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封装：VQFN-36-EP(6x6)

一款三相无传感器无刷直流（BLDC）电机控制器，适用于外接 N 沟道功率 MOSFET，专为汽车应用而设计。它旨在为系统提供电机控制功能，在该系统中，小型微控制器负责与中央电子控制单元（ECU）进行通信，并进行智能故障和状态处理。A4964 为微控制器提供电源和看门狗功能，以及微控制器与中央 ECU 和点火开关之间的高压接口。A4964 也可作为独立的单芯片远程电机控制器运行。电机采用三相正弦电流驱动，通过监测电机反电动势（bemf）来确定相位换相，无需独立的位置传感器。无传感器启动方案包括正向和反向预旋转（风车效应）检测与同步，使 A4964 能够在各种电机和负载组合下运行。A4964 可进行占空比（电压）控制、电流（转矩限制）控制和闭环速度控制。控制模式、运行模式和控制参数通过兼容 SPI 的串行接口进行编程。单个电流检测放大器通过串行接口实现峰值电流限制和平均电流测量。集成诊断功能可指示欠压、过温和功率桥故障，并能在大多数短路情况下保护功率开关。

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1+
￥18.75
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型号：AiP2119TA20.TR 编号：C52260121

封装：TSSOP-20

品牌：I-CORE(中微爱芯)

90V三相桥式驱动电路

1+
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型号：AiP2119TA24.TB 编号：C52260122

封装：TSSOP-24

品牌：I-CORE(中微爱芯)

90V三相桥式驱动电路

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型号：GHD3440QE 编号：C42385771

封装：QFN24

品牌：Geehy(极海半导体)

GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计，适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns，当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时，实际死区时间为内嵌死区时间，反之，当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时，实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。

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￥6.74
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型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

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2500+
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型号：SLMi333CG-DG 编号：C5298376

封装：SOP-16-W

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLMi333隔离驱动器是一款先进的光兼容单通道IGBT隔离栅极驱动器，具备有源保护功能，如去饱和检测、欠压锁定（UVLO）、隔离故障检测和有源密勒钳位。SLMi333可提供2.5A的峰值输出电流，并具有自动故障复位功能。对于无后缀H的器件，默认去饱和阈值为6.5V；对于有后缀H的器件，默认去饱和阈值为9V

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型号：1EDI60I12AHXUMA1 编号：C7430259

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 隔离驱动器，在独立输出引脚处可提供高达 10 A 的输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 微控制器。通过无芯变压器技术实现跨隔离屏障的数据传输。每个驱动器系列成员均具备逻辑输入和驱动器输出欠压锁定 (UVLO) 以及主动关断功能。

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型号：PTAS2120RBGR 编号：C41610226

封装：VQFN-HR-26(3.5x4)

品牌：TI(德州仪器)

TAS2120是一款单声道、数字输入D类音频放大器，具有集成升压，可在电池供电的系统中提供更高的功率。器件经过优化，可以为音乐播放和语音通话的实际用例提供出色的电池续航表现。先进的效率优化功能（如Y桥和算法）使器件能够在工作的所有电源区域内提供出色的效率。

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型号：A4963GLPTR-T 编号：C459288

封装：TSSOP-20-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4963是一款三相无传感器无刷直流（BLDC）电机控制器，可与外部互补P沟道和N沟道功率MOSFET配合使用。A4963既可以作为独立控制器直接与电子控制单元（ECU）通信，也可以与本地微控制器（MCU）组成紧密耦合系统使用。该电机采用方波换相（梯形驱动）方式驱动，通过监测电机反电动势（bemf）来确定相位换相，无需独立的位置传感器。无传感器启动方案使A4963能够在广泛的电机和负载组合下运行。专用电路使A4963能够在很宽的电机转速范围内运行，转速从低于100 rpm到超过30,000 rpm，具体取决于电源电压和电机能力。有多种运行模式可供选择，包括占空比（电压）控制、电流（转矩限制）控制和闭环速度控制。运行模式和控制参数可通过兼容SPI的串行接口进行更改。电机运行由可编程PWM输入控制，该输入可用于定义电机运行状态，并为所选运行模式提供比例输入。集成诊断功能可指示欠压、过热和功率桥故障，并能在大多数短路情况下保护功率开关。故障通过一个漏极开路输出指示，该输出可用于将PWM输入拉低。A4963采用带外露散热焊盘的小型热增强型20引脚TSSOP封装。

