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描述

价格(含税)

库存

操作

60V 550mA LED 驱动器

型号：ZXLD1356ET5TA 编号：C444977

封装：TSOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

是一种连续模式电感降压转换器，用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联LED。该设备的输入电源范围为6V至60V，可提供高达550mA的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件的不同，可提供高达30瓦的输出功率。工作环境温度范围为 -40°C至 +125°C。可通过向“ADJ”引脚施加外部控制信号来调节输出电流高于或低于设定值。通过向“ADJ”引脚施加PWM信号，可实现增强的输出电流调光。

数据手册

1+
￥9.43
10+
￥7.93
30+
￥7.1
100+
￥6.17
500+
￥5.75
1000+
￥5.56

有货

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4个N沟道耐压:60V 电流:10.6A

型号：DMHT6016LFJ-13 编号：C460986

封装：VDFN5045-12

品牌：DIODES(美台)

新一代互补MOSFET H桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。

数据手册

1+
￥9.61
10+
￥7.9
30+
￥6.96
100+
￥5.9
500+
￥5.43
1000+
￥5.22

有货

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超低功耗HDMI 1.4b重驱动器/电平转换器

型号：PI3HDX511EZLSEX 编号：C2674182

封装：TQFN-32-EP(3x6)

品牌：DIODES(美台)

PI3HDX511E是一款HDMI 1.4b重驱动器和双模式电平转换器，支持高达3.4Gbps的数据速率和48-bpp DeepColor。适用于笔记本电脑、台式机、视频流设备、A/V接收器、开关盒和Dongle。

数据手册

1+
￥10.85
10+
￥9.1
30+
￥8.01
100+
￥6.89
500+
￥6.38
1000+
￥6.16

有货

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3.3V 20Gbps 4-通道 2x2 交换开关

型号：PI3DBS16222Q2ZLEX 编号：C5441276

封装：TQFN-30(2.5x4.5)

品牌：DIODES(美台)

支持20Gbps数据速率，适用于PCI Express 4.0、USB 4.0、USB 3.1 Gen 2、Thunderbolt 4和10G BASE-KR等应用。

数据手册

1+
￥20.59
10+
￥19.92
30+
￥19.52
100+
￥19.12
500+
￥18.93
1000+
￥18.85

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:2uA@2.0V

型号：BZX84C5V1-7-F 编号：C124209

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

20+
￥0.2014
200+
￥0.1638
600+
￥0.1429
3000+
￥0.1218

有货

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75V 150mA

型号：1N4148WS-13-F 编号：C112343

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。小表面贴装封装。用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

数据手册

20+
￥0.2393
200+
￥0.1885
600+
￥0.1602
2000+
￥0.1433
10000+
￥0.1286
20000+
￥0.1207

有货

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独立式耐压:3V 电流:10uA@1V

型号：BZT52C3V0-7-F 编号：C85212

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.248
200+
￥0.1946
600+
￥0.165
3000+
￥0.1444

有货

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独立式耐压:13V 电流:0.5uA@9.9V

型号：MMSZ5243B-7-F 编号：C513124

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.2523
100+
￥0.2043
300+
￥0.1803
3000+
￥0.1514
6000+
￥0.137

有货

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400V 1A

型号：S1G-13-F 编号：C85102

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构，高可靠性。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动组装。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

20+
￥0.2747
200+
￥0.2228
600+
￥0.194
5000+
￥0.1766

有货

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电压:30V 电流:100mA

型号：SDM02U30LP3-7B 编号：C151629

封装：X3-DFN0603-2

品牌：DIODES(美台)

DIODES™ SDM02U30LP3是一款肖特基势垒二极管，针对超低正向压降和低反向漏电流进行了优化。该器件采用超小型X3 - DFN0603 - 2封装，占位面积仅0.18mm²，封装高度极低，专为节省便携式电子设备的PCB空间而设计。

数据手册

10+
￥0.2759
100+
￥0.2207
300+
￥0.1931
1000+
￥0.1724
5000+
￥0.1559
10000+
￥0.1476

有货

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独立式耐压:10V 电流:3uA@8.0V

型号：MMSZ5240BS-7-F 编号：C67528

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。小表面贴装封装。通用。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.2885
100+
￥0.2293
300+
￥0.1997
3000+
￥0.1775

有货

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独立式耐压:12V 电流:0.05uA

型号：DDZ9699-7 编号：C460860

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产

数据手册

10+
￥0.2982
100+
￥0.2486
300+
￥0.2238
3000+
￥0.1938

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:0.65A

型号：DMC3400SDW-7 编号：C155499

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.3724
100+
￥0.3102
300+
￥0.2791
3000+
￥0.248
6000+
￥0.2294
9000+
￥0.22

有货

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耐压:20V 电流:2.7A

型号：DMP2215L-7 编号：C110500

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-2.7A,100mΩ@-4.5V

数据手册

10+
￥0.3839
100+
￥0.3071
300+
￥0.2687
3000+
￥0.2399
6000+
￥0.2169
9000+
￥0.2054

有货

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150V 200mA

型号：BAV20WS-7-F 编号：C151448

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高反向击穿电压。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.4244
100+
￥0.3453
300+
￥0.3058
3000+
￥0.2762
6000+
￥0.2525

