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首页 > 热门关键词 > 美台驱动芯片
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PAM8904EGPR
型号：PAM8904EGPR 编号：C510550
封装：W-QFN2020-12-EP(2x2)
品牌：DIODES(美台)
是一款集成电荷泵升压转换器的压电发声器驱动器，能够在4.5V电源下驱动陶瓷/压电发声器，输出27Vₚ₋ₚ电压。电荷泵可在1倍、2倍或3倍模式下工作。升压转换器以100kHz的固定频率工作，以最少的外部组件提供3倍输入电压的输出，可驱动高达47nF的负载。独特的驱动技术可提供小浪涌电流、低电磁干扰和高效率。内置自动关机和唤醒功能，可保证更长的电池寿命。具备热关断、过流保护、过压保护和欠压锁定功能。有U-QFN3030-16（B型）、U-QFN3030-12（A型）、W-QFN2020-12（US型）和U-QFN2020-12（UX型）封装。
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    40V 3A 降压型 LED 驱动器
    型号：AL8843QSP-13 编号：C510553
    封装：SOIC-8-EP
    品牌：DIODES(美台)
    是一种迟滞模式的DC-DC降压转换器，用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联的LED。该器件可在4.5V至40V的输入电源下工作，并提供高达3A的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件，该转换器可提供高达60W的输出功率。集成了功率开关和高端输出电流检测电路，使用外部电阻设置标称平均输出电流
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    3.3V, USB 3.0, 1端口, 2:1 MUX/DEMUX开关
    型号：PI3USB302-AZBEX 编号：C500787
    封装：DHVQFN-20-EP(2.5x4.5)
    品牌：DIODES(美台)
    Diodes的PI3USB302-A是一款2差分通道双向多路复用/解复用开关。由于其低比特间偏移、高通道间噪声隔离和带宽，该产品非常适合用于5.0 Gbps下的USB 3.0信号切换。
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    75V 300mA
    型号：BAV99Q-7-F 编号：C442631
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 表面贴装封装，非常适合自动插入。 适用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
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    75V 500mA
    型号：1N4448W-7-F 编号：C124191
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 表面贴装封装，非常适合自动插入。 用于通用开关应用。 高电导率。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该部件符合JEDEC高可靠性标准
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    独立式 耐压:18V 电流:0.1uA@14V
    型号：MMSZ5248B-7-F 编号：C177051
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW 功率耗散。 通用、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性
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    400V 1A
    型号：S1G-13-F 编号：C85102
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构，高可靠性。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动组装。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    低功耗低偏移电压双比较器
    型号：AS393MTR-G1 编号：C112029
    封装：SOIC-8
    品牌：DIODES(美台)
    AS393/393A由两个独立的精密电压比较器组成，典型失调电压为1.0mV，增益高。它们专门设计用于在宽电压范围内的单电源供电。也可以采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关
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    NPN 50V 100mA
    型号：DDTC114YCA-7-F 编号：C57530
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 有互补PNP类型（DDTA）。 内置偏置电阻，R1≠R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 可提供PPAP文件
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    低功耗低失调电压双比较器
    型号：AS393AMTR-G1 编号：C780783
    封装：SO-8
    品牌：DIODES(美台)
    AS393/393A由两个独立的精密电压比较器组成，典型失调电压为1.0mV，增益高。它们专门设计用于在宽电压范围内的单电源供电。也可以采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关
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    NPN预偏置小信号表面贴装晶体管
    型号：DDTC143EUA-7-F 编号：C460045
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 有互补PNP类型（DDTA）。 内置偏置电阻，R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性和PPAP能力
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    PNP型预偏置小信号表面贴装晶体管
    型号：DDTA123ECA-7-F 编号：C5124974
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型（DDTC）。 内置偏置电阻，R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备PPAP能力
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    1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA
    型号：BSS84DWQ-7 编号：C460014
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：通用接口、开关电源管理功能、模拟开关。
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      ￥0.328414 ￥0.5297
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:240mA
    型号：DMN26D0UFB4-7B 编号：C7525126
    封装：DFN-3
    品牌：DIODES(美台)
    这新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

    • 5+

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    NPN 电流:1A 电压:150V
    型号：FMMT495TA 编号：C47296
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
    型号：DMG3406L-13 编号：C481695
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款 MOSFET 旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
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    独立式 耐压:16V 电流:0.5uA
    型号：SMAZ16-13-F 编号：C155528
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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      ￥0.6637

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    耐压:100V 电流:1A 反向恢复时间：50ns
    型号：US1B-13-F 编号：C154439
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 超快速恢复时间，实现高效率。 浪涌过载额定值达30A峰值。 高电流能力。 非常适合自动组装。 无铅表面处理，符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
    型号：DMG6601LVT-7 编号：C278728
    封装：TSOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

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      ￥0.7332

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    电压:100V 电流:2A
    型号：B2100-13-F 编号：C110479
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达60A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接：引脚处+260℃/10秒。 无铅表面处理；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：DMG3404L-7 编号：C96615
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

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      ￥0.7497

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    耐压:400V 电流:1A 反向恢复时间：25ns
    型号：ES1G-13-F 编号：C85108
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 超快恢复时间，实现高效率。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动装配。 无铅涂层，符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件
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    电压:60V 电流:2A
    型号：B260-13-F 编号：C72265
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达500A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接：端子处+260℃/10秒。 无铅表面处理；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
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    耐压:60V 电流:1.5A
    型号：DMP6350S-7 编号：C155308
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

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    PNP 电流:200mA 电压:150V
    型号：DMMT5401-7-F 编号：C154733
    封装：SOT-26(SC74R)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -150V，2% 匹配容差。 hFE、Vce(SAT)、Vbe(SAT) 适合中功率放大和开关。 单个 SOT26 (SC74R) 封装中的双晶体管，占用空间为两个等效 SOT23 晶体管的一半。 外延平面管芯结构。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色” 器件
    数据手册

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      ￥0.8683

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    • 6000+

      ￥0.482
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    电压:20V 电流:3A
    型号：B320A-13-F 编号：C110484
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：DIODES(美台)
    适用于低压、高频逆变器、续流、直流-直流转换器和极性保护应用。
    数据手册

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    • 50+

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.2A
    型号：DMN3023L-7 编号：C443825
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    新一代MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0104

    • 50+

      ￥0.8031

    • 150+

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    • 500+

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      ￥0.5018
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    双向TVS 9V截止 峰值浪涌电流：39A@8.3ms
    型号：SMBJ9.0CA-13-F 编号：C135111
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=10V VC=15.4V IPP=39A 双向
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      ￥0.5333
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    电压:40V 电流:3A
    型号：B340LB-13-F 编号：C97318
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：极低正向压降。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达 70A 峰值。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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      ￥1.0795

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    电压:40V 电流:1A
    型号：ZHCS1000TA 编号：C141318
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：高电流能力（IF = 1A）。 低正向电压。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤和无锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性。应用：DC-DC转换器。 移动电信
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      ￥1.099

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