波失真加噪声为10%）的功率。PAM8945的典型效率为85%，有助于在播放音频时延长电池续航时间

数据手册

1+
￥3.57
10+
￥2.84
30+
￥2.53
100+
￥2.14
500+
￥1.97
1000+
￥1.86

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型号：PI6C557-05BLEX 编号：C2667817

封装：TSSOP-20

品牌：DIODES(美台)

是符合PCI Express 3.0和以太网要求的扩频时钟发生器，用于PC或嵌入式系统以大幅降低电磁干扰（EMI）。提供四个差分（HCSL）或LVDS扩频输出，可配置选择扩频和时钟。采用专利锁相环（PLL）技术，以25MHz晶体输入，产生四对100MHz和200MHz时钟频率的差分输出（HCSL），还提供-0.5%、-1.0%、-1.5%和无扩频的选择。

数据手册

1+
￥10.16
10+
￥8.57
30+
￥7.58
100+
￥6.56
500+
￥6.1
1000+
￥5.91

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型号：FMMT415TD 编号：C460073

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

FMMT415/417 是 NPN 硅平面双极晶体管，专为雪崩模式下的操作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合，可产生具有快速沿的大电流脉冲。

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1+
￥52.23
10+
￥44.85
30+
￥40.35
100+
￥36.58

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型号：BZT52C6V8T-7 编号：C3025208

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

20+
￥0.2553
200+
￥0.2014
600+
￥0.1714
3000+
￥0.1534

有货

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型号：DMN65D8L-7 编号：C155341

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款新一代MOSFET经过精心设计，在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)）的同时，还能保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.2579
100+
￥0.2029
300+
￥0.1753
3000+
￥0.1547
6000+
￥0.1382
9000+
￥0.1299

有货

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型号：BZT52C36-7-F 编号：C124189

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.2616
200+
￥0.2022
600+
￥0.1692
3000+
￥0.1494

有货

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型号：BC847BT-7-F 编号：C156332

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。 IC = 100mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑“绿色”器件。有符合汽车标准的部件可在单独的数据手册中获取

数据手册

10+
￥0.2738
100+
￥0.222
300+
￥0.1961
3000+
￥0.1636
6000+
￥0.148
9000+
￥0.1403

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型号：DDTC114YCA-7-F 编号：C57530

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1≠R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。可提供PPAP文件

数据手册

10+
￥0.314
100+
￥0.2543
300+
￥0.2245
3000+
￥0.2021

有货

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型号：BC807-40-7-F 编号：C516610

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：理想适用于自动插入。外延平面芯片结构。有互补NPN类型（BC817）。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.3379
100+
￥0.2722
300+
￥0.2394
3000+
￥0.2148
6000+
￥0.1951
9000+
￥0.1853

有货

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型号：74LVC1G11W6-7 编号：C460526

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G11 是一款单路 3 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5.5V 的电源电压范围

数据手册

5+
￥0.3603
50+
￥0.313
150+
￥0.2894
500+
￥0.2717
3000+
￥0.2575

有货

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型号：DMC3400SDW-7 编号：C155499

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.3724
100+
￥0.3102
300+
￥0.2791
3000+
￥0.248
6000+
￥0.2294
9000+
￥0.22

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型号：MMBTA42-7-F 编号：C429857

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补PNP类型。适用于中功率放大和开关。也有无铅版本

数据手册

10+
￥0.3761
100+
￥0.3089
300+
￥0.2753
3000+
￥0.2417
6000+
￥0.2215

有货

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型号：DMP2215L-7 编号：C110500

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-2.7A,100mΩ@-4.5V

数据手册

10+
￥0.3839
100+
￥0.3071
300+
￥0.2687
3000+
￥0.2399
6000+
￥0.2169
9000+
￥0.2054

有货

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型号：US1K-13-F 编号：C110532

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达30A峰值。高电流能力。非常适合自动组装。无铅表面处理，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.3968
100+
￥0.3202
300+
￥0.2818
1000+
￥0.2531
5000+
￥0.2192

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型号：BZT52C5V1-13-F 编号：C526491

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.4063
100+
￥0.3455
300+
￥0.315
1000+
￥0.2922
5000+
￥0.2488
10000+
￥0.2397

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型号：DSS2540M-7B 编号：C2760641

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V (Ic = 500mA)。高集电极电流 Icm = 1A。峰值脉冲电流。功率耗散 Pd = 1000mW。低集电极-发射极饱和电压。封装尺寸 0.60mm²，比 SOT23 小 13 倍。封装高度 0.5mm，减少板外轮廓。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 JEDEC 标准，适用于高可靠性应用

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