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1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：L297/1 编号：C34301

封装：DIP-20

L297步进电机控制器IC可为微机控制应用中的两相双极和四相单极步进电机生成四相驱动信号。该电机可在半步、正常和波形驱动模式下运行，片上PWM斩波电路允许对绕组电流进行开关模式控制。该器件的一个特点是仅需时钟、方向和模式输入信号。由于相位是内部生成的，因此大大减轻了微处理器和程序员的负担。L297采用DIP20和SO20封装，可与L298N或L293E等单片桥式驱动器配合使用，也可与分立晶体管和达林顿管配合使用。

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型号：MP6540HGU-Z 编号：C5358239

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540H每个半桥都有使能（EN）和PWM输入，而MP6540HA有单独的高端和低端输入。根据散热和PCB条件，MP6540H可提供高达6A的峰值电流和5A的连续输出电流。使用内部电荷泵为高端MOSFET生成栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以保持足够的栅极驱动电压，实现100%占空比运行。内部安全功能包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。采用QFN-26（5mmx5mm）封装。

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型号：GBU610 编号：C908179

封装：GBU

特性：推荐用于非自动应用。适用于印刷电路板，节省空间。适用于自动插入。采用模塑塑料技术，结构可靠，成本低。玻璃钝化芯片结。无铅部件符合RoHS要求。后缀“-H”表示无卤部件

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型号：GBU1510 编号：C908180

封装：GBU

特性：推荐用于非自动应用。非常适合印刷电路板，节省空间。适用于自动插入。采用模塑塑料技术，可靠且成本低，产品价格实惠。玻璃钝化芯片结。无铅部件符合RoHS要求。后缀“-H”表示无卤部件

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型号：IRS2007STRPBF-JSM 编号：C7432829

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

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型号：G30H100CTFW-HXY 编号：C52754559

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流为30A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.82V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流及高频开关电路中，尤其适合多路输出或桥式结构中的同步整流应用。

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型号：MBR20H100CTG-E3/45-HXY 编号：C52754644

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）典型值为0.85V，反向漏电流（IR）为20μA，最大正向浪涌电流（IFSM）可达200A。其共阴极结构便于在双路输出或桥式整流等电路中简化布局，较低的VF有助于减少导通损耗，较高的IFSM能力使其能够承受瞬时大电流冲击，适用于高效率电源转换、开关模式电源及各类需要高可靠整流功能的电子系统。

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型号：1ED3122MU12HXUMA1 编号：C17390271

封装：SOIC-8-300mil

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：A4964KJPTR-T 编号：C2150453

封装：QFP-32(7x7)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

一款三相无传感器无刷直流（BLDC）电机控制器，适用于外接 N 沟道功率 MOSFET，专为汽车应用而设计。它旨在为系统提供电机控制功能，在该系统中，小型微控制器负责与中央电子控制单元（ECU）进行通信，并进行智能故障和状态处理。A4964 为微控制器提供电源和看门狗功能，以及微控制器与中央 ECU 和点火开关之间的高压接口。A4964 也可作为独立的单芯片远程电机控制器运行。电机采用三相正弦电流驱动，通过监测电机反电动势（bemf）来确定相位换相，无需独立的位置传感器。无传感器启动方案包括正向和反向预旋转（风车效应）检测与同步，使 A4964 能够在各种电机和负载组合下运行。A4964 可进行占空比（电压）控制、电流（转矩限制）控制和闭环速度控制。控制模式、运行模式和控制参数通过兼容 SPI 的串行接口进行编程。单个电流检测放大器通过串行接口实现峰值电流限制和平均电流测量。集成诊断功能可指示欠压、过温和功率桥故障，并能在大多数短路情况下保护功率开关。

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型号：STGIPQ3H60T-HZ 编号：C1556907

封装：N2DIP-26

SLLIMM nano第2系列IPM，3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥

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型号：MD50H16FJ 编号：C781091

封装：FJ

品牌：YANGJIE(扬杰)

MD50H16FJ-A2-0000

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型号：H31 编号：C22396285

封装：插件,D2.5xL9mm

品牌：SET(赛尔特)

温度保险丝-合金型是一次性动作而不可复位的装置。其主要由低熔点的易熔合金、助熔断剂、外壳、封口树脂和引线组成。在正常工作情况下，易熔合金与两根引线保持连接，当合金型温度保险丝感受到异常发热点并达到预定的熔断温度时，易熔合金熔化，并在助熔断剂的作用下快速收缩至引线两端，从而断开电路。额定动作温度从 76℃ 到 221℃，额定电流为 2A，安规认证包括：UL，cUL，TUV，PSE，KC，CCC，符合 RoHS 和 REACH 环保法规。

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型号：GBU410 编号：C880913

封装：GBU

特性：推荐用于非自动应用。适用于印刷电路板，节省空间。适用于自动插入。采用模塑塑料技术，结构可靠，成本低。玻璃钝化芯片结。无铅部件符合RoHS要求。后缀“-H”表示无卤部件

