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首页 > 热门关键词 > 美台驱动芯片
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特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动装配。 微型封装,节省PCB空间。 UL认可组件索引下列出,文件编号E94661。 无铅表面处理,符合RoHS标准
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  • 5+

    ¥1.3821
  • 50+

    ¥1.1298
  • 150+

    ¥1.0217
  • 500+

    ¥0.8867
  • 有货
  • 这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4066
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      ¥1.1546
    • 150+

      ¥1.0465
    • 500+

      ¥0.9118
    • 3000+

      ¥0.7417
  • 有货
  • VBR=6.4V VC=9.2V IPP=65.2A 双向
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4964
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      ¥1.1701
    • 150+

      ¥1.0303
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      ¥0.8558
    • 3000+

      ¥0.7781
    • 6000+

      ¥0.7315
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动组装。 微型封装节省印刷电路板空间。 塑料材料:UL可燃性分类等级94V-0。 UL列于认可组件索引下,文件编号E94661
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5438
    • 50+

      ¥1.254
    • 150+

      ¥1.1298
    • 500+

      ¥0.9748
    • 3000+

      ¥0.8506
  • 有货
  • PAM2803是一款升压型DC-DC转换器,可提供稳定的输出电流。该器件以1.0 MHz的恒定频率进行开关操作,允许使用小值外部电感和陶瓷电容。PAM2803设计用于从两节碱性电池驱动高达1A的负载。LED电流可以通过连接在反馈引脚(FB)与地之间的外部电流检测电阻Rs进行编程。95 mV的低反馈电压减少了Rs中的功率损耗,提高了效率。借助其内部2A、100 mΩ的NMOS开关,即使在重负载下也能提供高效率。在关断模式下,反馈电阻Rs和负载完全断开,电流消耗降至1 μA以下。PAM2803采用6引脚SOT23-6封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5641
    • 50+

      ¥1.2611
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      ¥1.1313
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      ¥0.9693
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      ¥0.8971
  • 有货
  • ZLDO1117Q是一款低压差正电压可调或固定模式稳压器,输出电流能力为1A。在整个工业温度范围内,ZLDO1117Q的公差为±2%,并且在满载电流下,其压差保证低于1.2V,这使其非常适合在高达18V的输入电源电压下提供1.2V至5.0V的稳定输出。ZLDO1117Q非常适合在整个工业温度范围内为低压IC应用(如高速总线端接和低电流3.3V逻辑电源)提供稳定的电源
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5917
    • 50+

      ¥1.2718
    • 150+

      ¥1.1347
    • 1000+

      ¥0.8518
    • 2000+

      ¥0.7756
    • 5000+

      ¥0.7299
  • 有货
  • 74AHCT595是一款先进的高速CMOS器件,其引脚与74LS低功耗肖特基类型器件兼容。一个8位移位寄存器在移位寄存器时钟(STCP)的每个正跳变沿从串行输入(DS)接收数据。当复位功能(MR(上划线))置为低电平时,会将所有移位寄存器的值置为零,且该操作与所有时钟无关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.65
    • 50+

      ¥1.3631
    • 150+

      ¥1.2401
    • 500+

      ¥1.0867
    • 2500+

      ¥1.0184
    • 5000+

      ¥0.9774
  • 有货
  • ZR431是一款三端可调并联稳压器,具有出色的温度稳定性,输出电流处理能力高达100mA。通过选择两个外部分压电阻,可将输出电压设置为2.5V至20V之间的任意选定电压。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中,该器件可替代齐纳二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6807
    • 50+

      ¥1.4059
    • 150+

      ¥1.2882
    • 500+

      ¥1.1412
    • 3000+

      ¥0.9825
    • 6000+

      ¥0.9432
  • 有货
  • 特性:低正向压降。 低反向泄漏。 出色的高温稳定性。 专利超势垒整流器技术。 软快速开关能力。 工作结温 +150℃。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7818
    • 50+

