美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMBJ9.0CA-13-F 编号：C135111

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=10V VC=15.4V IPP=39A 双向

数据手册

5+
￥1.0414
50+
￥0.8246
150+
￥0.7317
500+
￥0.6159
3000+
￥0.5642
6000+
￥0.5333

有货

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型号：DMP1009UFDF-7 编号：C493499

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.0724
50+
￥0.8355
150+
￥0.734
500+
￥0.6073
3000+
￥0.5509
6000+
￥0.517

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型号：B340LB-13-F 编号：C97318

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：极低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达 70A 峰值。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.0795
50+
￥0.8896
150+
￥0.7946
500+
￥0.7233
3000+
￥0.6092
6000+
￥0.5807

有货

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型号：ZHCS1000TA 编号：C141318

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：高电流能力（IF = 1A）。低正向电压。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性。应用：DC-DC转换器。移动电信

数据手册

5+
￥1.099
50+
￥0.8646
150+
￥0.7641
500+
￥0.6388
3000+
￥0.5471
6000+
￥0.5137

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型号：AP3211KTR-G1 编号：C154863

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP3211是一款1.4MHz固定频率、电流模式PWM降压DC-DC转换器,能够驱动1.5A负载,具有高效率、优良的线路和负载调节能力。内置N通道功率MOSFET开关,低导通电阻。电流模式控制提供快速瞬态响应和逐周期限流。内置过流保护、热关断、欠压锁定和软启动功能。适用于LCD电视、便携式DVD等设备。

数据手册

5+
￥1.2219
50+
￥0.9655
150+
￥0.8556
500+
￥0.7185
3000+
￥0.6574
6000+
￥0.6208

有货

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型号：PAM2803AAF095 编号：C55801

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

PAM2803是一款升压型DC-DC转换器，可提供稳定的输出电流。该器件以1.0 MHz的恒定频率进行开关操作，允许使用小值外部电感和陶瓷电容。PAM2803设计用于从两节碱性电池驱动高达1A的负载。LED电流可以通过连接在反馈引脚（FB）与地之间的外部电流检测电阻Rs进行编程。95 mV的低反馈电压减少了Rs中的功率损耗，提高了效率。借助其内部2A、100 mΩ的NMOS开关，即使在重负载下也能提供高效率。在关断模式下，反馈电阻Rs和负载完全断开，电流消耗降至1 μA以下。PAM2803采用6引脚SOT23-6封装。

数据手册

5+
￥1.5218
50+
￥1.2188
150+
￥1.089
500+
￥0.927
3000+
￥0.8549

有货

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型号：DF04S-T 编号：C155531

封装：DF-S

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降，高电流能力。浪涌过载额定值达50A峰值。专为表面贴装应用设计。 UL列于认可组件索引下，文件编号E525394。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.5479
50+
￥1.2755
150+
￥1.1587
1500+
￥1.0131
3000+
￥0.9482
4500+
￥0.9093

有货

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型号：SBR10E45P5-13 编号：C73567

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

SBR10E45P5采用紧凑且散热高效的PowerD|₅封装，可提供超低正向压降（Vₓ），并在高温下具备出色的低反向漏电流稳定性。它非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。

数据手册

5+
￥1.6293
50+
￥1.3077
150+
￥1.1698
500+
￥0.9978
2500+
￥0.8692
5000+
￥0.8233

有货

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型号：DMP4051LK3-13 编号：C397952

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.8162
50+
￥1.4534
150+
￥1.2978
500+
￥1.1038
2500+
￥0.9807
5000+
￥0.9288

有货

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型号：DMN6040SSD-13 编号：C154876

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.8785
50+
￥1.4908
150+
￥1.3246
500+
￥1.1173
2500+
￥0.9017

有货

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型号：ZR431F01TA 编号：C107250

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZR431是一款三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性，输出电流处理能力高达100mA。通过选择两个外部分压电阻，可将输出电压设置为2.5V至20V之间的任意选定电压。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，该器件可替代齐纳二极管

数据手册

5+
￥2.0328
50+
￥1.6524
150+
￥1.4894
500+
￥1.286
3000+
￥1.0663
6000+
￥1.0119

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型号：ZXM61N02FTA 编号：C110542

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这新一代的高密度MOSFET采用了一种独特的结构，将低导通电阻和快速开关速度的优势相结合。这使其成为高效、低电压电源管理应用的理想选择。

数据手册

5+
￥2.0574
50+
￥1.6274
150+
￥1.443
500+
￥1.2131
3000+
￥1.0253
6000+
￥0.9639

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型号：PDS5100H-13 编号：C141284

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

5+
￥2.6143
50+
￥2.1128
150+
￥1.8979
500+
￥1.6298
2500+
￥1.5104

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型号：DMP10H400SE-13 编号：C156277

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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1+
￥2.67
10+
￥2.12
30+
￥1.89
100+
￥1.59
500+
￥1.46
1000+
￥1.38

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型号：DMP6023LFG-7 编号：C526579

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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1+
￥3.79
10+
￥3.06
30+
￥2.75
100+
￥2.36
500+
￥2.04

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型号：SBR10U200P5-13 编号：C155266

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

采用紧凑且散热高效的PowerDI5封装，在高温下可实现低正向压降（VF）和低反向漏电流。

数据手册

1+
￥4.6
10+
￥3.85
30+
￥3.53
100+
￥3.13
500+
￥2.68
1000+
￥2.57

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型号：AP64200SP-13 编号：C3192345

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP64200 是一款 2A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 3.8V 至 40V。该器件完全集成了一个 150mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 80mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。由于采用了峰值电流模式控制，AP64200 最大限度地减少了外部元件数量，使用起来十分便捷

1+
￥5.16
10+
￥4.17
30+
￥3.68
100+
￥3.19
500+
￥2.89
1000+
￥2.74

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型号：ZXCT1010E5TA 编号：C14151

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1010是一款高端电流检测监视器。使用该器件可避免在检测负载电流时破坏接地层。它是ZXCT1009的改进版本，可降低典型输出失调，并在低检测电压下提高精度。其输入电压范围宽，从20V低至2.5V，适用于多种应用。最低工作电流仅为4μA，再加上SOT25封装，使其适用于便携式电池设备。

数据手册

1+
￥5.27
10+
￥4.19
30+
￥3.66
100+
￥3.12
500+
￥2.8
1000+
￥2.64

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型号：SBRT15U50SP5-13 编号：C211388

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

采用紧凑的高效散热 POWERDI5 封装，提供超低正向压降 (VF)，并在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。

数据手册

1+
￥5.67
10+
￥4.64
30+
￥4.12
100+
￥3.61
500+
￥3.3
1000+
￥3.14

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型号：DMHT6016LFJ-13 编号：C460986

封装：VDFN5045-12

品牌：DIODES(美台)

新一代互补MOSFET H桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。

数据手册

1+
￥10.56
10+
￥8.85
30+
￥7.91
100+
￥6.85
500+
￥6.38
1000+
￥6.17

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型号：BAT54SW-7-F 编号：C83575

封装：SOT-323-3

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关。超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的产品可供选择

数据手册

20+
￥0.1896
200+
￥0.1495
600+
￥0.1272
3000+
￥0.1084
9000+
￥0.0969

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型号：MMBT2222A-7-F 编号：C94515

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 150mA。互补PNP型。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

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