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型号：GBU1010 编号：C880915

封装：GBU

特性：推荐用于非自动应用。非常适合印刷电路板并节省空间。适用于自动插入。采用模塑塑料技术，结构可靠且成本低，产品价格实惠。玻璃钝化芯片结。无铅部件符合 RoHS 要求。后缀 “- H” 表示无卤部件

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型号：TF2007M-TR-JSM 编号：C7432828

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

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型号：AP1511B-TD 编号：C53202417

封装：SOT-26

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

AP1511B是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC，用来开关红外线滤光片。具有一个低饱和电压双向的H-bridge驱动电路，内建保护二极管疏通ICR，所产生的反馈电流，以及防止ESD的破坏。双向H-bridge驱动电路其内阻比较小，ICR模块所需的电流决定于其线圈的阻抗。

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型号：1EDI60H12AH 编号：C533024

封装：DSO-8

1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 驱动器，具有电气隔离功能，其分离输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：MCF8315C1VQRGFRQ1 编号：C31301704

封装：VQFN-40-EP(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

为驱动峰值电流高达4A的速度受控型12V至24V无刷直流电机(BLDC)或永磁同步电机(PMSM)提供了一个单芯片、无代码、无传感器FOC解决方案。集成了三个12桥，具有40V的绝对最大电压和240/250/265mΩ的低RDS(ON)（高侧 + 低侧FET）。集成了电源管理电路，包括可用于为外部电路供电的电压可调节降压稳压器（3.3V/5V，170mA）和LDO（3.3V/20mA）。FOC算法配置可存储在非易失性EEPROM中，从而允许器件在配置后独立运行。该器件通过PWM输入、模拟电压、可变频率方波或I²C命令接收速度命令。集成了多种保护特性，可在出现故障事件时保护该器件、电机和系统。

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型号：OB2101HCPA 编号：C22379554

封装：SOP-8

品牌：OB(昂宝)

OB2101H是一款单片式单相半桥栅极驱动IC，专为高压、高速驱动功率MOSFET和IGBT而设计，可在高达650V的电压下工作。OB2101H采用高压工艺和共模噪声消除技术，可确保高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行，并且两个输出通道具备内部死区时间，可避免交叉导通。

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型号：L6506 编号：C10652

封装：DIP-18

L6506/D是一款线性集成电路，旨在感应和控制步进电机及类似设备中的电流。当与L293、L298、L7150、L6114/L6115配合使用时，该芯片组可为感性负载形成恒流驱动，并执行从控制逻辑到功率级的所有接口功能。可使用同步引脚对两个或多个器件进行同步。在这种工作模式下，主芯片中的振荡器会设定所有芯片的工作频率。 L6506适用于与双桥驱动器（如L298）、四达林顿阵列（如L7150）、四DMOS阵列（如L6114 - L6115）或分立功率晶体管配合使用，以驱动步进电机和其他类似负载。该器件的主要功能是感应和控制每个负载绕组中的电流。一个片上通用振荡器驱动双斩波器，并为脉宽调制驱动设定工作频率。1号引脚上的RC网络设定工作频率，该频率由公式torand Vref给出。由于为每个斩波器提供了独立的输入，因此每个负载都可以独立编程，从而使该器件可用于实现电机的微步进。L6506振荡器的下限阈值为1/3Vcc，上限阈值为2/3Vcc，内部放电电阻为1 KΩ ± 30%。通过同步振荡器，可以避免多配置中的接地噪声问题。这可以通过将每个器件的同步引脚与主器件的振荡器输出相连，并将未使用振荡器的R/C引脚接地来实现。振荡器提供脉冲来置位两个触发器，进而使输出激活驱动器。当负载绕组中的电流达到编程的峰值时，感测电阻（Rsense）两端的电压等于Vref，相应的比较器会复位其触发器，中断驱动电流，直到下一个振荡器脉冲出现。每个绕组中的峰值电流通过选择感测电阻的值来编程。

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型号：STBR3008G2Y-TR 编号：C5268283

封装：H2PAK-2

汽车级800 V、30 A桥整流器二极管

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型号：NSG2065 编号：C41414477

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管

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型号：GHD3440PF 编号：C42385770

封装：TSSOP-20

品牌：Geehy(极海半导体)

GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计，适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns，当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时，实际死区时间为内嵌死区时间，反之，当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时，实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。

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型号：1EDI20H12AH 编号：C533013

封装：DSO-8

1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 驱动器，具有电气隔离功能，其分离输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：1ED3121MU12H 编号：C530922

封装：DSO-8

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：MIC4606-2YTS-TR 编号：C628054

封装：TSSOP-16

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是85V全桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路可主动监控全桥两侧，以最小化高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大化功率效率。防直通电路可防止错误输入和噪声同时导通桥每一侧的两个MOSFET。还提供5.5V至16V的宽工作电源范围，以最大化系统效率

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型号：L6506D 编号：C2971356

封装：SOIC-20-300mil