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￥35.77
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型号：L9903 编号：C1556990

封装：SO-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

ISO9141电机桥控制器

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单价：
￥21.831461 / 个

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型号：L99H01QFTR 编号：C503087

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

电机桥驱动器，用于汽车应用

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1+
￥12.70911
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￥12.200746
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￥11.692381
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￥11.387363
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￥11.184017

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型号：A4956GESTR-T 编号：C2653560

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4956专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够在50 V电压下工作，并为全n沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。该器件设有输入端子，用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成了同步整流控制电路，可降低PWM工作期间的功耗

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1+
￥17.89
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￥15.18
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￥13.56
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￥11.93
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￥11.18
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型号：STGIPN3H60 编号：C503091

封装：DIP-26

品牌：ST(意法半导体)

SLLIMM-nano小型低损耗智能模块IPM，3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥

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5+
￥97.545498
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￥85.687027
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￥78.897094

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型号：STGIPQ3H60T-HL 编号：C377923

封装：N2DIP-26

品牌：ST(意法半导体)

SLLIMM nano第2系列IPM，3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥

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1+
￥98.43
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￥89.43
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￥83.95
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型号：TB67H303HG 编号：C1556864

封装：HZIP-25

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H303HG是一款用于直流电机的全桥驱动IC，其输出晶体管采用MOS管。通过采用低导通电阻的DMOS输出驱动器和PWM驱动，可实现高功率、高效率驱动。

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￥111.62
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￥102.2
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型号：L293DDM 编号：C434591

封装：SOP-20-300mil

品牌：HGSEMI(华冠)

该器件是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，设计用于接收标准 DTL 或 TTL 逻辑电平，并驱动感性负载（如继电器、螺线管、直流和步进电机）以及开关功率晶体管。为便于作为两个桥路使用，每对通道均配备一个使能输入。逻辑部分设有独立的电源输入，允许在较低电压下工作，且内部包含钳位二极管

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1+
￥10.82
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￥9.17
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￥6.74
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￥6.26
1008+
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型号：HIP2211FBZ-T7A 编号：C1015920

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准HI/LI输入，与瑞萨流行的桥驱动器如HIP2101和ISL2111引脚兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS

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￥27.91
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￥10.8
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型号：L9904TR 编号：C2150554

封装：SO-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

电机桥控制器

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单价：
￥19.243195 / 个

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型号：L99H01QF 编号：C1556992

封装：LQFP-32

品牌：ST(意法半导体)

电机桥驱动器，用于汽车应用

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1+
￥17.06
250+
￥6.6
500+
￥6.37
1000+
￥6.26

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型号：L99H01XP 编号：C1556988

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

电机桥驱动器，用于汽车应用

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1+
￥18.33
200+
￥7.1
500+
￥6.85
1000+
￥6.72

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型号：L99H01XPTR 编号：C2150771

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

电机桥驱动器，用于汽车应用

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单价：
￥15.079463 / 个

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型号：G2301C 编号：C42377504

封装：ESOP-16

品牌：SGKS(森国科)

G2301C 是一款为控制 P&N 沟道 MOSFETs 而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3 个半桥，共驱动 3 个 P 沟道功率 MOSFETs 和 3 个 N 沟道功率 MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制，由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了5V的 LDO，电流能力达到 100mA。内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。 G2301B 封装类型为 ESOP16。