      ¥1.4349
    • 150+

      ¥1.2863
    • 500+

      ¥1.1008
    • 3000+

      ¥0.8912
  • 有货
  • PI3USB102E 是一个单差分通道 2:1 多路复用器/解复用器 USB 2.0 开关。其主要优势包括低通道电阻和 I/O 电容,导致传播延迟为 250ps。它支持高速 USB 2.0 (480 Mb/s),并提供 Y+/Y- 引脚的过电压保护。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.83 / 个
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V。 高连续电流:IC = 2A。 峰值脉冲电流:ICM = 6A。 低饱和电压:VCE(SAT) < 300mV @ 1A。 互补PNP类型。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9065
    • 50+

      ¥1.4851
    • 150+

      ¥1.3045
    • 1000+

      ¥1.0553
    • 2000+

      ¥0.955
  • 有货
  • 单通道精密可调限流开关,适用于需要精密限流的应用,或在重载/短路时提供高达2.1A的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻在75mA至2.36A(典型值)之间设置可编程的电流限制阈值。在高电流限制设置下,可实现±6%的电流限制精度。控制上升和下降时间,以最大程度减少关断期间的电流浪涌
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2108
    • 50+

      ¥1.7671
    • 150+

      ¥1.577
    • 500+

      ¥1.3398
    • 3000+

      ¥1.1814
    • 6000+

      ¥1.118
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 极低漏电流。 高正向浪涌电流能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,在 IATF 16949 认证工厂生产
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2132
    • 50+

      ¥1.778
    • 150+

      ¥1.5914
    • 500+

      ¥1.3587
    • 2500+

      ¥1.1608
  • 有货
  • 这款新一代MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想之选。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.4125
    • 50+

      ¥1.9587
    • 150+

      ¥1.7641
    • 500+

      ¥1.3437
    • 3000+

      ¥1.2356
    • 6000+

      ¥1.1708
  • 有货
  • 特性:保护环管芯结构,用于瞬态保护。 低功耗,高效率。 低反向漏电流。 适用于高频逆变器、续流和极性保护应用。 高正向浪涌电流能力。 无铅涂层;符合RoHS标准。应用:高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 5+

      ¥2.7054
    • 50+

      ¥2.2166
    • 150+

      ¥1.9779
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 极低正向压降。 高正向浪涌电流能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层,符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥2.63
    • 30+

      ¥2.34
    • 100+

      ¥1.98
    • 500+

      ¥1.82
    • 1000+

      ¥1.72
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-100V。 BVECO >-7V。 连续集电极电流 IC =-2A。 在-1A 时,VCE(SAT) <-130mV。 典型 RCE(SAT) = 108mΩ。 PD = 1.25W。应用:MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.56
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.49
    • 100+

      ¥2.09
    • 500+

      ¥1.91
    • 1000+

      ¥1.8
  • 有货
  • 低功耗,高性能5.0 Gbps信号ReDriver,专为USB 3.0协议设计。提供可编程均衡、去加重和输入阈值控制,以优化各种物理介质上的性能。
    • 1+

      ¥3.76
    • 10+

      ¥3.0458 ¥3.14
    • 30+

      ¥2.436 ¥2.8
    • 100+

      ¥2.1054 ¥2.42
    • 500+

      ¥1.9575 ¥2.25
    • 1000+

      ¥1.8879 ¥2.17
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.83
    • 10+

      ¥3.27
    • 30+

      ¥2.99
    • 100+

      ¥2.71
    • 500+

      ¥2.54
    • 1000+

      ¥2.46
  • 有货
  • 是一款采用POWERDI5封装的双芯片肖特基势垒整流器,适用于低电压、高频逆变器、ORing和极性保护应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.8592 ¥4.02
    • 10+

      ¥3.1476 ¥3.66
    • 30+

      ¥2.6524 ¥3.49
    • 100+

      ¥2.5156 ¥3.31
    • 500+

      ¥2.432 ¥3.2
    • 1000+

      ¥2.394 ¥3.15
  • 有货
  • AP63356/AP63357 是一款 3.5A 同步降压转换器,输入电压范围宽,为 3.8V 至 32V。该器件完全集成了一个 74mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 40mΩ 的低端功率 MOSFET,可实现高效的降压式 DC - DC 转换。由于采用了峰值电流模式控制以及集成的环路补偿网络,AP63356/AP63357 器件最大程度减少了外部元件数量,使用起来十分便捷
    数据手册
    • 1+

