h桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

是 N 沟道功率 MOSFET 驱动器，能够控制以三相桥排列连接的 MOSFET，专为具有高功率感性负载的汽车应用（如 BLDC 电机）而设计。适用于必须满足 ASIL 要求的汽车系统，与其他 Allegro A²-SIL™ 产品一样，它结合了有助于实现适当系统设计的功能，使用户能够实现高达 ASIL D 的系统分类。独特的电荷泵稳压器可为低至 7V 的电池电压下的 MOSFET 栅极驱动器供电，并允许在低至 5.5V 的降低栅极驱动下运行。栅极驱动电压和强度可编程，有助于减少 EMC 问题。使用自举电容器为 N 沟道 MOSFET 提供高于电池的电源电压。可对三相桥中的所有六个功率 MOSFET 进行全面控制，允许使用方波换相或正弦激励来驱动电机

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￥32.32
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￥24.77

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型号：H16 编号：C22396323

封装：插件,D2.5xL9mm

品牌：SET(赛尔特)

温度保险丝-合金型是一次性动作而不可复位的装置。其主要由低熔点的易熔合金、助熔断剂、外壳、封口树脂和引线组成。在正常工作情况下，易熔合金与两根引线保持连接，当合金型温度保险丝感受到异常发热点并达到预定的熔断温度时，易熔合金熔化，并在助熔断剂的作用下快速收缩至引线两端，从而断开电路。额定动作温度从 76℃ 到 221℃，额定电流为 2A，安规认证包括：UL，cUL，TUV，PSE，KC，CCC，符合 RoHS 和 REACH 环保法规。

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￥0.4398
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200+
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型号：1ED3121MC12HXUMA1 编号：C17497486

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：FAN73933MX 编号：C606094

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN73933 是一款具有关断和可编程死区控制功能的半桥栅极驱动 IC，可驱动工作电压高达 +600 V 的高速 MOSFET 和隔离栅极桥晶体管 (IGBT)。它具有缓冲输出级，且所有 NMOS 晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。

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型号：A4970SLBTR-T 编号：C696101

封装：SOP-24-300mil

A4970电机驱动器可驱动双极步进电机的两个绕组，或双向控制两台直流电机。两个桥路均能承受45 V电压，并内置脉冲宽度调制（PWM）功能，可将输出电流控制在750 mA以内。对于PWM电流控制，最大输出电流由用户选择的参考电压和检测电阻决定

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型号：A4911KJPTR-T-1 编号：C6851113

封装：LQFP-48-EP(7x7)

A4911是一款N沟道功率MOSFET驱动器，能够控制以三相桥结构连接的MOSFET，专为驱动无刷直流（BLDC）电机等高功率感性负载的汽车应用而设计。A4911适用于必须满足ASIL要求的汽车系统。与Allegro的其他A² - SIL产品一样，该器件具备完善系统设计的特性，可帮助用户实现最高ASIL D级别的系统分类

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型号：HIP4020IBZ 编号：C1523830

封装：SOIC-20-300mil

在HIP4020的功能框图中，四个开关和一个负载以H形配置排列，以便来自端子OUTA和OUTB的驱动电压可以交叉切换，以改变负载中的电流方向，这通常称为四象限负载控制。端子ENA和ENB是逻辑A和B输入控制的使能输入。ILF输出是过流限制故障标志输出，指示输出A或B或两者的故障情况。VDD和VSS是A和B控制逻辑输入以及ILF输出的电源参考端子。

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￥34.3498 ￥41.89

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型号：H17 编号：C22396311

封装：插件,D2.5xL9mm

品牌：SET(赛尔特)

温度保险丝-合金型是一次性动作而不可复位的装置。其主要由低熔点的易熔合金、助熔断剂、外壳、封口树脂和引线组成。在正常工作情况下，易熔合金与两根引线保持连接，当合金型温度保险丝感受到异常发热点并达到预定的熔断温度时，易熔合金熔化，并在助熔断剂的作用下快速收缩至引线两端，从而断开电路。额定动作温度从 76℃ 到 221℃，额定电流为 2A，安规认证包括：UL，cUL，TUV，PSE，KC，CCC，符合 RoHS 和 REACH 环保法规。

