mos驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：FAN3111CSX-JSM 编号：C18195023

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器。

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￥1.550472 ￥1.8458
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￥0.844032 ￥1.0048
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￥0.79254 ￥0.9435

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型号：TF0215-USQ 编号：C5119562

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：低边是否隔离：非隔离电源电压：4.5V~18V 峰值灌电流：1.9A 峰值拉电流：1.8A 高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥1.6 ￥2
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￥1.416 ￥1.77
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￥1.336 ￥1.67
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￥1.192 ￥1.49
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￥1.168 ￥1.46

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型号：NSG27517 编号：C7421046

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、双输入（IN+&IN-)、拉/灌电流：4/4A，输入耐受低至-10V

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￥1.6181
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￥1.2578
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￥1.1034
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￥0.9108

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型号：ZXGD3113W6-7 编号：C2676955

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3113W6旨在驱动配置为理想二极管替代品的MOSFET。该器件由差分放大器检测级和大电流驱动器组成。检测级监测MOSFET的反向电压，这样，如果发生体二极管导通，就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压

数据手册

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￥1.66
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￥1.0416 ￥1.12
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￥0.9672 ￥1.04
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￥0.93 ￥1

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型号：ZXGD3009DYTA 编号：C441818

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3009DY是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达1A的峰值源极/漏极电流，以对容性负载进行有效充放电。该栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

数据手册

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￥1.6779
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￥1.3321
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￥1.1839
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￥0.999

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型号：SiLM27624LCA-DG 编号：C49329025

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。采用固有地最小化直通电流的设计，能够向电容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟，典型值为20ns。在12V VDD电源下，提供5.0A源极、5.0A漏极峰值驱动电流能力。

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￥1.6843
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￥0.9917

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型号：LM5109AMAX-JSM 编号：C7432826

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单向桥高低侧同向驱动配置 LM5109A是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

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￥1.92096 ￥2.1344
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￥0.8829 ￥0.981

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型号：IR44273LTRPBF 编号：C5804635

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单通道低侧同相栅极驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。

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￥1.955 ￥2.3
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￥1.394 ￥1.64

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型号：TF2005M-TAH 编号：C2981474

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

中压200V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥1.968 ￥2.46
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型号：UCC27519DBVT-JSM 编号：C7466356

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

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￥1.476 ￥1.64

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型号：DOS2106 编号：C52140041

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

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￥1.4839
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2500+
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型号：HX293D-S 编号：C49339804

封装：SOP-20

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

该设备是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，旨在接受标准DTL或TTL逻辑电平。它能够驱动电感负载，如继电器、螺线管、直流电机和步进电机，以及开关功率晶体管。为方便在两个桥接配置中使用，每对通道都配备了一个使能输入。此外，逻辑电路有单独的电源输入，允许在较低电压下工作。还内置了钳位二极管以提高性能。该设备适用于频率高达5kHz的开关操作。

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￥2.169 ￥2.41
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型号：FAN7380MX-JSM 编号：C17701710

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 FAN7380是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.184 ￥2.73
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型号：COS1416R 编号：C7190315

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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型号：EG3112 编号：C111908

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

600V，IO+1A/-1.5A，大功率MOS管、IGBT管栅极驱动IC

数据手册

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型号：HTC4427AEOA713 编号：C22449575

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款高性能栅极驱动IC，宽泛的工作电压区间4.5V至25V，搭配2A峰值输出电流能力，为各类电路提供强大驱动力。其-5V的最大输入负压承受能力，提升了系统兼容性和鲁棒性，是实现精密控制与高效能转换的优选组件。

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￥1.4608 ￥1.66

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型号：NSG6021 编号：C53436456

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.808 ￥3.12
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￥2.259 ￥2.51
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￥1.512 ￥1.68

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型号：HX4428-P 编号：C19186060

封装：DIP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

双低侧MOSFET驱动器系列采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的功率使用和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，该输出电压电平可在正电源或地的25mV范围内摆动。该驱动器有三种配置：双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代其他型号，提供改进的电气性能和耐用性

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型号：SL27524A 编号：C46061829

封装：SOIC-8

品牌：Slkor(萨科微)

是5A双通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效且安全地驱动MOSFET和IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOIC-8封装使MOSFET能够以数百kHz的频率开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动，其中同步MOSFET的死区时间精度直接影响转换器的效率。该驱动器能够将两个通道并联以增加输出驱动电流

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￥3.04
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￥2.44
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￥1.86
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型号：SL27624MS 编号：C20539705

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL27624是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SL27624采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为20ns。在12V VDD电源供电时，SL27624可提供5.0A的源极和5.0A的漏极峰值驱动电流

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￥3.192 ￥3.99
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￥2.264 ￥2.83
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型号：EG21867 编号：C20416238

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG21867是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG21867高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽7.7V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

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￥3.23
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￥2.51
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￥2.2
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型号：NCP5106ADR2G-JSM 编号：C44606286

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

NCP5106A是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥3.29
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￥2.64
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型号：SLM7888MD 编号：C785010

封装：TSSOP-20

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V三相全桥，互锁，Vo：10-20V，HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑，所有通道高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/150ns，DT:270ns,MT:40ns，MDT:25ns

数据手册

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￥3.34
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￥2.64
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￥2.29
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￥1.94
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￥1.74

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型号：NCP3420DR2G 编号：C154600

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3420 是一款经优化的单相 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。高压侧和低压侧驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 30 ns，转换时间为 20 ns。在较宽的运行电压范围内，可以优化高压侧或低压侧 MOSFET 门极驱动电压，以实现最佳能效。内部自适应非重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通来减少开关损耗。通过对输出禁用引脚施加低逻辑电平，可以将两个门极输出驱动为低电平。欠压锁定功能可确保当电源电压较低时，两个驱动器输出都为低电平，而高温关断功能可为集成电路提供超温保护。

数据手册

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￥3.45
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￥2.71
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￥2.39
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￥1.99
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型号：SiLM2661CA-DG 编号：C41433640

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压