mos驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

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￥0.77337 ￥0.8593
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￥0.62433 ￥0.6937
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￥0.44919 ￥0.4991
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￥0.42687 ￥0.4743

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型号：NSG6000 编号：C54348596

封装：SOP-8

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￥0.776245 ￥0.8171
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￥0.758955 ￥0.7989
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￥0.74746 ￥0.7868
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型号：U3115E 编号：C22398250

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115E 是一款可在高达 +350V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

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￥0.7886
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￥0.6942
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￥0.6537
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￥0.6033

有货

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型号：NSG0761 编号：C53436490

封装：SSOP-24

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￥0.80586 ￥0.8954
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￥0.78975 ￥0.8775
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￥0.77904 ￥0.8656
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￥0.76833 ￥0.8537

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型号：NSG27531 编号：C53463329

封装：SOT-23-6

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￥0.80586 ￥0.8954
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￥0.78975 ￥0.8775
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￥0.77904 ￥0.8656
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型号：EG3033 编号：C20416138

封装：QFN-16(3x3)

EG3033 是一款高性价比三相PMOS、NMOS 管栅极驱动专用芯片，内部集成了LDO、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。 EG3033 的电源电压范围 6V~36V ，静态功耗小于1mA。该芯片集成5V 输出LDO，可为外部MCU等器件供电。

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￥0.5766

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型号：U3116C 编号：C20626025

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥1.1085
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￥0.862
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￥0.7564

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型号：EG3033 编号：C2987454

封装：SOP-16

EG3033 是一款高性价比三相PMOS、NMOS 管栅极驱动专用芯片，内部集成了LDO、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。 EG3033 的电源电压范围 6V~36V ，静态功耗小于1mA。该芯片集成5V 输出LDO，可为外部MCU等器件供电。

数据手册

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￥1.1374
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￥0.8972
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￥0.6657

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型号：EG2304 编号：C5346627

封装：SOP-8

高压600v半桥MOS管驱动芯片

数据手册

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￥1.1933
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￥1.0421
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￥0.9773
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型号：EG3014S 编号：C7501754

封装：SOP-8

EG3014S 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3014S 高端的工作电压可达80V，Vcc 的电源电压范围宽4.5V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN 和LIN 内建了一个10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8 封装。

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￥1.3068
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￥1.0346
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￥0.918
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型号：UCC27517DBVT 编号：C2877770

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

数据手册

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￥1.3259
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￥1.0668
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￥0.8939
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￥0.7553

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型号：EG2204 编号：C20416239

封装：SOP-8

EG2204是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2204高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

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￥1.2031
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￥1.1221
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￥1.0211
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￥0.9761

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型号：EG6388 编号：C20416245

封装：SOP-8

EG6388是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、死区电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG6388高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±0.5/0.9A，采用SOP8封装。

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￥0.9761

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型号：FAN3111CSX-JSM 编号：C18195023

封装：SOT-23-5

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器。

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￥1.550472 ￥1.8458
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￥1.190616 ￥1.4174
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￥1.036392 ￥1.2338
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￥0.844032 ￥1.0048
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￥0.79254 ￥0.9435

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型号：TF0215-USQ 编号：C5119562

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：低边是否隔离：非隔离电源电压：4.5V~18V 峰值灌电流：1.9A 峰值拉电流：1.8A 高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥1.6 ￥2
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￥1.416 ￥1.77
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￥1.336 ￥1.67
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￥1.192 ￥1.49
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￥1.168 ￥1.46

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型号：ZXGD3113W6-7 编号：C2676955

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3113W6旨在驱动配置为理想二极管替代品的MOSFET。该器件由差分放大器检测级和大电流驱动器组成。检测级监测MOSFET的反向电压，这样，如果发生体二极管导通，就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压

数据手册

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￥1.66
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￥1.39
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￥1.1718 ￥1.26
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￥1.0416 ￥1.12
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￥0.9672 ￥1.04
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￥0.93 ￥1

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型号：ZXGD3009DYTA 编号：C441818

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3009DY是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达1A的峰值源极/漏极电流，以对容性负载进行有效充放电。该栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

数据手册

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￥1.6779
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￥1.3321
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￥1.1839
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￥0.999

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型号：SiLM27624LCA-DG 编号：C49329025

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。采用固有地最小化直通电流的设计，能够向电容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟，典型值为20ns。在12V VDD电源下，提供5.0A源极、5.0A漏极峰值驱动电流能力。

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￥1.6843
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￥1.3315
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￥0.9917

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型号：LM5109AMAX-JSM 编号：C7432826

封装：SOP-8

单向桥高低侧同向驱动配置 LM5109A是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

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￥1.92096 ￥2.1344
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￥1.51272 ￥1.6808
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￥1.33776 ￥1.4864
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￥0.94131 ￥1.0459
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￥0.8829 ￥0.981

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型号：IR44273LTRPBF 编号：C5804635

封装：SOT-23-5

单通道低侧同相栅极驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。

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￥1.955 ￥2.3
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￥1.7255 ￥2.03
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￥1.615 ￥1.9
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￥1.496 ￥1.76
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￥1.428 ￥1.68
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￥1.394 ￥1.64

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型号：TF2005M-TAH 编号：C2981474

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

中压200V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥1.968 ￥2.46
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￥1.56 ￥1.95
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￥1.392 ￥1.74
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￥1.176 ￥1.47
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￥1.08 ￥1.35
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￥1.016 ￥1.27

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型号：UCC27519DBVT-JSM 编号：C7466356

封装：SOT-23-5

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

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￥2.07 ￥2.3
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￥1.827 ￥2.03
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￥1.476 ￥1.64

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型号：DOS2106 编号：C52140041

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.1175
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￥1.6739
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￥1.2467
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￥1.1411

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型号：HX293D-S 编号：C49339804

封装：SOP-20

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

该设备是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，旨在接受标准DTL或TTL逻辑电平。它能够驱动电感负载，如继电器、螺线管、直流电机和步进电机，以及开关功率晶体管。为方便在两个桥接配置中使用，每对通道都配备了一个使能输入。此外，逻辑电路有单独的电源输入，允许在较低电压下工作。还内置了钳位二极管以提高性能。该设备适用于频率高达5kHz的开关操作。

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￥2.169 ￥2.41
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￥1.719 ￥1.91
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￥1.107 ￥1.23

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型号：FAN7380MX-JSM 编号：C17701710

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 FAN7380是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.184 ￥2.73
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型号：COS1416R 编号：C7190315

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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￥1.63
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￥1.24
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型号：HTC4427AEOA713 编号：C22449575

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款高性能栅极驱动IC，宽泛的工作电压区间4.5V至25V，搭配2A峰值输出电流能力，为各类电路提供强大驱动力。其-5V的最大输入负压承受能力，提升了系统兼容性和鲁棒性，是实现精密控制与高效能转换的优选组件。

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￥2.8072 ￥3.19
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￥2.2352 ￥2.54
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￥1.98 ￥2.25
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￥1.672 ￥1.9
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￥1.54 ￥1.75
1000+
￥1.4608 ￥1.66

有货

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型号：NSG6021 编号：C53436456

封装：SOP-8