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型号：L6506 编号：C10652

封装：DIP-18

L6506/D是一款线性集成电路，旨在感应和控制步进电机及类似设备中的电流。当与L293、L298、L7150、L6114/L6115配合使用时，该芯片组可为感性负载形成恒流驱动，并执行从控制逻辑到功率级的所有接口功能。可使用同步引脚对两个或多个器件进行同步。在这种工作模式下，主芯片中的振荡器会设定所有芯片的工作频率。 L6506适用于与双桥驱动器（如L298）、四达林顿阵列（如L7150）、四DMOS阵列（如L6114 - L6115）或分立功率晶体管配合使用，以驱动步进电机和其他类似负载。该器件的主要功能是感应和控制每个负载绕组中的电流。一个片上通用振荡器驱动双斩波器，并为脉宽调制驱动设定工作频率。1号引脚上的RC网络设定工作频率，该频率由公式torand Vref给出。由于为每个斩波器提供了独立的输入，因此每个负载都可以独立编程，从而使该器件可用于实现电机的微步进。L6506振荡器的下限阈值为1/3Vcc，上限阈值为2/3Vcc，内部放电电阻为1 KΩ ± 30%。通过同步振荡器，可以避免多配置中的接地噪声问题。这可以通过将每个器件的同步引脚与主器件的振荡器输出相连，并将未使用振荡器的R/C引脚接地来实现。振荡器提供脉冲来置位两个触发器，进而使输出激活驱动器。当负载绕组中的电流达到编程的峰值时，感测电阻（Rsense）两端的电压等于Vref，相应的比较器会复位其触发器，中断驱动电流，直到下一个振荡器脉冲出现。每个绕组中的峰值电流通过选择感测电阻的值来编程。

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型号：TLE9180D21QKXUMA1 编号：C1854987

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE9180D - 21QK和TLE9180D - 31QK是先进的栅极驱动IC，专门用于控制6个外部N沟道MOSFET，这些MOSFET构成一个逆变器，适用于汽车领域的大电流三相电机驱动应用。先进的高压技术使这些IC能够支持单电池和混合电池系统的应用，电池电压涵盖12 V、24 V和48 V。与桥路、电机和电源相关的引脚能够承受高达90 V的电压

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型号：L297D 编号：C1523897

封装：SO-20-300mil

L297步进电机控制器IC可为微机控制应用中的两相双极和四相单极步进电机生成四相驱动信号。该电机可在半步、正常和波形驱动模式下运行，片上PWM斩波电路允许对绕组电流进行开关模式控制。该器件的一个特点是仅需时钟、方向和模式输入信号。由于相位是内部生成的，因此大大减轻了微处理器和程序员的负担。L297采用DIP20和SO20封装，可与L298N或L293E等单片桥式驱动器配合使用，也可与分立晶体管和达林顿管配合使用。

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￥136.86
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型号：SS-331H 编号：C919787

封装：-

品牌：宝工

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单价：
￥690 / 个

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型号：TC78H670FTG,EL 编号：C6331347

封装：VQFN-16(3x3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC78H670FTG是一款两相双极步进电机驱动器，采用PWM斩波器，输出晶体管采用低导通电阻的DMOS。内置时钟输入解码器。

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型号：A4955KLPTR-T 编号：C2688271

封装：HTSSOP-20-EP

A4955专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够在50 V电压下工作，并为全N沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。该器件设有输入端子，用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内置同步整流控制电路，可降低PWM工作期间的功耗

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型号：HIP2210FRTZ-T 编号：C3655656

封装：TDFN-10(4x4)

是100V、3A源极、4A漏极高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入，可编程死区时间。宽6V至18V工作电源范围和集成的高端自举二极管，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟为15ns，典型延迟匹配为2ns，适用于高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。

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￥14.34
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￥14
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型号：STGIPNS3H60T-H 编号：C3615335

封装：-

SLLIMM-nano小型低损耗智能模块IPM，3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥

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￥68.01
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￥65.89

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型号：STGIPQ3H60T-HZS 编号：C2965388

封装：DIP-26

SLLIMM nano第2系列IPM，3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥

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￥74.26
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型号：A4955GLPTR-T 编号：C2688276

封装：TSSOP-20-EP

专为直流电机的脉宽调制 (PWM) 控制而设计，能够在50V下运行，并为全N沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。输入端子用于通过外部施加的PWM控制信号控制直流电机的速度和方向。内部同步整流控制电路可降低PWM运行期间的功耗。内部电路保护包括VDS保护、带迟滞的热关断、VBB欠压监测和交叉电流保护。采用低轮廓4×4mm 20引脚QFN封装（后缀ES）和20引脚eTSSOP封装（后缀“LP”），均带有外露散热焊盘。

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￥16.47
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￥13.87
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型号：MCF8315C1VPWPR 编号：C38302061

封装：HTSSOP-24

品牌：TI(德州仪器)

为驱动峰值电流高达4A的速度受控型12V至24V无刷直流电机（BLDC）或永磁同步电机(PMSM)提供了一个单芯片、无代码、无传感器FOC解决方案。集成了三个12桥，具有40V的绝对最大电压和250/265mΩ的低RDS(ON)（高侧 + 低侧FET）。集成了电源管理电路，包括可用于为外部电路供电的电压可调节降压稳压器(3.3V/5V，170mA）和LDO(3.3V/20mA)。FOC算法配置可存储在非易失性EEPROM中，从而允许器件在配置后独立运行

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￥29.08
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￥26.02
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型号：HIP2211FBZ-T 编号：C22637560