      ¥3.89
    • 10+

      ¥3.21
    • 30+

      ¥2.87
    • 100+

      ¥2.53
    • 500+

      ¥2.33
    • 1000+

      ¥2.22
  • 有货
  • 这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它们非常适合用作:极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.93
    • 10+

      ¥2.98
    • 30+

      ¥2.58
    • 100+

      ¥2.07
    • 500+

      ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.6
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V。 BVCEX > 170V,正向阻断电压。 BV ECO > 6V,反向阻断电压。 IC = 3A,高连续集电极电流。 低饱和电压,VCE(SAT) < 80mV @1A。 RCE(SAT) = 67mΩ,低等效导通电阻。应用:灯继电器和螺线管驱动器。 汽车和工业应用中的通用开关
    数据手册
    • 1+

      ¥4.12
    • 10+

      ¥3.39
    • 30+

      ¥3.02
    • 100+

      ¥2.66
    • 500+

      ¥2.44
    • 1000+

      ¥2.33
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 300V。 高连续集电极电流 IC = 3.5A。 峰值脉冲电流 ICM = 5A。 极低饱和电压 VCE(SAT) < 155mV @ 1A。 低等效导通电阻 RCE(SAT) = 87mΩ。 hFE 高达 3A 时仍有高增益保持。 互补 PNP 型:FZT957。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 1+

      ¥4.39
    • 10+

      ¥3.43
    • 30+

      ¥2.95
    • 100+

      ¥2.47
    • 500+

      ¥1.94
    • 1000+

      ¥1.79
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.46
    • 10+

      ¥3.285 ¥3.65
    • 30+

      ¥2.592 ¥3.24
    • 100+

      ¥2.272 ¥2.84
    • 500+

      ¥2.08 ¥2.6
    • 1000+

      ¥1.984 ¥2.48
  • 有货
  • ZRC250采用带隙电路设计,实现了2.5伏的精密微功耗电压基准。该器件有小外形表面贴装封装,适用于对节省空间要求较高的应用,也有通孔封装可供选择。 ZRC250无需外部电容即可提供稳定电压,并且在容性负载下也能保持稳定。建议ZRC250在20μA至5mA的电流范围内工作,因此非常适合低功耗和电池供电的应用。 在绝对最大电流25mA时,该器件仍能保持出色的性能。此外,其坚固的设计和20伏处理能力使该基准能够承受高达200mA的瞬态效应和电流。卓越的开关能力使该器件仅需几微秒即可达到稳定工作状态。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.49
    • 10+

      ¥3.52
    • 30+

      ¥3.04
    • 100+

      ¥2.55
    • 500+

      ¥2.27
    • 1000+

      ¥2.12
  • 有货
  • 提供远程I/O扩展,适用于大多数微控制器家族通过I²C总线接口。支持双向电压电平转换。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.66
    • 10+

      ¥3.76
    • 30+

      ¥3.31
    • 100+

      ¥2.86
    • 500+

      ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.33
  • 有货
  • P沟道,-100V,-3.8A,150mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.71
    • 10+

      ¥3.86
    • 30+

      ¥3.43
    • 100+

      ¥3
    • 500+

      ¥2.36
    • 1000+

      ¥2.23
  • 有货
  • AP22815/615是3A单通道、带输出过压保护(OVP)的限流高端功率开关,针对USB和其他热插拔应用进行了优化。AP22815/615符合USB标准,使能输入有两种极性可选。该器件还具备固定和可调限流功能,针对需要精确限流支持的应用进行了优化
    数据手册
    • 1+

      ¥5.4
    • 10+

      ¥4.52
    • 30+

      ¥4.08
    • 100+

      ¥3.64
    • 500+

      ¥3.02
    • 1000+

      ¥2.88
  • 有货
  • 该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准,有PPAP支持,适用于:反极性保护。无刷直流电机控制。电源管理功能
    • 1+

      ¥6.29
    • 10+

      ¥5.01
    • 30+

      ¥4.36
    • 100+

      ¥3.73
    • 500+

      ¥3.35
    • 1000+

      ¥3.15
  • 有货
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