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型号：NTF5P03T3G 编号：C145552

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道,-30V,-5.2A,100mΩ@-30V

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1+
￥5.1
10+
￥4.07
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￥3.56
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￥3.05
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￥2.74
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￥2.58

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型号：NCP1380DDR2G 编号：C415858

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1380 是一款高性能器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器基于专属的谷锁闭系统，可以在功率负载变轻时进行切换并降低开关频率。这样将产生稳定的运行，即使在漏极-源极谷中总是触发的开关事件下也是如此。此系统可在低至第 4 个谷的条件下运行，并在之后切换到变频模式，确保卓越的待机功率性能。为了提高过载条件下的安全性，该控制器包括了过功率保护 (OPP) 电路，可对高电平线路处提供的电源进行箝制。具有安全功能的固定内部计时器依赖反馈电压来检测故障。一旦计时器到期，控制器则停止并保持选项 A 和 C 的锁存状态，或者进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。该控制器尤其适用于适配器应用，有一个引脚来实施过电压/高温组合保护（版本 A 和 B）或欠电压/过电压组合保护（版本 C 和 D）。

数据手册

1+
￥5.2
10+
￥4.16
30+
￥3.64
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￥3.12
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￥2.81
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￥2.65

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型号：FDS2572 编号：C903616

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

UltraFET 器件结合了各种特性，可在电源转换应用中提供标杆式效率。此类器件针对 Rds(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化，适用于高频 DC/DC 转换器。

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1+
￥5.23
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￥4.19
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￥3.68
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￥3.16
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￥2.7

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型号：NCP730BMT330TBG 编号：C892821

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

是一款CMOS LDO稳压器，设计用于高达38V的输入电压和150mA的输出电流。仅1μA的静态电流使其成为电池供电、始终开启系统的理想解决方案。有几种固定输出电压版本以及可调版本。该器件（B版本）实现了电源良好电路（PG），用于指示输出电压是否处于稳压状态，此信号可用于电源排序或作为微控制器复位信号。内部短路和过温保护可防止器件在过载条件下损坏。

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1+
￥5.66
10+
￥4.7
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￥4.21
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￥3.74
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￥2.57
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￥2.42

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型号：MJE15032G 编号：C134071

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

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1+
￥5.83
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￥4.78
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￥3.98
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型号：MOC3062SR2M 编号：C410939

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

1+
￥6.07
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￥4.86
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￥4.26
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￥3.66
500+
￥3.3
1000+
￥3.11

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型号：MJE15033G 编号：C134072

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

数据手册

1+
￥6.18
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￥4.94
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￥4.32
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￥3.71
500+
￥3.34
1000+
￥3.15

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型号：NTHD4102PT1G 编号：C275999

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET -20 V，-4.1 A 双 P 沟道 ChipFET

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1+
￥6.2
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￥5.03
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￥4.44
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￥3.86
500+
￥3.51
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￥3.33

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型号：NCP1012ST65T3G 编号：C894932

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

NCP101X系列集成了一个固定频率电流模式控制器和一个700 V MOSFET。该系列采用PDIP - 7或SOT - 223封装，具备构建坚固且低成本电源所需的一切功能，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳周期、最大峰值电流设定点和动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片解决方案不同，NCP101X本质上运行安静：在标称负载运行期间，该器件以可选频率（65 - 100 - 130 kHz）之一进行开关操作。当电流设定点降至给定值以下时，例如输出功率需求降低，IC会自动进入所谓的跳周期模式，在轻载时提供出色的效率。由于这种情况通常发生在最大峰值的1/4左右，因此不会产生声学噪声。因此，待机功耗可降至最低且无声学噪声产生。当反馈信号消失时，例如在真正的短路情况或光耦合器损坏的情况下，会进行短路检测。通过简单地将反馈引脚拉低，或通过一个廉价的SCR将其锁存到地以实现完全锁存关断，可轻松实现外部禁用。最后，软启动和频率抖动进一步减轻了设计人员快速开发低成本、可靠离线电源的任务。为提高待机性能，连接辅助绕组可停止动态自供电（DSS）操作，并有助于在高输入电压下将功耗降至100 mW以下。在此模式下，内置的锁存过压保护可防止在光耦合器损坏时出现致命的电压失控。这些器件提供经济实惠的8引脚双列直插式和4引脚SOT - 223封装。