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：DMMT3904W-7-F 编号：C155305

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA高集电极电流。一对本质匹配的NPN晶体管。电流增益（HFE）匹配度为2%。基极-发射极电压（VBE）匹配度为2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

数据手册

10+
￥0.4244
100+
￥0.3418
300+
￥0.3005
3000+
￥0.2695
6000+
￥0.2447

有货

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1对共阳极耐压:5.6V 电流:100nA@1V

型号：AZ23C5V6-7-F 编号：C98737

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.4253
100+
￥0.3388
300+
￥0.2956
3000+
￥0.2632

有货

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单路反相器

型号：74AHCT1G14SE-7 编号：C460501

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74AHCT1G14是一款单路1输入施密特触发反相器门电路，具有标准推挽输出。该器件设计用于4.5V至5V的电源电压范围。

数据手册

10+
￥0.44
100+
￥0.365
300+
￥0.3275
3000+
￥0.2994
6000+
￥0.2769

有货

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双路施密特触发反相器

型号：74LVC2G14DW-7 编号：C362110

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G14是一款双施密特触发器反相门，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5.5V的电源电压范围。其输入可承受5.5V电压，允许该器件在混合电压环境中使用

数据手册

10+
￥0.459
100+
￥0.363
300+
￥0.315
3000+
￥0.279

有货

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三态输出，单缓冲门

型号：74LVC1G126W5-7 编号：C460529

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G126 是一款单路、同相缓冲器/总线驱动器，具有三态输出。当向输出使能 (OE) 引脚施加低电平时，输出将进入高阻抗状态

数据手册

10+
￥0.4994
100+
￥0.4152
300+
￥0.3731
3000+
￥0.3415

有货

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电压:30V 电流:2A

型号：PD3S230L-7 编号：C508240

封装：PowerDI323

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装。用于瞬态保护的保护环芯片结构。高浪涌能力。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.5438
50+
￥0.5299
150+
￥0.5206
500+
￥0.5113

有货

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TVS 5V截止峰值浪涌电流：120A@8/20us

型号：D5V0S1UN2LP1610-7 编号：C1978729

封装：DFN1610-2

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌和雷击造成的损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

数据手册

5+
￥0.5458
50+
￥0.4254
150+
￥0.3652
500+
￥0.3201
2500+
￥0.284
5000+
￥0.2659

有货

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耐压:700V 反向恢复时间：75ns

型号：US1MDFQ-13 编号：C460961

封装：D-FLAT

品牌：DIODES(美台)

整流器采用低扁平封装，具有超快恢复时间，效率高，适用于反向保护、开关和阻塞等应用。

数据手册

2+
￥0.5951
20+
￥0.527
60+
￥0.493
200+
￥0.4675
1000+
￥0.447
2000+
￥0.4368

有货

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独立式耐压:15V 电流:1uA@11.4V

型号：SMAZ15-13-F 编号：C110524

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6022
50+
￥0.4801
150+
￥0.4191
500+
￥0.3734
2500+
￥0.2879

有货

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耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：150ns

型号：RS1D-13-F 编号：C87892

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达30A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

5+
￥0.6381
50+
￥0.5139
150+
￥0.4518
500+
￥0.4052
2500+
￥0.368

有货

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双向TVS 30V截止峰值脉冲电流：8.3A

型号：SMAJ30CA-13-F 编号：C134980

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7102
50+
￥0.5772
150+
￥0.5107
500+
￥0.4608
2500+
￥0.3691
5000+
￥0.3491

有货

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耐压:600V 电流:1A 反向恢复时间：50ns

型号：MURS160-13-F 编号：C74082

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，高效能。浪涌过载额定值达35A峰值。适合自动化组装。无铅表面处理，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的型号（单独的数据手册）

数据手册

5+
￥0.7107
50+
￥0.5922
150+
￥0.533
500+
￥0.4885
3000+
￥0.3584

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:540mA

型号：DMN2004DWK-7 编号：C156343

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

双N沟道，20V，540mA

数据手册

5+
￥0.7894
50+
￥0.6166
150+
￥0.5302
500+
￥0.4654
3000+
￥0.4136
6000+
￥0.3877

有货

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2kV 1A

型号：S1V-13-F 编号：C2937138

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构，可靠性高。正向压降低。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动组装。反向击穿电压非常高。无铅表面处理，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8029
50+
￥0.6467
150+
￥0.5686
500+
￥0.51
2500+
￥0.4629
5000+
￥0.4394

有货

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NPN 电流:1A 电压:60V

型号：DNBT8105-7 编号：C460714

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。高集电极电流额定值。有互补版本。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色器件”。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.8134
50+
￥0.6387
150+
￥0.5514
500+
￥0.4859
3000+
￥0.4335
6000+
￥0.4073

有货

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