美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52C2V0-7-F 编号：C260893

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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20+
￥0.2697
200+
￥0.2158
600+
￥0.1859
3000+
￥0.1679

有货

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型号：BAV20WS-7-F 编号：C151448

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高反向击穿电压。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

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20+
￥0.2955
200+
￥0.2368
600+
￥0.2043
3000+
￥0.1847
9000+
￥0.1678

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型号：SDM02U30LP3-7B 编号：C151629

封装：X3-DFN0603-2

品牌：DIODES(美台)

DIODES™ SDM02U30LP3是一款肖特基势垒二极管，针对超低正向压降和低反向漏电流进行了优化。该器件采用超小型X3 - DFN0603 - 2封装，占位面积仅0.18mm²，封装高度极低，专为节省便携式电子设备的PCB空间而设计。

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10+
￥0.2969
100+
￥0.2412
300+
￥0.2134
1000+
￥0.1925
5000+
￥0.1758
10000+
￥0.1675

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型号：DDZ22BSF-7 编号：C575528

封装：SOD-323F

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.3184
100+
￥0.2553
300+
￥0.2237
3000+
￥0.2001
6000+
￥0.1811
9000+
￥0.1717

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型号：BC817-40-7-F 编号：C435867

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。外延平面芯片结构。有互补PNP类型。用于开关和音频放大应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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10+
￥0.3504
100+
￥0.2784
300+
￥0.2424
3000+
￥0.2154
6000+
￥0.1938
9000+
￥0.183

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型号：DDZ9694-7 编号：C151594

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产

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5+
￥0.3903
50+
￥0.258505 ￥0.2665
150+
￥0.185658 ￥0.2134
500+
￥0.128064 ￥0.1472
3000+
￥0.102399 ￥0.1177
6000+
￥0.087 ￥0.1

有货

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型号：74LVC1G32SE-7 编号：C460530

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G32是一款单路2输入正或门，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5.5V的电源电压范围

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10+
￥0.4223
100+
￥0.3378
300+
￥0.2956
3000+
￥0.2639

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型号：74AHC1G04W5-7 编号：C460486

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

74AHC1G04是一款具有标准推挽输出的单反相器门电路。该器件设计用于2.0V至5.5V的电源电压范围。此门电路实现正布尔函数：引脚分配

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10+
￥0.4539
100+
￥0.4018
300+
￥0.3757
3000+
￥0.2953
6000+
￥0.2796

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型号：MMDT5551-7-F 编号：C500783

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。互补PNP型。适用于中功率放大和开关。超小型表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC标准，具有高可靠性

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10+
￥0.4668
100+
￥0.3638
300+
￥0.3124
3000+
￥0.2738
6000+
￥0.2429
9000+
￥0.2274

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型号：SD03C-7 编号：C1977390

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力相结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

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10+
￥0.4955
100+
￥0.3902
300+
￥0.3375
3000+
￥0.298
6000+
￥0.2665
9000+
￥0.2507

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型号：AP2138N-2.5TRG1 编号：C460334

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

基于CMOS的正电压调节器IC，由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络和用于电流保护的限流电路组成。AP2139具有带快速放电功能的使能电路。这些IC具有高输出电压精度、极低的静态电流和低压差电压，适用于各种便携式应用的电源。有1.2V、1.4V、1.5V、1.8V、2.1V、2.2V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、3.6V和4.0V固定输出电压版本。AP2138系列采用SOT-23-3和SOT-89封装，AP2139系列采用SOT-23-5封装。

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5+
￥0.5306
50+
￥0.4705
150+
￥0.4404
500+
￥0.4179
3000+
￥0.3998
6000+
￥0.3908

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型号：DMP3099L-13 编号：C412516

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道-30V -3.8A

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5+
￥0.5386
50+
￥0.4198
150+
￥0.3604
500+
￥0.3159
2500+
￥0.2802
5000+
￥0.2624

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型号：SMAJ5.0CA-13-F 编号：C134993

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.6464
50+
￥0.508
150+
￥0.4388
500+
￥0.387
2500+
￥0.3293
5000+
￥0.3085

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型号：AP3012KTR-G1 编号：C102618

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

是一种基于电感的升压（降压-升压）转换器，采用高频（1.5MHz）工作，因此可以使用小型、低剖面电感。内置过压保护（OVP），当输出电压超过29V的OVP阈值时，设备将进入关断模式。采用标准SOT-23-5封装。