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1+
￥7.23
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￥6.71
30+
￥6.42
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￥4
500+
￥3.85
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￥3.78

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型号：MJE15030G 编号：C233749

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

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1+
￥7.68
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￥6.32
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￥5.57
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￥4.72
500+
￥4.34
1000+
￥4.17

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型号：NCP45524IMNTWG-H 编号：C603740

封装：WFDFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关提供了一种组件和面积减少的解决方案，通过软启动实现带涌流限制的高效电源域切换。这些设备设计为在一个封装中集成控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的电源MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

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1+
￥8.86
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￥7.59
30+
￥6.96
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￥6.33
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￥3.37
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型号：MUR8100EG 编号：C23545

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

超快“E”系列，具有很高的反向能量吸收能力……适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管，此类先进器件具有下列特性：

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1+
￥9.27
10+
￥7.83
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￥6.68
100+
￥5.78
500+
￥5.38
1000+
￥5.2

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型号：NTD5865NLT4G 编号：C145546

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道,60V,16A,16mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.5
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￥7.95
30+
￥7.1
100+
￥6.14
500+
￥5.23
1000+
￥5.04

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型号：NJW0281G 编号：C10664

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

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1+
￥11.68
10+
￥9.97
30+
￥8.17
90+
￥7.07
510+
￥6.58
990+
￥6.36

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型号：ISL9V3040S3ST-F085C 编号：C603081

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3ST-F085C 和 ISL9V3040S3ST-F085C 提供卓越的 SCIS 能力，采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263) 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息，请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。

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1+
￥12.04
10+
￥10.14
30+
￥8.95
100+
￥7.73
500+
￥7.18
800+
￥6.94

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型号：FDA38N30 编号：C463458

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥15.33
10+
￥12.94
30+
￥10.96
90+
￥9.43
510+
￥8.73
990+
￥8.43

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型号：FCP099N65S3 编号：C516097

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

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1+
￥23.05
10+
￥19.96
50+
￥18.12
100+
￥16.26
500+
￥15.4
1000+
￥15.01

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型号：FQA28N50 编号：C2720

封装：TO-3P-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,500V,28.4A,160mΩ@10V

数据手册

1+
￥25.61
10+
￥21.91
30+
￥18.35
90+
￥16.13
510+
￥15.1
1200+
￥14.64

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型号：FGH40T120SMD 编号：C462120

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

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1+
￥31.4
10+
￥25.84
30+
￥23.46
90+
￥21.05
510+
￥19.94
990+
￥19.44

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型号：MJ15024G 编号：C2730

封装：TO-204

品牌：onsemi(安森美)

MJ15022和MJ15024是功率晶体管，专为高功率音频、磁盘磁头定位器及其他线性应用而设计。

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1+
￥34.09
10+
￥29.01
30+
￥25.92
100+
￥23.32

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型号：MJL1302AG 编号：C327497

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

MJL3281A 和 MJL1302A 功率晶体管适用于大功率音频、磁盘头定位器和其他线性应用。

数据手册

1+
￥35.91
10+
￥31
25+
￥28.08
100+
￥25.13

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型号：SGL160N60UFDTU 编号：C11757

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供低传导和开关损耗。专为需要高速开关的应用而设计，如电机控制和通用逆变器。

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1+
￥58.96
10+
￥57.67
25+
￥52.47
100+
￥48.1

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型号：FGL60N100BNTDTU 编号：C105610

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

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1+
￥79.74
10+
￥65.03
25+
￥59.14
100+
￥54

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型号：NVH4L020N120SC1 编号：C898285

封装：TO-247-4L

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on) = 20 mΩ。超低栅极电荷QG(tot) = 220 nC。低电容高速开关（Coss = 258 pF）。100%雪崩测试。AEC-Q101认证且具备PPAP能力。该器件无卤化物，符合RoHS豁免7a，二级互连无铅。应用：汽车车载充电器。电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器

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