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型号：MMBT5551LT1G 编号：C41095

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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50+
￥0.1318
500+
￥0.1054
3000+
￥0.0697
6000+
￥0.0609
24000+
￥0.0574
51000+
￥0.055

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型号：LM393DR2G 编号：C7955

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计为在单电源供电时允许共模输入范围接近地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子等众多应用的理想选择。

数据手册

5+
￥0.4558
50+
￥0.3703
150+
￥0.3262
500+
￥0.29
2500+
￥0.2336
5000+
￥0.225

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型号：NUP2105LT1G 编号：C14486

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

VBR=26.2V，Vc=40V，Ipp=8A

数据手册

5+
￥0.6264
50+
￥0.5166
150+
￥0.4602
500+
￥0.4137
3000+
￥0.2951
6000+
￥0.2841

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型号：MMBT3906LT1G 编号：C53444

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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50+
￥0.0974
500+
￥0.0767
3000+
￥0.0576
6000+
￥0.0507
24000+
￥0.0479
51000+
￥0.046

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型号：MMBT4401LT1G 编号：C31776

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用

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50+
￥0.1093
500+
￥0.0859
3000+
￥0.066
6000+
￥0.0582
24000+
￥0.0551
51000+
￥0.053

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型号：BAT54SLT1G 编号：C19726

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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1+
￥0.1845
10+
￥0.1413
30+
￥0.1221
100+
￥0.1077
500+
￥0.1019
1000+
￥0.098

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型号：FDV301N 编号：C15310

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

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20+
￥0.2467
200+
￥0.1927
600+
￥0.1687
3000+
￥0.1221
9000+
￥0.1149
21000+
￥0.1101

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型号：MBR0540T1G 编号：C21353

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

肖特基功率整流器采用了肖特基势垒原理，其势垒金属可实现最佳的正向压降-反向电流权衡。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管。该封装是无引脚34 MELF风格封装的替代方案。

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10+
￥0.4094
100+
￥0.3504
300+
￥0.3201
3000+
￥0.1747
6000+
￥0.1659
9000+
￥0.16

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型号：SS14 编号：C83852

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

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5+
￥0.7764
50+
￥0.6419
150+
￥0.5727
500+
￥0.5158
2500+
￥0.4105
7500+
￥0.3971

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型号：CAT24C256WI-GT3 编号：C79987

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C，内部组织为 512 页，每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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1+
￥2.84
10+
￥2.31
30+
￥2.05
100+
￥1.82
500+
￥1.29
1000+
￥1.25

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型号：MC34063ADR2G 编号：C32078

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款单片控制电路，包含直流到直流转换器所需的主要功能。这些器件包括内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和大电流输出开关。该系列专为在降压、升压和电压反转应用中使用最少的外部元件而设计。

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1+
￥2.92
10+
￥2.24
30+
￥1.91
100+
￥1.62
500+
￥1.51
1000+
￥1.46

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型号：6N137SDM 编号：C15825

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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1+
￥5.08
10+
￥4.4
30+
￥3.92
100+
￥3.52
500+
￥2.58
1000+
￥2.5

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型号：MBR0520LT1G 编号：C23848

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属，可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装提供了无引线 34 MELF 样式封装的替代方式。

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10+
￥0.4435
100+
￥0.3692
300+
￥0.3309
3000+
￥0.2214
6000+
￥0.2104
9000+
￥0.203

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型号：MMBFJ177LT1G 编号：C106763

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

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1+
￥0.6394
10+
￥0.5143
30+
￥0.45
100+
￥0.397
500+
￥0.3786
1000+
￥0.366

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型号：LM258DR2G 编号：C40350

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

利用为四运放完善的电路设计，这些双运算放大器具有低功耗、共模输入电压范围扩展到地/VEE，以及单电源或双电源供电的特点。这些放大器在单电源应用中比标准运算放大器类型有几个明显的优势。它们可以在低至3.0V或高达32V的电源电压下工作，静态电流约为MC1741的五分之一（每个放大器的基础上）。共模输入范围包括负电源，从而在许多应用中消除了外部偏置组件的必要性。输出电压范围也包括负电源电压。

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5+
￥0.702
50+
￥0.56
150+
￥0.4891
500+
￥0.4359
2500+
￥0.3392
5000+
￥0.3179

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型号：FUSB302BMPX 编号：C132291

封装：WFQFN-14(2.5x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

支持双角色功能，自主DRP切换，能够连接为主机或设备，基于所连接的设备。支持USB Type-C 1.2标准，集成CC引脚功能，包括连接/断开检测、电流能力指示等。

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1+
￥4.5
10+
￥3.82
30+
￥3.35
100+
￥2.96
500+
￥2.3
1000+
￥2.23

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型号：1N4148WT 编号：C232841

封装：SOD-523F

品牌：onsemi(安森美)

小信号二极管

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20+
￥0.2455
200+
￥0.2045
600+
￥0.1863
2000+
￥0.1726
8000+
￥0.1237
16000+
￥0.12

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型号：MJD44H11T4G 编号：C38780

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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5+
￥2.1607
50+
￥1.6592
150+
￥1.4144
500+
￥1.1961
2500+
￥1.1361
5000+
￥1.1

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型号：MOC3041SR2M 编号：C33904

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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1+
￥2.93
10+
￥2.44
30+
￥2.08
100+
￥1.79
500+
￥1.7
1000+
￥1.64

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型号：ES1J 编号：C232830

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高

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5+
￥1.0091
50+
￥0.8083
150+
￥0.7103
500+
￥0.6229
2500+
￥0.4809
7500+
￥0.4665

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型号：SS34 编号：C154551

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

数据手册

1+
￥2.7
10+
￥2.2
30+
￥1.96
100+
￥1.75
500+
￥1.43
1000+
￥1.4

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型号：MBRA340T3G 编号：C26178

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥1.2378
50+
￥0.9525
150+
￥0.8132
500+
￥0.5815
2500+
￥0.5474
5000+
￥0.5269

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型号：UC2844BD1R2G 编号：C77262

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3844B、UC3845B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和直流 - 直流转换器应用而设计，为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿基准源、高增益误差放大器、电流检测比较器和一个非常适合驱动功率MOSFET的大电流图腾柱输出。还包括保护功能，其中包括带迟滞的输入和基准欠压锁定、逐周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存器，以及一个触发器，该触发器每隔一个振荡周期将输出关断，允许将输出死区时间从50%编程到70%。这些器件有8引脚双列直插式和表面贴装（SOIC - 8）塑料封装，以及14引脚塑料表面贴装（SOIC - 14）封装。SOIC - 14封装为图腾柱输出级设有单独的电源和接地引脚。UCX844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线转换器。UCX845B针对低电压应用进行了优化，其UVLO阈值为8.5V（开启）和7.6V（关断）。

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