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5+
￥0.6738
50+
￥0.5495
150+
￥0.4856
500+
￥0.4329

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型号：AP7365-WG-7 编号：C264087

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款600mA、可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该设备包括传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，设备开启。低压差和低静态电流特性使其适用于如电池供电设备等低功耗应用。典型静态电流约为35μA。内置电流限制和热关断功能，可防止IC在故障条件下损坏。该设备具有0.8V至5.0V的可调输出，以及0.8V、1.0V、1.2V、1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V和3.9V的固定输出版本。有SOT25、SOT89、SOT223和UDFN2020-6封装。

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5+
￥0.6896
50+
￥0.546
150+
￥0.4742
500+
￥0.4203
3000+
￥0.3353
6000+
￥0.3137

有货

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型号：AP2112K-1.8TRG1 编号：C176944

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是CMOS工艺的低压差线性稳压器，具有使能功能，可提供保证的600mA（最小值）连续负载电流。提供1.2V、1.8V、2.5V、2.6V或3.3V的固定输出电压。输出精度为±1.5%，具有非常快速的环路响应，可出色应对线路和负载瞬变。包括自动放电功能，当设备禁用时，通过60Ω电阻将输出连接到地。具有低功耗特性，提供SOT25、SOT89-5和SO-8封装。

数据手册

5+
￥0.694
50+
￥0.5982
150+
￥0.5572
500+
￥0.506
3000+
￥0.4832
6000+
￥0.4695

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型号：DMP3098LQ-7 编号：C460875

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.7044
50+
￥0.5732
150+
￥0.5075
500+
￥0.4583
3000+
￥0.3752
6000+
￥0.3555

有货

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型号：D15V0H1U2LP-7B 编号：C1973850

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

新一代TVS旨在保护敏感电子设备免受ESD损坏。小尺寸和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

数据手册

5+
￥0.7313
50+
￥0.5771
150+
￥0.4999
500+
￥0.4421
2500+
￥0.3959
5000+
￥0.3727

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型号：SMAZ5V1-13-F 编号：C154748

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7319
50+
￥0.5873
150+
￥0.515
500+
￥0.4608
2500+
￥0.4059
5000+
￥0.3842

有货

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型号：SMAJ36A-13-F 编号：C134983

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7526
50+
￥0.6074
150+
￥0.5348
500+
￥0.4804
2500+
￥0.4368
5000+
￥0.415

有货

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型号：ES2D-13-F 编号：C151030

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层，符合RoHS标准。采用绿色模塑料（无卤素和锑）

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5+
￥0.7797
50+
￥0.6195
150+
￥0.5394
500+
￥0.4793
3000+
￥0.4313

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型号：B260-13-F 编号：C72265

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.7829
50+
￥0.6261
150+
￥0.5477
500+
￥0.4889
3000+
￥0.4075
6000+
￥0.3839

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型号：US1MDF-13 编号：C155239

封装：D-FLAT

品牌：DIODES(美台)

采用低外形 D-FLAT 封装的整流器。提供超快恢复时间，实现高效率，非常适合一般整流应用。

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5+
￥0.78547 ￥1.1221
50+
￥0.62503 ￥0.8929
150+
￥0.55629 ￥0.7947
500+
￥0.47047 ￥0.6721
2500+
￥0.43232 ￥0.6176
5000+
￥0.40936 ￥0.5848

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型号：DMP2045UFY4-7 编号：C2987009

封装：X2-DFN2015-3

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.8068
50+
￥0.6452
150+
￥0.5644
500+
￥0.5038
3000+
￥0.4351
6000+
￥0.4108

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型号：AP2210K-ADJTRG1 编号：C507874

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

是一款300mA的超低压差线性稳压器（ULDO），提供极低的噪声、超低的压差（在300mA时典型值为250mV）、极低的待机电流（最大1μA）和出色的电源纹波抑制比（在100Hz时PSRR为75dB）。该器件用于电池供电的应用，如手机和个人数字助理（PDA）；以及对噪声敏感的应用，如射频（RF）电子设备。还具有独立的逻辑兼容使能/关断控制输入、用于延长电池寿命的低功耗关断模式、过流保护、过温保护和反向电流保护。有2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、3.6V、4.0V、5.0V和可调版本。采用节省空间的SOT-23-3和SOT-23-5封装。

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