封装：SOIC-8

是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入和可编程死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟非常快，为15ns，典型延迟匹配为2ns，非常适合高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。

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￥16.15
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￥15.8
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型号：ISL99380FRZ-TR5935 编号：C3655512

封装：-

ISL99380R5935和ISL99380BR5935是80A智能功率级（SPS），分别与瑞萨ISL68/69xxx数字多相（DMP）控制器和相位倍增器（ISL6617A）兼容。ISL99380R5935和ISL99380BR5935在电源、负载和温度变化时提供同类最佳的电流检测精度。与瑞萨数字PWM控制器配合使用时，这些器件可为基于负载线的稳压器实现精确的系统级电源管理和同类最佳的瞬态响应。这些器件通过省去典型的DCR检测网络和相关的热补偿组件简化了设计。热增强型5x6封装可实现高密度设计。ISL99380R5935和ISL99380BR5935采用瑞萨三态PWM输入，可与瑞萨多相PWM控制器和相位倍增器配合使用，在异常工作条件下提供可靠的解决方案。ISL99380R5935和ISL99380BR5935还通过集成故障保护功能提高了系统性能和可靠性，包括上桥FET过流、上桥FET短路、智能反向过流（SROCP）、过温（OTP）和VCC欠压锁定（UVLO）。

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￥19.87
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型号：AMT49502KLPTR-5 编号：C3655005

封装：TSSOP-24-EP

AMT49502 是一款N通道功率MOSFET驱动器，能够控制以半桥方式连接的MOSFET，特别适用于汽车应用中的高功率电感负载，如刷式直流电机、无刷直流电机（BLDC）、VR/SR电机、电磁阀和执行器。独特的电荷泵稳压器在整个供电电压范围内（5.5 V至80 V）为大多数应用场景提供完整的栅极驱动。采用自举电容为N通道MOSFET提供所需的高于电池电压的电源。每个MOSFET可以通过逻辑电平输入或通过SPI兼容串行接口独立控制。完全独立的控制允许两个外部FET同时导通。集成的诊断功能可指示多种内部故障、系统故障和功率桥故障，并且可以在大多数短路条件下配置以保护功率MOSFET。除了提供对桥控制的完全访问外，串行接口还用于更改可编程设置，例如VDS阈值和故障屏蔽时间。详细的诊断信息可以通过串行接口读取。AMT49502按照ISO 26262开发，作为硬件安全元件，具有ASIL B能力（待评估），在集成并按照适用的安全应用说明和数据手册中规定的方式使用时，可用于汽车安全相关系统。

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￥44.75
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￥38.13
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型号：TW6865-TA1-CRH 编号：C3824054

封装：TQFP-144(20x20)

支持通过PCIe x1接口进行多通道视频和音频采集，适用于PC DVR系统和视频分析应用。包含高质量四通道NTSC/PAL/SECAM视频解码器，可将模拟复合视频信号转换为数字分量YCbCr数据，并利用自适应4H梳状滤波器分离亮度和色度，以减少交叉噪声伪像。包含高性能专有DMA控制器，可充分优化PCIe x1带宽的利用率，使其能够以接近PCIe x1接口理论极限的高吞吐量传输视频和音频数据。能够同时解码和传输4路实时D1视频，或最多16通道非实时D1视频，外加8通道音频

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￥248.06
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￥235.89

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型号：A4956GLPTR-T 编号：C2150498

封装：TSSOP-20-EP

A4956专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够在50 V电压下工作，并为全n沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。该器件设有输入端子，用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成了同步整流控制电路，可降低PWM工作期间的功耗

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￥9.77
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￥9.52
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型号：1ED3124MC12HXUMA1 编号：C17365056

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：AMT49105KEVTR-J 编号：C5551194

封装：QFN-48(7x7)

是N沟道功率MOSFET驱动器，能够控制以三相桥形式连接的MOSFET，专为具有高功率感性负载（如无刷直流电机）的汽车应用而设计。可对三相桥中的所有六个功率MOSFET进行完全控制，允许以方波换相或正弦激励方式驱动电机。设计用于在小型微控制器提供电机控制、与中央ECU的通信接口以及智能故障和状态处理的系统中，提供栅极驱动、电源和外围功能。为微控制器提供电源和看门狗，以及微控制器与中央ECU和点火开关之间的高压接口

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型号：AMT49100KJPTR-B-5 编号：C19626917

封装：LQFP-48(7xa7)

AMT49100是一款N沟道功率MOSFET驱动器，能够控制以三相桥结构连接的MOSFET，专为具有高功率感性负载的48 V汽车电源应用（如无刷直流（BLDC）电机）而设计。固定频率降压转换器可在10至80 V的整个电源电压范围内提供稳压栅极驱动和自举充电电压。自举电容用于为N沟道MOSFET提供高于电池的电源电压

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￥41.74
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￥40.67
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型号：AMT49101KJPTR-A-3 编号：C3681189

封装：LQFP-48-EP(7x7)