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封装：TO-220-5

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：UCC27614DR 编号：C5218775

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可以在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性

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型号：UCC27211DR 编号：C2871979

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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型号：IR2010STRPBF 编号：C114890

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是高功率、高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200V的N沟道功率MOSFET或IGBT。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现坚固的单片结构。

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型号：IR4426STRPBF 编号：C537737

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是一款低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专利抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容

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型号：1EDB8275FXUMA1 编号：C17236640

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC，用于驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术实现隔离。具有严格的时序规格，适用于快速开关的中高功率系统。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的优质替代方案。

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型号：TPS28225DRBR 编号：C2676914

封装：SON-8-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

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型号：IR21834STRPBF 编号：C537607

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：NCV7535DBR2G 编号：C603996

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

NCV7535 是一款单片 SPI控制的 H 桥预驱动器，提供对于直流电机的控制。由于 SPI 接口，它包含了汽车系统中使用的增强功能集。因此这是一个高度集成的方案。

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型号：2ED020I12-FI 编号：C533039

封装：DSO-18

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED020I12-FI是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可直接供电，也可通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外，2ED020I12-FI还配备了一个专用关断输入。所有逻辑输入均与3.3 V和5 V TTL兼容。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。两个驱动器均设计用于驱动最高工作电压达1.2 kV的N沟道功率MOSFET或IGBT。此外，还提供了一个通用运算放大器和一个通用比较器，可用于例如电流测量或过流检测。

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型号：MIC4452VM 编号：C637547

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4451和MIC4452 CMOS MOSFET驱动器性能可靠、效率高且易于使用。MIC4451是反相驱动器，而MIC4452是非反相驱动器。这两款产品均能提供12A（峰值）输出，并且能驱动大型MOSFET，同时具备更高的安全工作裕量

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型号：1ED3125MU12FXUMA1 编号：C17662842

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

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型号：DRV8303DCAR 编号：C91880

封装：HTSSOP-48-EP-6.1mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8303 具有电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

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型号：TC4424AVOA 编号：C636876

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是双输出3A缓冲器/MOSFET驱动器系列，是早期TC4423/TC4424/TC4425双输出3A驱动器系列的改进版本。此改进版本具有更高的峰值输出电流驱动能力、更低的直通电流、匹配的上升/下降时间和传播延迟时间，且与现有TC4423/TC4424/TC4425系列引脚兼容，新增了8引脚SOIC封装选项，8引脚DFN封装选项则为驱动较重的电容性或电阻性负载提供了更高的功率耗散能力。该MOSFET驱动器能够在20 ns内轻松对1800 pF的栅极电容进行充电和放电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使受到大的瞬变影响，MOSFET的预期状态也不会受到影响。其输入可以直接由TTL或CMOS（2.4V至18V）驱动，此外，300 mV的内置迟滞提供了抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动

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型号：MP1918GQE-Z 编号：C7545022

封装：QFN-14(3x3)

品牌：MPS(芯源)

是一款100V半桥驱动器，用于在半桥或同步应用中驱动增强模式氮化镓（GaN）FET或具有低栅极阈值电压的N沟道MOSFET。具有独立的高端（HS）和低端（LS）脉冲宽度调制（PWM）输入，为高端驱动器电压提供自举技术，可在高达100V的电压下工作。新的充电技术可防止高端驱动器电压超过VCC电压，从而防止栅极电压超过GaN FET的最大栅源电压额定值。有两个独立的栅极输出，允许通过在栅极回路中添加阻抗来独立调整导通和关断能力，可在高达数MHz的频率下工作。采用带有可焊侧翼的QFN-14（3mmx3mm）封装。

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型号：1ED3323MC12NXUMA1 编号：C17695244

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED332xMC12N（1ED - F3）是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品，采用 DSO - 16 宽体封装，具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器

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型号：MPQ6528GVE-AEC1-Z 编号：C6097576

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MPQ6528 是一款 H 桥栅极驱动 IC，可在 5V 至 60V 宽输入电压（VIN）范围内驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥。该器件集成的稳压电荷泵可产生栅极驱动电源（VREG），自举（BST）电容为高端 MOSFET（HS-FET）驱动器提供电源电压。即使在 100%占空比下，内部涓流充电电路也能维持足够的 HS-FET 栅极驱动电压。完整的保护功能包括可配置的短路保护（SCP）、过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）保护、可调死区时间（DT）控制和热关断。MPQ6528 采用带有外露散热焊盘的 QFN-28（4mmx5mm）封装。

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型号：BTM7740G 编号：C75776

封装：SOIC-28

品牌：Infineon(英飞凌)

BTM7740G 是 TrilithIC 系列产品的一员，该系列产品在一个封装中集成了三个芯片：一个双高端开关和两个低端开关。这三个垂直 DMOS 芯片的漏极安装在独立的引线框架上。源极连接到各个引脚，因此 BTM7740G 可用于 H 桥以及其他任何配置。BTM7740G 的双高端开关和两个低端开关均采用 SMART SIPMOS 技术制造，该技术将低导通电阻（RDSON）的垂直 DMOS 功率级与用于控制、保护和诊断的 CMOS 电路相结合。

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型号：DRV103H/2K5 编号：C544418

封装：SOIC-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV103 8V 至 32V PWM 低侧驱动器 (1.5A/3A)，适用于螺线管、线圈、阀、加热器和灯

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型号：LTC4449EDCB#TRPBF 编号：C688593

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4449是一款高频栅极驱动器，专为驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET而设计。强大的轨到轨驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4449的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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型号：MP86998GMJT-Z 编号：C6595856

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

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型号：IXDI614CI 编号：C1549553

封装：TO-220-5

品牌：Littelfuse/IXYS

适合驱动最新的MOSFET和IGBT。每个输出可提供和吸收14A的峰值电流，同时产生小于30ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，使驱动器几乎不受闩锁影响。低传播延迟和快速的上升和下降时间使其非常适合高频和高功率应用。有非反相驱动器（带使能）、非反相驱动器和反相驱动器三种配置。有8引脚DIP（PI）、带外露金属背的8引脚Power SOIC（SI）、5引脚TO-220（CI）和5引脚TO-263（YI）封装。

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型号：TC4431EOA 编号：C2909520

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4431/TC4432是30V CMOS缓冲器/驱动器，适用于高端驱动应用。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。它们能够承受高达300 mA的反向电流（任意极性）强制回流到其输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚均具备高达4 kV的静电放电保护。当输入电源电压降至7V以下时，欠压锁定电路会将输出强制置为“低”状态。若要在较低电压下工作，可将引脚3（LOCK DIS）接地以禁用锁定和启动电路；在其他情况下，引脚3（LOCK DIS）应悬空。在驱动MOSFET时，欠压锁定和启动电路可提供掉电保护。

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型号：LMG5200MOFR 编号：C2680255

封装：QFM-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

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型号：MCZ33810EK 编号：C3192631

封装：SSOP-32-EP-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

是一款八通道输出驱动IC，适用于汽车发动机控制应用。该IC由四个集成的低端驱动器和四个低端栅极预驱动器组成。低端驱动器适用于驱动喷油器、电磁阀、灯和继电器。四个栅极预驱动器既可以作为点火IGBT栅极预驱动器，也可以作为通用MOSFET栅极预驱动器。该器件采用SMARTMOS技术供电。当配置为点火IGBT栅极预驱动器时，可启用额外功能，如火花持续时间、导通时间和点火线圈电流检测。当配置为通用栅极预驱动器（GPGD）时，提供外部MOSFET短路保护、电感反激保护和诊断功能。该器件采用32引脚（0.65mm间距）外露焊盘SOIC封装。

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