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1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：MIC4606-2YTS-TR 编号：C628054

封装：TSSOP-16

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是85V全桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路可主动监控全桥两侧，以最小化高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大化功率效率。防直通电路可防止错误输入和噪声同时导通桥每一侧的两个MOSFET。还提供5.5V至16V的宽工作电源范围，以最大化系统效率

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型号：MIC4606-2YML-TR 编号：C621922

封装：VQFN-16-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4606 是一款 85V 全桥 MOSFET 驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测全桥两侧，以尽量缩短高端和低端 MOSFET 转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。防直通电路可防止错误输入和噪声同时导通桥路每一侧的两个 MOSFET

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型号：GBU410 编号：C880913

封装：GBU

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：推荐用于非自动应用。适用于印刷电路板，节省空间。适用于自动插入。采用模塑塑料技术，结构可靠，成本低。玻璃钝化芯片结。无铅部件符合RoHS要求。后缀“-H”表示无卤部件

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型号：TF2007M-TR-JSM 编号：C7432828

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

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型号：IRS2007STRPBF-JSM 编号：C7432829

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

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型号：GBU1010 编号：C880915

封装：GBU

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：推荐用于非自动应用。非常适合印刷电路板并节省空间。适用于自动插入。采用模塑塑料技术，结构可靠且成本低，产品价格实惠。玻璃钝化芯片结。无铅部件符合 RoHS 要求。后缀 “- H” 表示无卤部件

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型号：G30H100CTFW-HXY 编号：C52754559

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流为30A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.82V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流及高频开关电路中，尤其适合多路输出或桥式结构中的同步整流应用。

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型号：1EDI60H12AH 编号：C533024

封装：DSO-8

1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 驱动器，具有电气隔离功能，其分离输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：STBR3008G2Y-TR 编号：C5268283

封装：H2PAK-2

汽车级800 V、30 A桥整流器二极管

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型号：G2061Q 编号：C7421053

封装：QFN-24

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.5/1.8A

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￥2.641 ￥2.78
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型号：NSG21364 编号：C41414506

封装：SOP-28

700V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.21/0.35A

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型号：1ED3122MU12HXUMA1 编号：C17390271

封装：SOIC-8-300mil

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：TLE7184FXUMA2 编号：C2150694

封装：VQFN-48-EP(9x9)

TLE7184F是一款用于无刷电机控制的系统IC。它集成了一个为微控制器（μC）供电的电压源、一个适用于B6配置的桥驱动器、一个典型应用的PWM接口以及其他一些小功能。其目标是减少典型无刷直流（BLDC）汽车应用中分立元件的数量，并为特定定制适配提供足够的灵活性

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型号：AP1511B-TD 编号：C53202417

封装：SOT-26

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

AP1511B是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC，用来开关红外线滤光片。具有一个低饱和电压双向的H-bridge驱动电路，内建保护二极管疏通ICR，所产生的反馈电流，以及防止ESD的破坏。双向H-bridge驱动电路其内阻比较小，ICR模块所需的电流决定于其线圈的阻抗。

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型号：H31 编号：C22396285

封装：插件,D2.5xL9mm

品牌：SET(赛尔特)

温度保险丝-合金型是一次性动作而不可复位的装置。其主要由低熔点的易熔合金、助熔断剂、外壳、封口树脂和引线组成。在正常工作情况下，易熔合金与两根引线保持连接，当合金型温度保险丝感受到异常发热点并达到预定的熔断温度时，易熔合金熔化，并在助熔断剂的作用下快速收缩至引线两端，从而断开电路。额定动作温度从 76℃ 到 221℃，额定电流为 2A，安规认证包括：UL，cUL，TUV，PSE，KC，CCC，符合 RoHS 和 REACH 环保法规。

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型号：OB2101HCPA 编号：C22379554

封装：SOP-8

品牌：OB(昂宝)

OB2101H是一款单片式单相半桥栅极驱动IC，专为高压、高速驱动功率MOSFET和IGBT而设计，可在高达650V的电压下工作。OB2101H采用高压工艺和共模噪声消除技术，可确保高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行，并且两个输出通道具备内部死区时间，可避免交叉导通。

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型号：1ED3121MU12H 编号：C530922

封装：DSO-8

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：L297/1 编号：C34301

封装：DIP-20

L297步进电机控制器IC可为微机控制应用中的两相双极和四相单极步进电机生成四相驱动信号。该电机可在半步、正常和波形驱动模式下运行，片上PWM斩波电路允许对绕组电流进行开关模式控制。该器件的一个特点是仅需时钟、方向和模式输入信号。由于相位是内部生成的，因此大大减轻了微处理器和程序员的负担。L297采用DIP20和SO20封装，可与L298N或L293E等单片桥式驱动器配合使用，也可与分立晶体管和达林顿管配合使用。

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型号：NSG2136 编号：C41414505

封装：SOP-28

700V 三相桥驱动、高低侧反逻辑、拉/灌电流：0.21/0.35A

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￥6.2985 ￥6.63
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￥3.2965 ￥3.47

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型号：1EDI20H12AH 编号：C533013

封装：DSO-8

1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 驱动器，具有电气隔离功能，其分离输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：1ED3120MC12HXUMA1 编号：C5311646

封装：DSO-8

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：STGIPQ3H60T-HZ 编号：C1556907

封装：N2DIP-26

SLLIMM nano第2系列IPM，3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥

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型号：L6506D 编号：C2971356

封装：SOIC-20-300mil

L6506/D是一款线性集成电路，旨在感应和控制步进电机及类似设备中的电流。当与L293、L298、L7150、L6114/L6115配合使用时，该芯片组可构成用于感性负载的恒流驱动器，并实现从控制逻辑到功率级的所有接口功能。L6506适用于与双桥式驱动器（如L298）、四达林顿阵列（如L7150）、四DMOS阵列（如L6114 - L6115）或分立功率晶体管配合使用，以驱动步进电机和其他类似负载

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￥32.98
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型号：NSG2065Q 编号：C41414478

封装：QFN-24-EP(4x4)