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型号：NCP718ASN330T1G 编号：C603785

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP718 是 300 mA LDO 线性电压稳压器。它是一款非常稳定且准确的器件，带有超低静止电流耗量（完整温度范围内的典型值为 4 ?A），还具有宽输入电压范围（高达 24 V）。该稳压器结合了若干保护功能，如高温关断和电流限制。

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型号：MJE340G 编号：C898406

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极功率晶体管用于高电压通用型应用。

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型号：H11L1M 编号：C16587

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：MC74HCT04ADTR2G 编号：C233541

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74HCT04A可用作电平转换器，用于将TTL或NMOS输出与高速CMOS输入连接。HCT04A的引脚排列与LS04相同。

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型号：MC7815BD2TR4G 编号：C231295

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作固定电压调节器，适用于包括本地、板载调节在内的各种应用。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过1.0A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

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型号：NCP603SNADJT1G 编号：C233368

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP603可在固定电压选项下提供300 mA的输出电流，或提供5.0 V至1.250 V的可调输出电压。它专为便携式电池供电应用而设计，具备低功耗运行、快速使能响应时间和低压差等高性能特性。该器件设计用于搭配低成本陶瓷电容器，并采用TSOP−5/SOT23−5封装

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型号：NTMFS4C302NT1G 编号：C511972

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

NTMFS4C302N 是一个单 N 沟道功率 MOSFET，占地面积小，适合紧凑设计。

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型号：MBRD360T4G 编号：C10667

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器用作开关电源、逆变器和其他电感开关电路中的输出整流器、续流、保护和转向二极管。

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型号：MC7815CD2TR4G 编号：C35946

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作固定电压调节器，适用于包括本地板载调节在内的各种应用。这些调节器采用了内部电流限制、热关断和安全区补偿功能。在有足够散热措施的情况下，它们能够提供超过1A的输出电流

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型号：MOCD213R2M 编号：C258244

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD213M 器件包含两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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型号：MBRD660CTT4G 编号：C72267

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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型号：FQT7N10LTF 编号：C154506

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：MBRD640CTT4G 编号：C153769

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：LM337BTG 编号：C74415

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调负向

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型号：NTD20P06LT4G 编号：C179611

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET -60 V，-15.5 A，单 P 沟道 DPAK

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型号：NCP3170ADR2G 编号：C145192

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3170是一款电流模式降压调节器，集成了高端PMOS开关和低端NMOS开关。它的输入电压范围为4.5 V至18 V，可提供高达3 A的负载电流。

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型号：MBRD1035CTLT4G 编号：C15093

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

采用肖特基势垒原理，应用于大面积金属-硅功率二极管。先进的几何结构采用外延结构，具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。非常适合低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

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型号：FDD86102LZ 编号：C111627

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,100V,35A,22.5mΩ@10V

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型号：UC2845BNG 编号：C180367

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3844B、UC3845B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的经济高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流感应比较器以及大电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且都具有迟滞、逐周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 适用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压应用。

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型号：NCP1380DDR2G 编号：C415858

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1380 是一款高性能器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器基于专属的谷锁闭系统，可以在功率负载变轻时进行切换并降低开关频率。这样将产生稳定的运行，即使在漏极-源极谷中总是触发的开关事件下也是如此。此系统可在低至第 4 个谷的条件下运行，并在之后切换到变频模式，确保卓越的待机功率性能。为了提高过载条件下的安全性，该控制器包括了过功率保护 (OPP) 电路，可对高电平线路处提供的电源进行箝制。具有安全功能的固定内部计时器依赖反馈电压来检测故障。一旦计时器到期，控制器则停止并保持选项 A 和 C 的锁存状态，或者进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。该控制器尤其适用于适配器应用，有一个引脚来实施过电压/高温组合保护（版本 A 和 B）或欠电压/过电压组合保护（版本 C 和 D）。

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型号：MVGSF1N02LT1G 编号：C463102

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型功率管理电路。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：FDD4685 编号：C258227

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的，可提供低 rDS(on) 和良好的开关特性，为应用带来出色性能。

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型号：NCV4274ADT50RKG 编号：C233416

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

NCV4274和NCV4274A是一款精密微功耗电压调节器，输出电流能力为400 mA，有DPAK、D2PAK和SOT - 223封装可选。根据不同版本，输出电压精度在±2.0%或±4.0%以内，输入电压最高可达40 V时，最大压差为0.5 V。其特点是静态电流低，在1 mA负载下仅消耗150 μA电流

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型号：FQD16N25CTM 编号：C415866

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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型号：6N136M 编号：C9067

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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